UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3418
N沟道增强
模式场效应
晶体管
描述
该
UT3418
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
＆ LT ;
60m
@V
GS
= 10 V
*
R
DS （ ON）
＆ LT ;
70m
@V
GS
= 4.5 V
*
R
DS （ ON）
＆ LT ;
155m
@V
GS
= 2.5 V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3418L-AE3-R
UT3418G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
34U
L：无铅
G：无卤
1第3
QW-R502-226.D
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2009 Unisonic技术有限公司
UT3418
绝对最大额定值
(T
a
= 25° С ，除非另有规定）
参数
漏源电压
符号
V
DSS
功率MOSFET
评级
30
单位
V
栅源电压
V
GSS
±12
V
连续漏电流
I
D
3.8
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
15
A
功耗
P
D
1.4
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
100
最大
125
单位
° C / W
电气特性
(T
a
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=3.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1A
V
DS
=5V, V
GS
=4.5V
民
30
0.001
1
100
1.8
60
70
155
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
m
m
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
ns
nC
1
1.4
43
52
101
通态漏电流
I
D（上）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
=15V,R
L
=3.9,
V
GS
= 10V ，R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
=4.5V,
门源电荷
Q
GS
I
D
=3.8A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
I
S
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
15
226
39
29
2.6
3.2
14.5
2.1
3
1.4
0.55
0.81
10.2
3.8
270
4
5
22
3
3.6
1
2.5
13
5
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QW-R502-226.D
UT3418
典型特征
漏极电流与漏源
击穿电压
功率MOSFET
300
250
200
150
100
50
0
300
250
200
150
100
50
0
0
漏电流与
栅极阈值电压
0
10
20
30
40
50
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
漏极 - 源极导通状态
阻力特性
0.2
0.8 1.0 1.2
0.4 0.6
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏电流与
源极到漏极电压
5
4
1.2
1.0
V
GS
=10V
3
V
GS
=4.5V
2
0.8
0.6
0.4
1
V
GS
=2.5V
0
0
0.2
0
50
100
150
200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压，V
SD
(V)
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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