UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3416
初步
功率MOSFET
N沟道增强
模式场效应
晶体管
描述
在UTC
UT3416
是先进的n沟道增强
MOSFET ，可为设计人员提供了最佳组合
优秀的研发中
DS （ ON）
，低栅极电荷和低栅极电压低
作为1.8V.When它被用作负载开关或PWM应用，所述
世界标准时间
UT3416
可以被认为是一种理想的。
特点
* V
DS
=20 V
* I
D
=6.5 A
* R
DS （ ON）
<22
m
@V
GS
= 4.5 V
*
R
DS （ ON）
<26
m
@V
GS
= 2.5 V
*
R
DS （ ON）
<34
m
@V
GS
= 1.8 V
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3416L-AE3-R
UT3416G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
34S
L：无铅
G：无卤
1第3
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2009 Unisonic技术有限公司
UT3416
参数
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
20
V
栅源电压
V
GSS
±8
V
连续漏电流（ TA = 25 ° C）
I
D
6.5
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
30
A
功耗（ TA = 25 ° C） （注3 ）
P
D
1.4
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜焊盘
热数据
参数
结到环境（注）
注：表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
符号
θ
JA
民
典型值
85
最大
125
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
GS
=0V, V
DS
=16V
V
GS
=±4.5V, V
DS
=0V
V
GS
= ±8V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
民
20
1
±1
±10
0.4
30
0.6
18
21
26
1160
187
146
1.5
16
0.8
3.8
6.2
12.7
51.7
16
0.76
1
2.5
17.7
6.7
1
22
26
34
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
V
GS
=0V , V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,I
D
=6.5A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
GS
=5V, V
DS
=10V
开启上升时间
t
R
R
L
=1.5, R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续
I
S
当前
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
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初步
功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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