标准产品
UT28F256抗辐射32K ×8 PROM
数据表
2002年12月
特点
q
可编程，只读，异步，辐射
硬化， 32K ×8的内存
- 支持业界标准编程
q
为45nS和40ns的最大地址访问时间（ -55
o
C到
+125
o
C)
q
TTL兼容输入和TTL / CMOS兼容输出
水平
q
三态数据总线
q
较低的工作和待机电流
- 操作： 125毫安最大@ 25MHz的
降额： 3毫安/ MHz的
- 待机： 2毫安最大（后RAD ）
q
辐射加固工艺和设计;总剂量
辐射测试MIL- STD- 883 ，方法1019
-
-
-
总剂量： 1E6 RAD （SI ）
LET
TH
（0.25） 100兆电子伏 - 厘米
2
/毫克
SEL免疫>128兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 饱和截面厘米
2
每比特， 1.0E- 11
- 1.2E - 8错误/设备日，亚当斯90 ％的地球同步
重离子
-
存储单元的LET阈值： >128兆电子伏特厘米
2
/毫克
q
QML Q & V标准的一部分
- 交直流试验在工厂
q
封装选项：
- 28引脚50密耳中心扁平封装（ 0.490 X 0.74 ）
- 28引脚100密耳中心DIP （ 0.600 ×1.4 ） - 联系工厂
q
V
DD
： 5.0伏
+
10%
q
标准微电路图纸5962-96891
产品说明
该UT28F256非晶硅反熔丝PROM是一种高
性能，异步，辐射硬化型
32K ×8的可编程存储器。该UT28F256 PROM
拥有全台异步操作，无需外部时钟
或定时选通。先进的抗辐射双阱
CMOS工艺技术被用于实现UT28F256 。
辐射硬度，较快的访问时间，以及低的组合
功耗使UT28F256非常适合高速
系统在辐射环境设计的。
A(14:0)
解码器
内存
ARRAY
检测放大器
CE
PE
OE
程序设计
控制
逻辑
DQ （ 7 ： 0 ）
图1. PROM框图
1
设备操作
该UT28F256有三个控制输入：芯片使能（ CE ） ，
编程使能（ PE ）和输出使能（ OE ） ; 15地址
输入， A（ 14 ： 0 ） ;和8双向数据线， DQ （7 ：0）。 CE
是该装置的使能输入，用于控制芯片选择，激活，并
待机模式。 AssertingCE导致我
DD
升到其活性值
和解码15地址输入选择的32,768 1
词语的存储器。 PE控制程序和读取操作。
在读周期，参考必须置为使能输出。
引脚配置
引脚名称
A(14:0)
CE
OE
PE
DQ （ 7 ： 0 ）
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
数据输入/输出的数据
表1.设备操作真值表
1
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
DD
PE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
注意事项：
1. “X”被定义为“不关心”状态。
2.设备激活;输出禁用。
OE
X
0
1
1
PE
1
1
0
1
CE
1
0
0
0
I / O模式
三态
数据输出
DATA IN
三态
模式
待机
读
节目
读
2
绝对最大额定值
1
（参考V
SS
)
符号
V
DD
V
I / O
T
英镑
P
D
T
J
Θ
JC
I
I
参数
直流电源电压
任何引脚电压
储存温度
最大功率耗散
最高结温
热阻，结到外壳
2
DC输入电流
范围
-0.3 7.0
-0.5至（Ⅴ
DD
+ 0.5)
-65到+150
1.5
+175
3.3
单位
V
V
°C
W
°C
° C / W
mA
±
10
注意事项：
1 。列出的绝对最大额定值之外的强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个压力只有评级，以及功能操作
不建议器件在这些或超出本规范的业务部门所标明的限制任何其他条件。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2 。每MIL -STD- 883 ，方法1012 ，无限大的散热器测试。
2
推荐工作条件
符号
V
DD
T
C
V
IN
参数
正电源电压
外壳温度范围
直流输入电压
范围
4.5 5.5
-55到+125
0到V
DD
单位
V
°C
V
DC电气特性（前/后辐射） *
(V
DD
= 5.0V
±
10％ ; -55°C <牛逼
C
＆ LT ; + 125°C ）
符号
V
IH
V
IL
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
C
IN 1
C
IO 1,4
I
IN
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
低电平输出电压
高电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
（ TTL）的
（ TTL）的
I
OL
= 4.0毫安，V
