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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT2309
p沟道增强
模式
描述
UT2309
是P沟道功率MOSFET ,设计出具有高
具有快速的开关速度密度细胞,超低导通电阻和
优异的热和电性能。
用于商业和工业表面贴装应用和
适用于低电压应用,如DC / DC转换器。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2309L-AE3-R
UT2309G-AE3-R
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
23H
L:无铅
G:无卤
www.unisonic.com.tw
版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-148.E
UT2309
绝对最大额定值
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流(注3 )
I
D
-3.7
A
漏电流脉冲(注1,2 )
I
DM
-12
A
总功耗
P
D
1.38
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境(注3 )
符号
θ
JA
评级
90
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
击穿电压温度系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻(注2 )
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
=-250 A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V, V
DS
=0V
参考至25℃ ,我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.6A
最小典型最大单位
-30
-0.5
5
-0.02
-1
-3
75
120
412
91
62
8
5
20
7
5
1
3
660
V
uA
nA
V /°C的
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
GS
=0V,V
DS
=-25V,f=1.0MHz
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间(注2 )
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DS
=-15V,I
D
=-1A,R
G
=3.3,
V
GS
=-10V,R
D
=15
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷(注2 )
Q
G
V
DS
=-24V, V
GS
=-4.5V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-3A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
正向电压上
V
SD
I
S
= -1A ,V
GS
=0V
反向恢复时间
t
RR
I
S
= -3A ,V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/μs
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项: 1,脉冲宽度限制T
J(下最大)
2.脉冲宽度
≤300us
,占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘。
8
-0.76 -1.2
20
15
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R502-148.E
UT2309
典型特征
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
6
2
4
8
漏极至源极电压, -V
DS
(V)
10
-5.0V
-4.5V
V
GS
=-3.0V
典型的输出特性
T
A
=25°С
-10V
-7.0V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
功率MOSFET
典型的输出特性
T
A
=150°С
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
GS
=-3.0V
2
4
8
6
漏极至源极电压, -V
DS
(V)
10
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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3 4
QW-R502-148.E
UT2309
典型特征(续)
100
连续漏电流, -I
D
(A)
最大安全工作区
归热响应( θ
JA
)
1
功率MOSFET
有效的瞬态热阻抗
占空比系数= 0.5
0.2
10
1ms
0.1
0.1
0.05
0.01
P
DM
t
1
10ms
0.1
T
A
=25
单脉冲
100ms
1s
DC
1
10
漏极至源极电压, -V
DS
(V)
开关时间电路
V
DS
90%
100
0.01
单脉冲
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
J
=P
DM
/R
thJA
+T
A
R
thJA
=270°С/W
0.01
0.1
0.001
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
脉冲宽度, T( S)
100 1000
V
GS
门充电电路
Q
G
-4.5V
Q
GS
10%
V
GS
t
D(上)
t
R
t
D(关闭)
t
F
收费
Q
Q
GD
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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4 4
QW-R502-148.E
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    联系人:杨小姐
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    -
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NA
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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HAMOS/汉姆
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