UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT2305A
p沟道增强
模式
描述
在UTC
UT2305A
是P沟道增强型功率
MOSFET设计在密集的行列。具有快速开关速度，低
导通电阻，良好的稳定性。
用于商业和工业表面贴装应用
和适合于低电压应用，如DC / DC转换器。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2305AL-AE3-R
UT2305AG-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
B3E
L：无铅
G：无卤
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2009 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-192.C
UT2305A
绝对最大额定值
参数
功率MOSFET
符号
等级
单位
漏源电压
V
DSS
- 30
V
栅源电压
V
GSS
± 12
V
连续漏电流（注3 ） （ TA = 25 ° C）
I
D
-4.2
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
-10
A
总功耗（大= 25℃）
P
D
1.38
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
最大
90
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
R
DS （ ON）
测试条件
民
典型值
最大单位
V
μA
nA
V /°C的
V
m
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-1.2
27.7
22
V
ns
nC
V
GS
= 0V时，我
D
=-250μA
-30
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
= -10V ，我
D
=-3.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.0A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
-0.5
-1
±100
-0.1
-1.2
60
80
150
250
740
167
126
5.9
3.6
32.4
2.6
10.6
2.32
3.68
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
开启上升时间
t
R
I
D
= -4.2A ，R
G
=6, R
D
=3.6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=-16V, V
GS
=-4.5V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-4.2A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=-1.2A
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时，我
S
=-4.2A,
dI/dt=100A/μs
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300μs,
值班cycle≤2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。
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QW-R502-192.C
UT2305A
典型特征
功率MOSFET
漏电流， -I
D
(A)
门源电压， -V
GS
(V)
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C（ pF）的
漏电流， -I
D
(A)
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QW-R502-192.C
UT2305A
典型特征（续）
功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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