UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3N06
初步
功率MOSFET
N沟道增强
MODE POWER MOSFET
描述
在UTC
UT3N06
是N沟道功率MOSFET提供
非常低的导通电阻。它具有高效率和完善
成本效益。它可以普遍适用于商业和
工业领域。
特点
*简单的驱动要求
符号
漏
门
来源
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3N06L-AE3-R
UT3N06G-AE3-R
UT3N06L-TN3-R
UT3N06G-TN3-R
UT3N06L-TN3-T
UT3N06G-TN3-T
包
SOT-23
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
S
G
D
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
带盘
管
记号
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2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-366.c
UT3N06
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 4.5V ，T
A
= 25℃） （注2 ）
漏电流脉冲（注3,4）
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
评级
60
±20
3.0
单位
V
V
A
10
A
SOT-23
0.35
W
功率耗散（T
A
= 25°C)
P
D
TO-252
1.13
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。铜垫。
3.脉冲宽度限制T
J（下最大）
4.脉冲宽度
≤300μs,
值班cycle≤2 ％ 。
热数据
参数
结到环境
SOT-23
TO-252
符号
θ
JA
等级
350
110
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
符号
BV
DSS
Δ
BV
DSS
Δ
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=60V,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
1.0
民
60
0.05
10
±100
3.0
90
120
490
55
40
6
5
16
3
6
1.6
3
780
典型最大单位
V
V /°C的
A
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
DS
=25V,V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间（注）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=1A,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
R
D
=30, R
G
=3.3
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注）
Q
G
门源电荷
Q
GS
V
GS
=4.5V, V
DS
= 48V ，我
D
=3A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注）
V
SD
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
反向恢复时间
t
rr
I
S
=3A,V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注：脉冲宽度
≤300μs,
值班cycle≤2 ％ 。
42
58
10
1.2
25
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UT3N06
测试波形
初步
功率MOSFET
V
G
4.5V
Q
G
Q
GS
Q
GD
收费
开关时间波形
栅极电荷波形
Q
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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