DD
= 4.5V （ TTL）的
I
OL
= 200μA ，V
DD
= 4.5V （ CMOS）的
I
OH
= -200μA ，V
DD
= 4.5V （ CMOS）的
I
OH
= -2.0mA ，V
DD
= 4.5V （ TTL）的
= 1MHz时， V
DD
= 5.0V
V
IN
= 0V
= 1MHz时， V
DD
= 5.0V
V
OUT
= 0V
输入漏电流
三态输出漏
当前
V
IN
= 0V至V
DD
V
O
= 0V至V
DD
V
DD
= 5.5V
OE = 5.5V
V
DD
= 5.5V, V
O
= V
DD
V
DD
= 5.5V, V
O
= 0V
TTL输入电平（I
OUT
= 0), V
IL
=
0.2V
V
DD
， PE = 5.5V
CMOS输入电平V
IL
= V
SS
+0.25V
CE = V
DD
- 0.25 V
IH
= V
DD
- 0.25V
-5
-10
5
10
A
A
V
DD
-0.1
2.4
15
条件
最低
2.4
0.8
0.4
V
SS
+ 0.10
最大
单位
V
V
V
V
V
V
pF
双向I / O容量
15
pF
I
OS 2,3
I
DD1
（ OP ）
5
输出短路电流
90
-90
mA
mA
电源电流工作
@ 25.0MHz （ 40ns的产品）
@ 22.2MHz （为45nS产品）
电源电流待机
125
117
2
mA
mA
mA
I
DD2
（SB）
后RAD
注意事项：
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019的1E6 RAD （SI ） 25 ℃。
1.测量仅在初步认证，并经过工艺或设计变更，可能会影响输入/输出电容。
2.提供的设计极限，但不能保证或测试。
3.不能有多于一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
4.功能测试。
5.减额在3.0毫安/ MHz的。
3
读周期
PE的组合比V更大
IH
（ min），而CE小于
V
IL
（最大值）定义一个读周期。读访问时间的测量
从设备的后启用，输出使能，或有效地址
到有效数据输出。
地址访问读取是通过地址输入的变化引发
而芯片使能OE断言和PE无效。
有效数据出现在数据输出，DQ （7 ：0），在指定后
t
AVQV
是满意的。输出保持活跃整个
周期。只要设备使能和输出使能有效时，该
地址输入可能会发生变化的速度等于最小读
周期时间。
交流特性读周期（后辐射） *
(V
DD
= 5.0V
±
10％ ; -55°C <牛逼
C
＆ LT ; + 125°C ）
符号
t
AVAV 1
t
AVQV
t
AXQX 2
t
GLQX 2
t
GLQV
t
GHQZ
t
ELQX2
t
ELQV
t
EHQZ
参数
读周期时间
读取时间
输出保持时间
OE控制的输出使能时间
OE控制访问时间
OE控制输出三态时间
CE控制的输出使能时间
CE-控制访问时间
CE-控制输出三态时间
芯片使能控制的访问是由行政长官会主动发起
而OE保持有效， PE仍然拉高，而
地址保持稳定为整个循环。指定后
t
ELQV
纳，八位字由一个地址（ 14 ： 0 ）
出现在数据输出端DQ （7 ：0）。
输出使能控制的访问是通过OE会主动发起
而CE是断言， PE为无效，而地址
稳定。读访问时间为t
GLQV
除非吨
AVQV
或T
ELQV
有
没有得到满足。
28F256-45
民
最大
45
45
0
0
15
15
0
45
15
28F256-40
民
最大
40
40
0
0
15
15
0
40
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
*后辐射性能保证在25
°C
每MIL -STD- 883方法1019的1E6拉德（SI ） 。
1.功能测试。
2.三态被定义为从稳态输出电压的400mV的变化。
4
t
AVAV
A(14:0)
CE
t
ELQX
t
ELQV
OE
t
GLQV
DQ （ 7 ： 0 ）
t
GLQX
t
AVQV
t
AXQX
t
GHQZ
t
AVQV
t
EHQZ
图2 PROM读周期
抗辐射
该UT28F256 PROM采用特殊的设计和布局
功能允许在高强度辐射的操作
环境。 UTMC已经开发了特殊的低温
处理技术旨在提高总剂量
栅氧化物和场氧化物，而两者的辐射硬度
抗辐射设计规范
1
总剂量
闭锁阈值LET
存储单元的LET阈值
瞬时翻转LET阈值
瞬时翻转装置断面@ LET = 128兆电子伏特厘米
2
/毫克
保持电路密度和可靠性。对于瞬态
抗辐射和闭锁免疫力， UTMC生成所有
在使用外延晶片的抗辐射加固的制品
先进的双桶CMOS工艺。此外， UTMC自付
在特别注意电源和接地分布
设计阶段，最大限度地减少剂量率打乱铁路塌陷引起的。
1E6
>128
>128
54
1E-6
Rad公司（SI ）
兆电子伏特厘米
2
/毫克
兆电子伏特厘米
2
/毫克
兆电子伏特厘米
2
/毫克
cm
2
注意：
1 。该PROM不会闭锁推荐工作条件下的辐射暴露过程中。
5
QQ：2880707522 复制
