UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3P01Z
P沟道功率MOSFET
描述
该
UT3P01Z
UTC采用先进技术提供
优秀的研发
DS
（ON） ，低栅极电荷和低门操作
电压。此设备可应用于通用的开关
设备的应用程序。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 8
@V
GS
= -4 V
*超低栅极电荷（典型值1.43 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型1.8 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无卤
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
UT3P01ZG-AL3-R
UT3P01ZG-AN3-R
UT3P01ZG-AE2-R
包
SOT-323
SOT-523
SOT-23-3
1
S
S
S
引脚分配
2
G
G
G
3
D
D
D
填料
带盘
带盘
带盘
记号
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-341.B
UT3P01Z
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
V
DSS
-30
栅源电压
V
V
GSS
±10
DC
A
-0.1
漏电流
I
D
脉冲（注2 ）
A
-0.4
SOT-523
150
mW
功耗
P
D
SOT - 323 / SOT- 23-3
200
mW
储存温度
T
英镑
°C
-55 ~ +150
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度为10μs ≦ ，占空比≦ 1 ％
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
截止阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-1mA
V
DS
=-30V,V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
V
DS
= -10V ，我
D
=-100A
V
GS
= -4V ，我
D
=-50mA
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-30mA
V
GS
= -1.5V ，我
D
=-1mA
V
DS
= -10V ，我
D
=-50mA
民
-30
-1
±10
-0.4
8
11
27
110
7.5
5.7
1.8
1.43
0.18
0.25
24
55
120
130
-0.83
-1.2
-1.4
10.4
15.4
54
典型值
最大单位
V
A
A
V
mS
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
80
V
DS
=-10V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
请参阅特定网络版测试电路
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -100mA ，V
GS
=0V
V
DS
=-10V, V
GS
=-10V,
I
D
=-100mA
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UT3P01Z
开关时间测试电路
V
OUT
V
IN
G
0V
-4V
R
G=
50Ω
功率MOSFET
D
R
L
=300
Ω
I
D
=-50mA
V
DD
=-15V
D.U.T.
S
脉冲宽度为10μs =
占空比= 1 ％
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UT3P01Z
典型特征
漏极电流与漏源
击穿电压
功率MOSFET
2.0
1.6
300
250
漏电流，我
D
(A)
200
150
100
50
0
漏电流与
栅极阈值电压
漏电流，我
D
（MA ）
1.2
0.8
0.4
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
漏源导通电阻
特征
50
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4 1.6
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏电流与
源极到漏极电压
120
漏电流，我
D
（MA ）
100
80
60
40
20
0
漏电流，我
D
（MA ）
40
30
20
10
0
V
GS
=-4V
I
D
=50mA
V
GS
=-2.5V
I
D
=-30mA
V
GS
=-1.5V
I
D
=-1mA
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0
源极到漏极电压，V
SD
(V)
1.2
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