UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3404
N沟道增强
模式MOSFET
描述
该
UT3404
是N沟道增强型功率MOSFET ，
设计采用高密度的细胞，具有快速开关速度，低
导通电阻，优异的热和电性能和
操作与低栅极电压。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3404L-AE3-R
UT3404G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
34D
L：无铅
G：无卤
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2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-146.D
UT3404
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
5.8
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
20
A
功耗
P
D
1.4
W
℃
结温
T
J
+150
℃
强烈的温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
85
最大
125
单位
℃
/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
民
30
1
±100
1
20
22.5
34.5
680
102
77
4.6
3.8
20.9
5
13.88
1.8
3.12
0.76
28
43
820
1.9
3
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
A
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
ns
nC
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
= 15V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，R
G
=3,
R
D
=2.7
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=5.8A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
=1A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= 5.8A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘。
6.5
5.7
30
7.5
17
1
2.5
16.1
7.4
21
10
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2 5
QW-R502-146.D
UT3404
典型特征
在区域特征
30
25
漏电流，我
D
(A)
20
15
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
漏源极电压，V
DS
(V)
5
V
GS
=3V
10V
6V
5V
4.5V
漏电流，我
D
(A)
4V
20
V
DS
=5V
16
12
8
4
0
0
功率MOSFET
传输特性
125℃
25℃
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
门源电压，V
GS
(V)
4.5
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
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反向漏电流，I
S
(A)
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
归一化的导通电阻
3 5
QW-R502-146.D
UT3404
典型特征（续）
10
门源电压，V
GS
(V)
8
6
4
2
0
0
2
6
4
8
10
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
12
14
栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=5.8A
电容（pF）
功率MOSFET
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
电容特性
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
20
25
10
15
5
漏源极电压，V
DS
(V)
单脉冲功率额定值Junction-
到环境
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
30
100
最大正向偏置安全工作
区域
10μs
R
DS （ ON）
有限
100μs
1ms
10ms
0.1s
40
漏电流，我
D
(A)
30
功率（W）的
100
10
20
1
T
J（下最大）
=150℃
T
A
=25℃
1
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
0
10
0.001 0.01
1
0.1
10
脉冲宽度（S ）
100
1000
漏源极电压，V
DS
(V)
归一化瞬态热
电阻，Z
θ
JA
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4 5
QW-R502-146.D
UT3404
功率MOSFET
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