UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3443
初步
功率MOSFET
P- 2.5 CHANNEL -V （G -S ）
MOSFET
描述
在UTC
UT3443
是用P沟道功率MOSFET UTC的
先进的沟槽技术，为客户提供最低
通态电阻和极值低栅极电荷与12V栅极
投资评级。
特点
* V
DS （ V）
= -20V
* I
D
=-4.5A
*R
DS （ ON）
< 100mΩ的@V
GS
= -2.5V,
R
DS （ ON）
< 65mΩ @V
GS
= -4.5V
符号
S (4)
G (3)
D (1, 2, 5, 6)
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3443L-AG6-R
UT3443G-AG6-R
注：引脚分配： G：门D：漏极
包
SOT-26
S：源
引脚分配
1, 2, 5, 6
3
4
D
G
S
填料
带盘
记号
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2011 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-557.a
UT3443
引脚配置
初步
功率MOSFET
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QW-R502-557.a
UT3443
参数
初步
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
评级
单位
漏源电压
-20
V
栅源电压
±12
V
连续
T
A
=25°C
-4.5
I
D
T
J
= 150℃ （注2）
A
漏电流
T
A
=70°C
-3.6
-20
脉冲
I
DM
功率耗散（注2 ）
T
A
=25°C
P
D
1.1
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热特性
参数
结到环境（注1 ）
注： 1.表面安装在FR4板， t≤5秒
符号
θ
JA
评级
110
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
开关特性
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
（注2 ）
前锋
反向
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
= 0V ，T
C
=70°C
V
GS
=+12V, V
DS
=0V
V
GS
=-12V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -2.7V ，我
D
=-3.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3.7A
-0.6
民
典型值
最大单位
-1
-5
+100
-100
-1.4
0.050 0.065
0.070 0.090
0.080 0.100
7.3
2.0
1.9
3
15
32
50
45
-0.8
35
15
A
nA
nA
V
切换参数
（注3）
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A
门源费
Q
GS
栅漏电荷
Q
GD
栅极电阻
R
g
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= -10V ，我
D
≈-1.0A,
V
根
= -4.5V ，R
L
=10, R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
（注2 ）
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= -1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
注： 2.脉冲测试;脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%.
3.设计保证，不受生产测试。
15
50
60
100
80
-1.2
80
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
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QW-R502-557.a
UT3443
初步
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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