UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT2327
P沟道
增强型
描述
在UTC
UT2327L
是P沟道增强模式
功率MOSFET ，设计了密集的行列。快速
开关速度，低导通电阻，良好的稳定性。
用于商业和工业表面贴装
应用和适合于低电压的应用，如
DC / DC转换器。
功率MOSFET
3
2
1
SOT-23
符号
2.Drain
1.Gate
*无铅电镀产品编号： UT2327L
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UT2327-AE3-R
UT2327L-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
UT2327L-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
23A
铅电镀
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2007 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-108,A
UT2327
绝对最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有规定编）
参数
符号
V
DS
V
GS
功率MOSFET
等级
单位
漏源电压
- 20
V
栅源电压
± 12
V
Ta=25
℃
-2.6
A
连续漏电流（注3 ）
I
D
Ta=70
℃
-2.1
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
-10
A
总功率耗散（ TA = 25
℃
)
1.38
W
P
D
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
最大
90
单位
℃
/W
电气特性
(T
J
=25
℃
除非另有规定编）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
T
J
=25
℃
T
J
=70
℃
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V
参考25
℃
, I
D
=-1mA
民
-20
-1
-10
±100
-0.1
典型值
最大单位
V
uA
uA
nA
V/
℃
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/T
J
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
-0.5
V
GS
= -5V ，我
D
=-2.8A
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
R
DS （ ON）
V
GS
= -2.8V ，我
D
=-2.0A
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= -6V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
开启上升时间
t
R
I
D
= -1A ，R
G
=6, R
D
=15
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=-6V, V
GS
= -5V ，我
D
=-2.8A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
T
J
=25
℃
, I
S
= -1.6A ，V
GS
=0V
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
最大连续漏源二极管
I
S
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流（注1 ）
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
2
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 270
℃
/安装在分当W 。
130
190
4.4
295
170
65
5.2
9.7
19
29
5.2
1.36
0.6
10
-1.2
-1
-10
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QW-R502-108,A
UT2327
典型特征
图1.典型的输出特性
5
T
A
= 25℃
4
漏电流，我
D
(A)
功率MOSFET
图2.典型的输出特性
5
T
A
= 150℃ V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
V
GS
= -3V
3
2
1
0
V
GS
= -2V
V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
V
GS
= -3V
漏电流，我
D
(A)
4
3
2
1
0
V
GS
= -2V
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
漏极至源极电压，V
DS
(V)
图3.导通电阻与栅极电压
800
1.8
1.6
归一化
DS （ ON）
漏极至源极电压，V
DS
(V)
图4.归一导通电阻
I
D
= -2.8A
V
GS
= -5V
600
R
DS （ ON）
()
I
D
= -2A
T
A
=25℃
1.4
1.2
1
0.8
400
200
0
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
图5.正向特性
反向二极管
结温度T
j
(℃)
,
图6.栅极阈值电压与
结温
10
1.5
1
T
J
=150℃
0
T
J
=25℃
栅极阈值电压，V
GS （ TH）
(V)
1.3
连续源电流，I
S
(A)
1.0
0.5
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
源极到漏极电压V
SD
(V)
,
0.0
-50
0
50
100
结温，T
J
(℃)
150
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典型特征（续）
图7.栅极电荷特性
5
1000
I
D
= -2.8A
V
DS
= -6V
功率MOSFET
图8.典型的电容特性
f=1.0MHz
C
国际空间站
门源电压，V
GS
(V)
4
3
2
1
0
C
OSS
C（ pF）的
100
C
RSS
0
2
4
总栅极电荷，Q
G
（ NC ）
6
0
1
3
5
7
9
11
漏极至源极电压，V
DS
(V)
13
图9.最高安全工作区
归热响应（ θJA ）
100
1
图10.有效的瞬态热
阻抗
10
1ms
10ms
0.1
T
A
=25°C
单脉冲
1
10
100ms
1s
DC
100
0.1
I
D
(A)
1
0.01
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
J
= P
DM
x
θJA
+钽
θJA
= 270
℃/W
0.01
0.1
0.001
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100 1000
漏极至源极电压，V
DS
(V)
图11.开关时间波形
V
DS
90%
脉冲宽度， T（ S）
图12.栅极电荷波形
V
G
Q
G
-5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
收费
Q
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功率MOSFET
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
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