SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
东芝晶闸管硅平面型
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
中功率控制中的应用
·
·
·
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400, 600 V
重复峰值反向电压： V
RRM
= 400, 600 V
通态平均电流：I
T（ AV ）
= 5 A
门极触发电流：I
GT
= 70 μA（最大值）
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值断态
电压和重复
峰值反向电压
(R
GK
=
330
W)
非重复性峰值
反向电压
（不重复
＆ LT ;
5毫秒，
T
j
=
0~125°C,
R
GK
=
330
W)
平均通态电流
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态电流
（不重复）
I
2
吨限值
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
SF5G49
USF5G49
SF5J49
USF5J49
SF5G49
USF5G49
SF5J49
USF5J49
符号
等级
400
V
600
500
V
RSM
720
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
5
7.8
65 （ 50赫兹）
20
0.5
0.05
5
-5
200
-40~125
-40~125
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
mA
°C
°C
V
单位
V
DRM
V
RRM
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-7F1A
重量：0.58克（典型值）。
注意事项：应与栅极电阻的用法如下：
阳极
门
R
GK
＆ LT ;
330
W
=
阴极
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-F2A
重量：0.45克（典型值）。
1
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
电气特性
（大
=
25°C)
特征
重复峰值断态电流
和反向电流重复峰值
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
热阻（结到管壳）
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
=
V
RRM
=
评级
R
GK
=
330
W
I
TM
=
12 A
V
D
=
6 V ，R
L
=
100
W
R
GK
=
330
W
V
D
=
评级
2/3 ，TC
=
125°C
V
DRM
=
评级
2/3 ，TC
=
75°C
R
GK
=
330
W,
指数上升
R
L
=
100
W,
R
GK
=
330
W
DC
民
3
0.2
典型值。
50
2.5
最大
20
1.6
0.8
70
6.0
单位
mA
V
V
mA
V
V / ms的
mA
° C / W
记号
※1
※2
※1
标志
批号
F5G49
F5J49
型号名称
SF5G49 ， USF5G49
SF5J49 ， USF5J49
※2
一个月（从字母A启动）
年（当年的最后一个小数位）
瞬态热阻抗
（结点到外壳）
瞬态热阻抗
r
日（J -C ）
（ ° C / W）
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
时间t （S ）
2
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
浪涌通态电流
（不重复）
80
i
T
– v
T
100
(A)
瞬时通态电流I
T
I
TSM
(A)
额定负荷
60
60赫兹
40
峰值浪涌通态电流
10
50
1
Tj
=
125°C
25°C
20
0.1
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
0
1
10
100
瞬时导通电压
v
T
(V)
的周期数，在50赫兹和60赫兹
I
GT
（锝） /我
GT
（ TC
=
25 ° C） - 锝
10
VD
=
6 V
（典型值）。
2.0
V
GT
（ Tc）的音频/视频
GT
（ TC
=
25 ° C） - 锝
VD
=
6 V
（典型值）。
RL
=
100
W
RL
=
100
W
V
GT
（ Tc）的音频/视频
GT
（ TC
=
25°C)
RGK
=
330
W
I
GT
（锝） /我
GT
（ TC
=
25°C)
1.5
RGK
=
330
W
1
1.0
0.5
0.1
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
壳温度
(°C)
壳温度
(°C)
I
H
（锝） /我
H
（ TC
=
25 ° C） - 锝
2.0
（典型值）。
VD
=
6 V
ITM
=
1 A
RGK
=
330
W
I
H
（锝） /我
H
（ TC
=
25°C)
1.5
I
H
– R
GK
10
1.0
（典型值）。
ITM
=
1 A
保持电流
I
H
（MA ）
Ta
=
25°C
1
0.5
0
-60
-20
20
60
100
140
0.1
0.01
0.1
1
10
100
壳温度
(°C)
门阴极电阻
R
GK
（ kW）的
3
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
P
T（ AV ）
– I
T（ AV ）
10
半正弦波
140
TC最大 - 我
T（ AV ）
半正弦波
最大允许外壳温度
TC MAX（ ° C）
通态平均功耗
P
T（ AV ）
(W)
8
0°
6
a =
30°
4
a
180°
90°
60°
120°
导通角
180°
120
100
80
60
40
20
0
0
0°
a
180°
导通角
2
a =
30°
60°
90°
120°
180°
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
P
T（ AV ）
– I
T（ AV ）
16
140
14
12
360°
10
8
6
4
2
0
0
a =
60°
0° 180°
a1
a2
360°
180°
120°
完整的正弦波形
240°
TC最大 - 我
T（ AV ）
完整的正弦波形
最大允许外壳温度
TC MAX（ ° C）
通态平均功耗
P
T（ AV ）
(W)
120
0° 180°
100
80
60
40
20
0
0
360°
a1
a2
导通角
a = a1 + a2
导通角
a = a1 + a2
2
4
6
8
10
a =
60°
2
120° 180°
240°
360°
4
6
8
10
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
P
T（ AV ）
– I
T（ AV ）
16
方波
140
14
12
10
8
90°
6
a =
30°
4
2
0
0
60°
0°
a
360°
DC
TC最大 - 我
T（ AV ）
方波
最大允许外壳温度
TC MAX（ ° C）
通态平均功耗
P
T（ AV ）
(W)
120
100
80
60
40
20
0
0
60°
a =
30°
2
90°
120°
180°
DC
0°
a
360°
导通角
180°
120°
导通角
2
4
6
8
10
4
6
8
10
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
