UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT06P03
P沟道
增强型
描述
该
UT06P03
是P沟道功率MOSFET ，设计
与快速开关速度高密度电池，超低
导通电阻，优异的热和电性能。
1
功率MOSFET
符号
2.Drain
SOT-89
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
UT06P03G-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-156.B
UT06P03
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-30
V
栅源电压
V
GSS
±20
连续漏电流
I
D
-4
A
漏电流脉冲（注1,2 ）
I
DM
-20
总功耗
P
D
0.78
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
最大
160
18
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
最小值典型值
-30
1
±100
-0.9
-1.5
60
37
530
135
70
5.7
10
18
5
10
2.2
2
-3
75
45
最大
单位
V
A
nA
V
m
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
GS
=-10V,V
DS
=-15V,R
G
=6,
开启上升时间
t
R
I
D
=-1A
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=0.5BV
DSS
, V
GS
=-10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
=-4A
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源极 - 漏极二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
F
= -1A ，V
GS
= 0V
最大体二极管连续电流
I
S
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流（注1 ）
反向恢复时间
t
RR
I
F
= -4 A ，二
F
/dt=100A/μs
恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘。
pF
ns
14
nC
-1.2
-2.1
-4
15.5
7.9
V
A
ns
nC
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2 5
QW-R502-156.B
UT06P03
漏电流， -I
D
(A)
漏电流， -I
D
(A)
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
典型特征
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导通电阻，R
DS （ ON）
(Ω)
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
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反向漏电流， -I
S
(A)
功率MOSFET
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QW-R502-156.B
UT06P03
典型特征（续）
功率MOSFET
栅源电压， -V
GS
(V)
漏电流， -I
D
(A)
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
瞬态热响应曲线
功率（W）的
电容（pF）
P（ PK）
t
1
t
2
R
θ
JA
（吨） = R（T） ×R
θ
J
A
R
θ
JA
=160℃/W
T
J
-T
A
= P ×R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
时间t
1
（女士）
10
100
1000
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UT06P03
功率MOSFET
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