UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT40N03
40安培， 30伏
N沟道功率MOSFET
描述
该
UT40N03
功率MOSFET为设计人员提供了
快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 17mΩ @V
GS
= 10 V
*低电容
*优化的栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT40N03L-TN3-R
UT40N03G-TN3-R
UT40N03L-TM3-T
UT40N03G-TM3-T
包
TO-252
TO-251
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-160.C
UT40N03
绝对最大额定值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
30
V
栅源电压
±20
V
连续漏电流
40
A
漏电流脉冲（注1 ）
169
A
TO-251
50
W
总功耗
P
D
W
TO-252
50
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-251
TO-252
TO-251
TO-252
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62
62
2.5
2.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
=25℃
V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 10 V，I
D
=20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=16 A
民
30
1
±100
1
14
20
800
380
133
7.2
60
22.5
10
17
3
10
1.3
40
A
169
3
17
23
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A，V
GS
=10V,
R
G
=3.3
,
R
L
=0.75
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=24V,V
GS
= 5 V，I
D
=20 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
T
J
=25
℃
, I
S
= 40A ，V
GS
=0V
最大连续漏源
I
S
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
pF
ns
nC
V
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QW-R502-160.C
UT40N03
典型特征
典型的输出特性
T
C
=25℃
150
漏电流，我
D
(A)
V
G
=10V
V
G
=8.0V
V
G
=6.0V
100
漏电流，我
D
(A)
100
150
T
C
=150℃
功率MOSFET
典型的输出特性
V
G
=10V
V
G
=8.0V
V
G
=6.0V
50
V
G
=4.0V
V
G
=3.0V
50
V
G
=4.0V
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
7 8
6
漏极至源极电压，V
DS
(V)
9
0
0
1
2 3 4 5 6 7 8 9 10
漏极至源极电压，V
DS
(V)
28
26
导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
24
22
20
18
16
14
12
3
导通电阻比。栅极电压
归一化的导通电阻，R
DS （ ON）
I
D
=20A
T
C
=25℃
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
归一化的导通电阻与
结温
I
D
=20A
V
G
=10V
4
5
6
7
8
9
10
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
11
0
50
100
结温，T
J
(℃)
150
漏电流，我
D
(A)
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动力方面， P
D
(W)
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UT40N03
典型特征（续）
100
反向漏电流，I
S
(A)
反向二极管的正向特性
栅极阈值电压，V
GS （ TH）
(V)
3
功率MOSFET
栅极阈值电压与结
温度
10
T
J
=150℃
T
J
=25℃
2
1
1
0.1
0.01
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5
体二极管正向电压，V
SD
(V)
0
-50
0
100
50
结温，T
J
(℃)
150
门源电压，V
GS
(V)
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归热响应，R
thJC
漏电流，我
D
(A)
电容C （PF ）
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UT40N03
功率MOSFET
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