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半导体
技术参数
开关型电源应用。
B
A
USFB13
肖特基型二极管
G
H
特点
薄型表面贴装封装。
低功耗,高效率。
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用。
F
E
2
1
阴极标记
C
E D
C
应用
开关电源。
逆转电池连接保护。
DC / DC变换器。
J
I
暗淡
A
B
C
D
E
MILLIMETERS
_
1.9 + 0.1
_
2.5 + 0.1
_
0.61 + 0.05
_
0.8 + 0.1
_
0.91 + 0.05
_
1.2 + 0.1
_
1.3 + 0.1
_
0.46 + 0.1
_
0.11 + 0.05
_
0.6 + 0.1
1.阳极
蜂窝电话。
F
G
H
I
J
2.阴极
最大额定值( TA = 25
特征
)
符号
V
RRM
I
O
I
FSM
P
D
*
T
j
T
英镑
等级
30
1
5
667
-40 125
-40 125
单位
V
A
A
mW
USF
最大重复峰值反向电压
平均输出整流电流
峰值一个周期正向电流浪涌
(不重复60赫兹)
功耗
结温
存储温度范围
记号
型号名称
LOT号
*安装在玻璃环氧树脂板(焊接土地:6毫米6毫米)
A3
阴极标记
电气特性( TA = 25 )
特征
峰值正向电压
反向重复峰值电流
I
RRM (2)
结电容
C
j
V
RRM
=30V
V
R
= 10V , F = 1.0MHz的
-
-
40
30
200
-
A
pF
符号
V
FM
I
RRM (1)
测试条件
I
FM
=1.0A
V
RRM
=5V
分钟。
-
-
典型值。
0.43
15
马克斯。
0.47
40
单位
V
A
2005. 12. 1
版本号: 0
1/2
USFB13
I
F
- V
F
正向电流
I
F
(A)
结电容C
J
(PF )
1000
Ta=150
Ta=125
Ta=75
C
J
1000
-
V
R
f=1MHz
TA = 25℃
100
Ta=25
100
10
1
0
100
200
300
400
500
10
1
10
20
30
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
正向电流浪涌
(非 - 重复)
峰值正向电流浪涌
I
FSM
(A)
20
TA = 25℃
Ta
最大
- I
F( AV )
最大允许环境
温度Ta
最大
( C)
125
0A
I
O
V
R
t
T
D = T / T
V
R
=15V
T
j
=125 C
8.3ms
8.3ms
100
75
50
25
仙( = 180 )
0V
1cyc.
10
D=1/2
DC
0
1
10
周期数
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
平均正向电流I
F( AV )
(A)
2005. 12. 1
版本号: 0
2/2
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    -
    -
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