UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3403
-2.6安培， 30伏特
P沟道功率MOSFET
描述
在UTC
UT3403
是P沟道增强型功率
MOSFET ，设计了高密度的细胞，具有开关速度快，
低导通电阻，优异的热和电性能和
操作与低栅极电压。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3403L-AE2-R
UT3403G-AE2-R
UT3403L-AE3-R
UT3403G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
34C
L：无铅
G：无卤
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-145.D
UT3403
绝对最大额定值
(T
A
= 25° С ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
等级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
± 12
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
-2.6
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
-20
A
功率耗散（注3 ）
P
D
1.4
W
结温
T
J
+150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
100
最大
125
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
民
-30
-1
±100
-0.6
-1
102
128
187
409
55
42
5.3
4.4
31.5
8
4.4
0.8
1.32
-0.85
-1.4
130
180
260
500
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V
R
L
=6, R
G
=3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-15V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-2.5A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=-1A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= -2.5A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注：1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
8
9
45
16
5.3
-1
-2
15.8
8
19
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QW-R502-145.D
UT3403
典型特征
功率MOSFET
漏电流， -I
D
(A)
250
导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=-2.5V
漏电流， -I
D
(A)
600
500
电容（pF）
电容特性
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
200
C
国际空间站
400
300
200
100
0
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
漏源极电压， -V
DS
(V)
30
150
V
GS
=-4.5V
100
V
GS
=-10V
50
0
1
2
3
4
5
6
漏电流， -I
D
(A)
300
250
200
导通电阻与栅源电压
I
D
=-2A
反向漏电流， -I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
体二极管的性能
漏极至源极开 -
电阻R
DS （ ON）
(mΩ)
125℃
125℃
150
100
50
0
0
2
4
6
8
门源电压， -V
GS
(V)
10
25℃
25℃
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
体二极管正向电压， -V
SD
(V)
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QW-R502-145.D
UT3403
典型特征（续）
功率MOSFET
门源电压， -V
GS
(V)
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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功率（W）的
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