UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT3409
p沟道增强
模式场效应
晶体管
描述
在UTC
UT3409
采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。此装置适用于使用
作为负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
<130mΩ @V
GS
= -10V
* R
DS ( ON)
& LT ;
200m
@V
GS
= -4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3409L-AE2-R
UT3409G-AE2-R
UT3409L-AE3-R
UT3409G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
34J
L:无铅
G:无卤
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-244.D
UT3409
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流(注3 )
I
D
-2.6
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
-20
A
功耗
P
D
1.4
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J(下最大)
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
热数据
参数
结到环境(注3 )
符号
θ
JA
民
典型值
最大
90
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
静态参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
10V
4.5V
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
测试条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=-250μA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-2.6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2A
民
-30
-1
±100
-1
-5
-1.9
97
166
302
50.3
37.8
6.8
2.4
1.6
0.95
7.5
3.2
17
6.8
-0.82
16.8
10
-3
130
200
370
典型值
最大单位
V
μA
nA
V
A
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
ns
nC
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-2.6A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V,
开启上升时间
t
R
R
L
=5.8, R
根
=3
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= -1A ,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
I
S
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= -2.6A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
I
F
= -2.6A ,的di / dt = 100A / μs的
-1
-2
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QW-R502-244.D
UT3409
典型特征
功率MOSFET
漏极电流与栅极阈值电压
300
300
漏电流与
漏源击穿电压
250
250
200
200
150
150
100
100
50
0
0
500
1000
1500
2000
50
0
0
10
20
30
40
栅极阈值电压,V
TH
(毫伏)
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
漏电流,我
D
(A)
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功率MOSFET
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