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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT3401
p沟道增强
模式
描述
在UTC
UT3401
是P沟道增强型功率
MOSFET ,设计了高密度的细胞,具有开关速度快,
低导通电阻,优异的热和电性能和
操作与低栅极电压。
这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3401L-AE3-R
UT3401G-AE3-R
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
34A
L:无铅
G:无卤
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-109.E
UT3401
绝对最大额定值
( TA = 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
漏源电压
符号
V
DSS
功率MOSFET
评级
-30
单位
V
栅源电压
V
GSS
±12
V
连续漏电流(注1 )
I
D
-4.2
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
-30
A
功率耗散(注1 )
P
D
1.4
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
典型值
65
最大
90
单位
° C / W
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻(注2 )
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
= -10V ,我
D
=-4.2A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
-30
-1
±100
-0.7
-1
42
53
80
954
115
77
6.3
3.2
38.2
12
9.4
2
3
-0.75
-1
-2.2
20.2
11.2
-1.3
50
65
120
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间(注2 )
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V
R
L
=3.6, R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷(注2 )
Q
G
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ,我
D
=-4A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压(注2 )
V
SD
V
DS
= 0V时,我
S
=-1A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= -4A ,的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注:1,脉冲宽度限制T
J(下最大)
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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2 5
QW-R502-109.E
UT3401
典型特征
功率MOSFET
连续漏电流,I
D
(A)
连续漏电流,I
D
(A)
120
100
80
60
40
导通电阻与
漏电流和栅极电压
导通电阻与
结温
1.8
1.6
I
D
= -3.5A ,V
GS
=-10V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
1.4
1.2
1
V
GS
=-2.5V
I
D
=-1A
V
GS
= 10V
20
0.00
0.8
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
0
25
50
75
100
125
150 175
漏电流,我
D
(A)
温度(℃)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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3 5
QW-R502-109.E
UT3401
典型特征(续)
功率MOSFET
栅源电压, -V
GS
(V)
连续漏电流, -I
D
(A)
电容(pF)
10
归一化瞬态热
电阻,Z
θ
JA
归一化的最大瞬态热
阻抗
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01,
单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
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功率(W)的
4 5
QW-R502-109.E
UT3401
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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5
QW-R502-109.E
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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UTC
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SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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十年芯路!只有原装!优势MOS场效应管
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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SOT23
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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UT3401G-AE3-R
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