UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT2304
N沟道
增强型
描述
该
UT2304
是N沟道功率MOSFET ，可以实现
尽可能低的导通电阻，极和成本效益
设备采用先进的沟槽技术。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2304L-AE2-R
UT2304G-AE2-R
UT2304L-AE3-R
UT2304G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
23D
L：无铅
G：无卤
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-150.D
UT2304
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
等级
单位
漏源电压
V
DS
30
V
栅源电压
V
GS
±20
V
连续漏电流（注3 ）
I
D
2.5
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
10
A
功耗
P
D
1.4
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
最大
90
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
民
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
30
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=30V,V
GS
=0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
1
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
R
DS （ ON）
（注2 ）
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=1A,
开启上升时间
t
R
R
G
=3.3, R
D
=15
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=24V, V
GS
=4.5V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=2.5A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源极 - 漏极二极管额定值和特性
正向电压上（注2 ）
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=1.2A
反向恢复时间（注2 ）
t
RR
I
S
= 2A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/μs
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
典型值
最大单位
V
μA
nA
V /°C的
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
1
±100
0.1
3
117
190
120
62
24
5
9
11
2
3
0.8
1.8
190
5
1.2
24
23
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-150.D
UT2304
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
()
漏电流，我
D
(A)
10.00
连续源电流，I
S
(A)
反向二极管的正向特性
栅极阈值电压，V
GS （ TH）
(V)
2.05
栅极阈值电压与结
温度
1.85
1.00
T
J
=150℃
T
J
=25℃
1.65
0.10
1.45
0.01
0.1
0.5
0.9
1.3
源极到漏极电压，V
SD
(V)
1.25
-50
0
50
100
150
结温，T
J
(℃)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-150.D
UT2304
典型特征（续）
栅极电荷特性
12
门源电压，V
GS
(V)
I
D
=2.5A
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
总栅极电荷，Q
G
（ NC ）
6
10
1
电容（pF）
V
DS
=25V
V
DS
=20V
V
DS
=15V
1000
功率MOSFET
典型电容特性
f=1.0MH
Z
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
25
5
13
17
21
9
漏极至源极电压，V
DS
(V)
29
最大安全工作区
归热响应（R
thJA
)
100
1
有效的瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
漏电流，我
D
(A)
10
1ms
10ms
0.1
T
A
=25°C
单脉冲
100ms
1s
DC
100
0.1
0.1
0.05
0.01
1
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
J
= P
DM
个R
thJA
+ T
A
R
thJA
= 270℃/W
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
漏极至源极电压，V
DS
(V)
0.001
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度， T（ S）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R502-150.D
UT2304
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R502-150.D
QQ：2881677436 复制
