UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT2340
p沟道增强
模式
描述
在UTC
UT2340
是P沟道增强型功率
MOSFET设计在密集的行列快速开关速度,低
导通电阻和良好的稳定性。
用于商业和工业表面贴装应用
和适合于低电压应用,如DC / DC转换器。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2340L-AE3-R
UT2340G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
BC0
L:无铅
G:无卤
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2009 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-162.C
UT2340
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-20
V
栅源电压
V
GSS
±8
V
连续漏电流(注3 )
I
D
-2
A
漏电流脉冲(注1,2 )
I
DM
-10
A
总功耗
P
D
0.46
W
结温
T
J
+150
°C
强烈的温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境(注3 )
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
250
75
最大
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
漏极 - 源极导通电阻(注2 )
R
DS ( ON)
测试条件
最小值典型值
最大单位
V
-1
A
±100 nA的
毫伏/ ℃
-1.5
70
110
210
V
m
m
m
pF
pF
pF
12
18
50
42
11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
V
GS
= 0 V,I
D
=-250 A
-20
V
DS
=-16V, V
GS
=0 V
V
GS
= ±8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= -250μA ,引用至25℃
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2A
V
GS
= -2.5 V,I
D
=-1.7A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-1.2A
-0.4
-15
-0.9
52
78
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间(注2 )
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DD
=-5V,I
D
=-0.5A,V
GS
=-4.5V,
R
根
=6
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷(注2 )
Q
G
V
DS
=-10V, V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压(注2 )
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= -0.42A (注)
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
注意事项: 1,脉冲宽度限制T
J(下最大)
2.脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。
600
175
80
6
9
31
26
8
1.3
2.2
-0.7
-1.2
-0.42
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漏电流, -I
D
(A)
归漏源开 -
电阻R
DS ( ON)
漏源电流, -I
D
(A)
典型特征
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导通电阻,R
DS ( ON)
(欧姆)
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归漏源开 -
电阻R
DS ( ON)
反向漏电流, -I
S
(A)
功率MOSFET
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UT2340
标准化的有效瞬态
热电阻, R(T )
漏电流, -I
D
(A)
栅源电压, -V
GS
(V)
典型特征(续)
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功率(W)的
电容(pF)
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功率MOSFET
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功率MOSFET
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