UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT100N03
100A ， 30V N通道
功率MOSFET
描述
该
UT100N03
采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作
低栅极电压。此装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
功率MOSFET
1
TO-220
1
TO-251
特点
* R
DS （ ON）
= 5.3mΩ@V
GS
=10 V
* R
DS （ ON）
= 8.0mΩ@V
GS
=4.5 V
符号
2.Drain
1
TO-263
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT100N03L-TA3-T
UT100N03G-TA3-T
UT100N03L-TM3-T
UT100N03G-TM3-T
UT100N03L-TQ2-R
UT100N03G-TQ2-R
UT100N03L-TQ2-T
UT100N03G-TQ2-T
包
TO-220
TO-251
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
带盘
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-193.D
UT100N03
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
100
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
400
A
单脉冲雪崩电流（注3 ）
I
AS
35
A
单脉冲雪崩能量（注3 ）
E
AS
875
mJ
TO-220/TO-263
100
功耗
W
TO-251
50
P
D
TO-220/TO-263
0.67
减免上述25 °
W/℃
0.4
TO-251
结温
T
J
+175
℃
强烈的温度
T
英镑
-55 ~ +175
℃
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的最高结温
3， L = 0.5mH ，我
AS
= 35A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25℃.
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220/TO-263
TO-251
TO-220/TO-263
TO-251
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
110
1.5
2.5
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=30 V,V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 10 V，I
D
=50 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=40 A
最小典型最大单位
30
1
±100
1
3.05
4.2
9500
800
300
50
20.8
19
25.7
10
128
34
65
nC
50
20
200
70
1.5
90
3
5.3
8
V
A
nA
V
m
动态参数（注3 ）
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数（注3 ）
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 5V ，我
D
=16A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，R
根
=6
V
GS
=10 V
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 20 A，V
GS
=0 V
漏源二极管的正向电流
I
S
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
2.设计保证，不受生产测试。
pF
ns
V
A
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UT100N03
测试电路和波形
功率MOSFET
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UT100N03
典型特征
输出特性
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
漏源极电压，V
DS
(V)
V
GS
=3V
V
GS
=10,8,6,4V
漏电流，我
D
(A)
50
40
30
20
10
T
J
=125℃
0
4
0
功率MOSFET
传输特性
漏电流，我
D
(A)
25℃
-55℃
5
1
3
4
2
门源电压，V
GS
(V)
门源电压，V
GS
(V)
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电容C （PF ）
归一门极 - 源
电压，V
TH
归一化导通电阻，
R
DS （ ON）
（欧姆）
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UT100N03
典型特征（续）
功率MOSFET
源极 - 漏极电流，I
S
(A)
归热瞬态Impedanc曲线
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
漏电流，我
D
(A)
P
DM
t
1
t
2
1.R
θ
JC
（吨） = R （t）的R *
θ
JC
2.R
θ
JC
=请查阅技术资料
3.T
JM
-T
C
√P * R
θ
JC
(t)
4.Duty周期，D = T
1
/t
2
10
0
10
1
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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