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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT3055
12A ， 25V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
UT3055
是N沟道逻辑电平增强
模式的场效应晶体管。
功率MOSFET
1
TO-252
符号
2.Drain
1
TO-251
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT3055-TM3-T
UT3055L-TM3-T
UT3055-TN3-R
UT3055L-TN3-R
UT3055-TN3-T
UT3055L-TN3-T
包
TO-251
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
带盘
管
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 2
QW-R502-158.Ba
UT3055
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
25
V
栅源电压
V
GSS
±16
V
连续漏电流
I
D
12
A
功耗
P
D
50
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62
2.5
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=16 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
民
25
10
±100
1.1
70
95
240
97
68
3.2
0.8
1.0
5
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
V
A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=4.5V
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
F
=I
S
, V
GS
=0V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 2
QW-R502-158.Ba
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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