SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
东芝双向晶闸管硅平面型
SM8G48,USM8G48,SM8J48,USM8J48
SM8G48A,USM8G48A,SM8J48A,USM8J48A
AC电源控制应用
l
重复峰值断态电压
l
R.M.S通态电流
l
门极触发电流
: I
GT
= 30毫安最大。
: I
GT
= 20mA的最大。 （ “A”型）
单位：mm
SM8G48 ， SM8J48 ， SM8G48A ， SM8J48A
USM8G48 ， USM8J48 ， USM8G48A ， USM8J48A
: V
DRM
= 400, 600V
: I
T（ RMS ）
= 8A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-10J1A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-10J2A
重量：1.7g
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压
(U)SM8G48
(U)SM8G48A
(U)SM8J48
(U)SM8J48A
符号
等级
400
V
DRM
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
2
单位
V
8
80 （ 50赫兹）
88 （ 60赫兹）
32
50
5
0.5
10
2
40~125
40~125
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
A
°C
°C
2
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
注1 ： V
DRM
= 0.5 ×额定
I
TM
≤
12A
t
gw
≥
10
s
t
gr
≤
250ns
i
gp
= I
GT
×2.0
1
2001-07-10
SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流
I
门极触发电压
II
III
IV
I
(U)SM8G48
(U)SM8J48
门极触发
当前
(U)SM8G48A
(U)SM8J48A
II
III
IV
I
II
III
IV
峰值通态电压
GATE非触发电压
保持电流
热阻
临界速度
关国家的崛起
电压
临界速度
关国家的崛起
电压
换相
(U)SM8G48
(U)SM8J48
(U)SM8G48A
(U)SM8J48A
(U)SM8G48
(U)SM8J48
(U)SM8G48A
(U)SM8J48A
V
TM
V
GD
I
H
R
日（J -C ）
I
TM
= 12A
V
D
=额定， TC = 125°C
V
D
= 12V，我
TM
= 1A
结到外壳， AC
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C
指数上升
I
GT
V
D
= 12V
R
L
= 20
V
GT
V
D
= 12V
R
L
= 20
符号
I
DRM
测试条件
V
DRM
=额定
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
10
4
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
300
200
―
―
最大
20
1.5
1.5
1.5
―
30
30
30
―
20
20
20
―
1.5
―
50
2.8
―
V / μs的
―
―
V / μs的
―
V
V
mA
C / W
mA
V
单位
A
dv / dt的
（ dv / dt的）C
V
DRM
= 400V ，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C =
4.5A
/女士
记号
数
*1
*2
符号
SM8G48 ， SM8G48A ， USM8G48 ， USM8G48A
TYPE
SM8J48 ， SM8J48A ， USM8J48 ， USM8J48A
SM8G48A ， SM8J48A ， USM8G48A ， USM8J48A
例子
*3
8A ： 1998年1月
8B ：1998 Febrary
8L ： 1998年12月
标志
M8G48
M8J48
A
2
2001-07-10
SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
3
2001-07-10
SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
4
2001-07-10
SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2001-07-10
SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
东芝双向晶闸管硅平面型
SM8G48,USM8G48,SM8J48,USM8J48
SM8G48A,USM8G48A,SM8J48A,USM8J48A
AC电源控制应用
l
重复峰值断态电压
l
R.M.S通态电流
l
门极触发电流
: I
GT
= 30毫安最大。
: I
GT
= 20mA的最大。 （ “A”型）
单位：mm
SM8G48 ， SM8J48 ， SM8G48A ， SM8J48A
USM8G48 ， USM8J48 ， USM8G48A ， USM8J48A
: V
DRM
= 400, 600V
: I
T（ RMS ）
= 8A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-10J1A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-10J2A
重量：1.7g
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压
(U)SM8G48
(U)SM8G48A
(U)SM8J48
(U)SM8J48A
符号
等级
400
V
DRM
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
2
单位
V
8
80 （ 50赫兹）
88 （ 60赫兹）
32
50
5
0.5
10
2
40~125
40~125
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
A
°C
°C
2
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
注1 ： V
DRM
= 0.5 ×额定
I
TM
≤
12A
t
gw
≥
10
s
t
gr
≤
250ns
i
gp
= I
GT
×2.0
1
2001-07-10
SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流
I
门极触发电压
II
III
IV
I
(U)SM8G48
(U)SM8J48
门极触发
当前
(U)SM8G48A
(U)SM8J48A
II
III
IV
I
II
III
IV
峰值通态电压
GATE非触发电压
保持电流
热阻
临界速度
关国家的崛起
电压
临界速度
关国家的崛起
电压
换相
(U)SM8G48
(U)SM8J48
(U)SM8G48A
(U)SM8J48A
(U)SM8G48
(U)SM8J48
(U)SM8G48A
(U)SM8J48A
V
TM
V
GD
I
H
R
日（J -C ）
I
TM
= 12A
V
D
=额定， TC = 125°C
V
D
= 12V，我
TM
= 1A
结到外壳， AC
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C
指数上升
I
GT
V
D
= 12V
R
L
= 20
V
GT
V
D
= 12V
R
L
= 20
符号
I
DRM
测试条件
V
DRM
=额定
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
10
4
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
300
200
―
―
最大
20
1.5
1.5
1.5
―
30
30
30
―
20
20
20
―
1.5
―
50
2.8
―
V / μs的
―
―
V / μs的
―
V
V
mA
C / W
mA
V
单位
A
dv / dt的
（ dv / dt的）C
V
DRM
= 400V ，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C =
4.5A
/女士
记号
数
*1
*2
符号
SM8G48 ， SM8G48A ， USM8G48 ， USM8G48A
TYPE
SM8J48 ， SM8J48A ， USM8J48 ， USM8J48A
SM8G48A ， SM8J48A ， USM8G48A ， USM8J48A
例子
*3
8A ： 1998年1月
8B ：1998 Febrary
8L ： 1998年12月
标志
M8G48
M8J48
A
2
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SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
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SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
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SM8(G,J)48,USM8(G,J)48,SM8(G,J)48A,USM8(G,J)48A
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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