UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT2302
N沟道
增强型
功率MOSFET
描述
在UT2302是N沟道功率MOSFET ，设计
高密度电池，。具有快速的开关速度，超低
导通电阻，优异的热和电性能。
用于商业和工业表面贴装应用
和适合于低电压应用，如直流/直流
转换器。
符号
3.Drain
*无铅电镀产品编号： UT2302L
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UT2302-AE3-R
UT2302L-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2007 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-114.A
UT2302
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
20
V
栅源电压
±8
V
连续漏电流
2.4
A
漏电流脉冲
10
A
Ta=25°C
1.25
W
功耗
P
D
Ta=70°C
0.8
W
℃
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
最大
100
单位
℃
/W
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=20 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=3.6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
=3.1 A
V
DS
≥
5V, V
GS
=4.5 V
最小值典型值
20
1.0
±100
0.45
50
75
6
450
70
43
7
55
16
10
5.2
0.65
1.5
0.76
15
80
60
25
10
65
95
最大
单位
V
A
nA
V
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
在国家漏极电流（注2 ）
I
D（上）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=10 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 10V ，R = 10
,
I
D
=1A,
开启上升时间
t
R
V
根
= 4.5V ，R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
=3.6 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
=1.0 A
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
注： 1 。脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装在FR4板
t≦5
美国证券交易委员会。
1.2
1.6
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 5
QW-R502-114.A
UT2302
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
导通电阻，R
DS （ ON）
(
Ω
)
电容C （PF ）
漏电流，我
D
(A)
栅极电荷特性
上Resiistance ，R
DS （ ON）
（归一化）
5
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
总栅极电荷QG （ NC）
V
DS
= 2.5V
I
D
= 3.6A
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
导通电阻与结温
V
DS
= 4.5V
I
D
= 3.6A
0
50
100
150
结温，T
J
(℃)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-114.A
UT2302
典型特征（续）
功率MOSFET
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
归瞬态热阻抗，
结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100 600
方波脉冲持续时间（秒）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
导通电阻，R
DS （ ON）
(
Ω
)
源电流，我
S
(A)
4 5
QW-R502-114.A
UT2302
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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5
QW-R502-114.A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT2302
N沟道
增强型
描述
在UTC
UT2302
是N沟道功率MOSFET ，设计
高密度的细胞，具有快速的开关速度，超低导通电阻，
和优异的热性能和电性能。
用于商业和工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如DC / DC转换器。
功率MOSFET
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT2302L-AE2-R
UT2302G-AE2-R
UT2302L-AE3-R
UT2302G-AE3-R
包
SOT-23-3
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
S
G
D
填料
带盘
带盘
记号
23B
L：无铅
G：无卤
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-114.G
UT2302
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
20
V
栅源电压
V
GSS
±8
V
连续
I
D
2.4
A
漏电流（注1 ）
脉冲
I
DM
10
A
功耗
P
D
1.25
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
最大
100
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=20 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=7.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
=3.1 A
V
DS
≥
5V, V
GS
=4.5 V
民
20
1.0
±100
0.45
75
6
450
70
43
7
55
16
10
5.2
0.65
1.5
0.76
15
80
60
25
10
50
95
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
m
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
在国家漏极电流（注2 ）
I
D（上）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=10 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 10V ，R = 10
,
I
D
=1A,
开启上升时间
t
R
V
根
= 4.5V ，R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=10V, V
GS
= 4.5 V，I
D
=3.6 A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
=1.0 A
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
注： 1 。重复评价：脉冲宽度限制T
J
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
1.2
1.6
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-114.G
UT2302
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
(A)
导通电阻，R
DS （ ON）
()
电容C （PF ）
漏电流，我
D
(A)
栅极电荷特性
上Resiistance ，R
DS （ ON）
（归一化）
5
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
总栅极电荷QG （ NC）
V
DS
= 2.5V
I
D
= 3.6A
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
导通电阻与结温
V
DS
= 4.5V
I
D
= 3.6A
0
50
100
150
结温，T
J
(°C)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-114.G
UT2302
典型特征（续）
功率MOSFET
归瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
导通电阻，R
DS （ ON）
()
源电流，我
S
(A)
4 5
QW-R502-114.G
UT2302
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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5
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