UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3413
p沟道增强
模式
描述
在UTC
UT3413
是P沟道增强型功率
MOSFET ，设计了高密度的细胞，具有开关速度快，
低导通电阻，优异的热和电性能和
操作与低栅极电压。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3413L-AE2-R
UT3413G-AE2-R
UT3413L-AE3-R
UT3413G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
34P
L：无铅
G：无卤
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-159.E
UT3413
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
等级
单位
漏源电压
V
DSS
-20
V
栅源电压
V
GSS
±8
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
-3
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
-15
A
功耗
P
D
1.4
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
70
最大
90
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
DS
=-16V, V
GS
=0 V
V
DS
=0V, V
GS
= ±8 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
=-3 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
=-2.6 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
=-1A
民
-20
-1
±100
-0.3
-0.55
81
108
146
540
72
49
10
12
44
22
6.1
0.6
1.6
-0.78
-1
-2
21
7.5
-1
97
130
190
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-10 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=-4.5V,V
DS
=-10V,
R
L
=3.3, R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=-10V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管正向
V
SD
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
Voltage(Note2)
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= -3 A ， di / dt的= 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注：1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
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QW-R502-159.E
UT3413
典型特征
15
-8V
漏电流， -I
D
(A)
10
-2.0V
5
V
GS
=-1.5V
在区域特征
-4.5V
漏电流， -I
D
(A)
-3.0V
-2.5V
6
功率MOSFET
传输特性
V
DS
=-5V
4
2
125℃
25℃
0
0
1
2
3
4
漏源极电压， -V
DS
(V)
5
0
0
0.5
1
1.5
门源电压， -V
GS
(V)
2
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反向漏电流， -I
S
(A)
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
归一化的导通电阻
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
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典型特征（续）
功率MOSFET
门源电压， -V
GS
(V)
漏电流， -I
D
(A)
电容（pF）
10
归一化的最大瞬态热阻抗
D =吨
ON
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=90℃/W
1
按降序排列
D = 0.5,0.3,0.1,0.05,0.02,0.01 ，单脉冲
归一化瞬态热
电阻，Z
θ
JA
功率（W）的
0.1
P
DM
T
ON
T
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1000
0.01
0.00001
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UT3413
功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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