UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT2308
初步
功率MOSFET
N沟道
增强型
描述
在UTC
UT2308
是N沟道功率MOSFET ,设计
用高密度的细胞,具有快速的开关速度,超低
导通电阻和优异的热性能和电性能。
用于商业和工业表面贴装
应用和适合于低电压的应用,如
DC / DC转换器。
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2308L-AE3-R
UT2308G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
23G
L:无铅
G:无卤
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2010 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-128.d
UT2308
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
20
V
栅源电压
V
GSS
±10
V
连续漏电流
I
D
2.7
A
功耗
P
D
1.25
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
符号
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通状态
R
DS ( ON)
电阻(注2 )
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
总栅极电荷
Q
G
门源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
注: 1 。脉冲宽度限制T
J(下最大)
2.脉冲宽度≦ 300μS ,占空比≦ 2 % 。
3.表面安装在FR4板
t≤5
美国证券交易委员会。
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
=250 A
V
DS
=20 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±10V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
=1A
V
GS
= 2.5 V,I
D
=1A
民
20
1.0
±100
0.4
0.8
1.0
80
110
典型最大单位
V
A
nA
V
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
215
65
45
3.8
0.7
0.9
V
GS
=4.5V
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初步
功率MOSFET
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