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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT2316
N沟道
增强型
描述
在UTC
UT2316L
是N沟道增强模式
功率MOSFET ,设计了密集的行列快速转换
速度,低导通电阻,良好的稳定性。
用于商业和工业表面贴装
应用和适合于低电压的应用,如
DC / DC转换器。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
*无铅电镀产品编号: UT2316L
1.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UT2316-AE3-R
UT2316L-AE3-R
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2007 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-126.A
UT2316
绝对最大额定值
( TA = 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
功率MOSFET
符号
等级
单位
漏源电压
V
DS
30
V
栅源电压
V
GS
±20
V
连续漏电流(注3 )
I
D
3.6
A
漏电流脉冲(注1,2 )
I
DM
16
A
总功耗( TA = 25 ℃ )
P
D
0.96
W
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境(注3 )
符号
θ
JA
典型值
最大
175
单位
/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
通态漏电流
漏极 - 源极导通电阻(注2 )
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
DS
= 4.5V, V
GS
= 10V
V
DS
= 4.5V, V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V ,我
D
=3.4A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.6A
30
1
±100
0.8
6
4
42
68
215
90
55
9
9
14
6
4.3
0.65
1.2
0.88
0.8
15
15
20
12
7
50
85
典型值
最大单位
V
A
nA
V
A
A
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V,V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ,我
D
≒1A,
开启上升时间
t
R
R
G
=6, R
L
=15
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ,我
D
=3.6A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压(注2 )
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
=0.8A
最大连续漏源二极管
I
S
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
正向电流
注意事项: 1,脉冲宽度限制T
J(下最大)
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
1.2
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R502-126.A
UT2316
典型特征
典型的输出特性
16
14
漏电流,我
D
(A)
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
2V
10
3V
4V
V
GS
= 10直通5V
16
14
漏电流,我
D
(A)
12
10
8
6
4
2
0
0
1
功率MOSFET
传输特性
T
C
=125℃
25℃
-55℃
2
3
4
5
漏极至源极电压,V
DS
(V)
栅极 - 源极电压,V
DS
(V)
0.5
导通电阻与漏电流
350
300
电容
导通电阻,R
DS ( ON)
(Ω)
0.4
电容C (PF )
250
C
国际空间站
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
漏电流,我
D
(A)
20
25
10
15
漏到电流电压,V
DS
(V)
5
30
C
OSS
C
RSS
0.3
0.2
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
0.0
0.1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R502-126.A
UT2316
典型特征(续)
功率MOSFET
归瞬态热阻抗
2
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态热阻抗
1
0.2
0.1
P
DM
0.1
0.05
t
1
t
2
1.Duty周期D = T1 / T2
2.Per单位
基础= R
th
JA=80℃/W
3.T
JM
-TA = P
DM
Z
thJA
4.表面安装
100
600
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-1
1
10
10
-2
方波脉冲持续时间(秒)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
导通电阻,R
DS ( ON)
(Ω)
源电流,我
S
(A)
4 4
QW-R502-126.A
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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