4
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
10
4
dv / dt的 - C
GK
（典型值）。
10
4
dv / dt的 - C
GK
（典型值）。
10
3
RGK
=
100
W
10
3
RGK
=
100
W
断态电压临界上升率
的dv / dt （V / MS ）
10
2
330
W
断态电压临界上升率
的dv / dt （V / MS ）
10
2
330
W
10
1
1 KW
10
1
1 KW
0
3.3千瓦
VD
=
400 V
Ta
=
100°C
CGK
1
10
- -
3
10
RGK
10
-
2
10
-
1
10
0
10
0
3.3千瓦
10
VD
=
400 V
Ta
=
75°C
CGK
1
10
- -
3
10
RGK
10
-
2
10
-
1
10
0
门到阴极电容C
GK
（ MF）
门到阴极电容C
GK
（ MF）
V
BO
（ Tc）的音频/视频
BO
（ TC
=
25 ° C） - 锝
120
（典型值）。
(%)
100
RGK
=
100
W
V
BO
（ Tc）的音频/视频
BO
（ TC
=
25°C)
80
330
W
1 KW
60
3.3千瓦
40
10千瓦
20
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
壳温度
(°C)
5
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
东芝晶闸管硅平面型
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
中功率控制中的应用
·
·
·
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400, 600 V
重复峰值反向电压： V
RRM
= 400, 600 V
通态平均电流：I
T（ AV ）
= 5 A
门极触发电流：I
GT
= 70 μA（最大值）
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值断态
电压和重复
峰值反向电压
(R
GK
=
330
W)
非重复性峰值
反向电压
（不重复
＆ LT ;
5毫秒，
T
j
=
0~125°C,
R
GK
=
330
W)
平均通态电流
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态电流
（不重复）
I
2
吨限值
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
SF5G49
USF5G49
SF5J49
USF5J49
SF5G49
USF5G49
SF5J49
USF5J49
符号
等级
400
V
600
500
V
RSM
720
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
5
7.8
65 （ 50赫兹）
20
0.5
0.05
5
-5
200
-40~125
-40~125
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
mA
°C
°C
V
单位
V
DRM
V
RRM
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-7F1A
重量：0.58克（典型值）。
注意事项：应与栅极电阻的用法如下：
阳极
门
R
GK
＆ LT ;
330
W
=
阴极
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
13-F2A
重量：0.45克（典型值）。
1
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
电气特性
（大
=
25°C)
特征
重复峰值断态电流
和反向电流重复峰值
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
热阻（结到管壳）
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
=
V
RRM
=
评级
R
GK
=
330
W
I
TM
=
12 A
V
D
=
6 V ，R
L
=
100
W
R
GK
=
330
W
V
D
=
评级
2/3 ，TC
=
125°C
V
DRM
=
评级
2/3 ，TC
=
75°C
R
GK
=
330
W,
指数上升
R
L
=
100
W,
R
GK
=
330
W
DC
民
3
0.2
典型值。
50
2.5
最大
20
1.6
0.8
70
6.0
单位
mA
V
V
mA
V
V / ms的
mA
° C / W
记号
※1
※2
※1
标志
批号
F5G49
F5J49
型号名称
SF5G49 ， USF5G49
SF5J49 ， USF5J49
※2
一个月（从字母A启动）
年（当年的最后一个小数位）
瞬态热阻抗
（结点到外壳）
瞬态热阻抗
r
日（J -C ）
（ ° C / W）
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
时间t （S ）
2
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
浪涌通态电流
（不重复）
80
i
T
– v
T
100
(A)
瞬时通态电流I
T
I
TSM
(A)
额定负荷
60
60赫兹
40
峰值浪涌通态电流
10
50
1
Tj
=
125°C
25°C
20
0.1
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
0
1
10
100
瞬时导通电压
v
T
(V)
的周期数，在50赫兹和60赫兹
I
GT
（锝） /我
GT
（ TC
=
25 ° C） - 锝
10
VD
=
6 V
（典型值）。
2.0
V
GT
（ Tc）的音频/视频
GT
（ TC
=
25 ° C） - 锝
VD
=
6 V
（典型值）。
RL
=
100
W
RL
=
100
W
V
GT
（ Tc）的音频/视频
GT
（ TC
=
25°C)
RGK
=
330
W
I
GT
（锝） /我
GT
（ TC
=
25°C)
1.5
RGK
=
330
W
1
1.0
0.5
0.1
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
壳温度
(°C)
壳温度
(°C)
I
H
（锝） /我
H
（ TC
=
25 ° C） - 锝
2.0
（典型值）。
VD
=
6 V
ITM
=
1 A
RGK
=
330
W
I
H
（锝） /我
H
（ TC
=
25°C)
1.5
I
H
– R
GK
10
1.0
（典型值）。
ITM
=
1 A
保持电流
I
H
（MA ）
Ta
=
25°C
1
0.5
0
-60
-20
20
60
100
140
0.1
0.01
0.1
1
10
100
壳温度
(°C)
门阴极电阻
R
GK
（ kW）的
3
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
P
T（ AV ）
– I
T（ AV ）
10
半正弦波
140
TC最大 - 我
T（ AV ）
半正弦波
最大允许外壳温度
TC MAX（ ° C）
通态平均功耗
P
T（ AV ）
(W)
8
0°
6
a =
30°
4
a
180°
90°
60°
120°
导通角
180°
120
100
80
60
40
20
0
0
0°
a
180°
导通角
2
a =
30°
60°
90°
120°
180°
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
P
T（ AV ）
– I
T（ AV ）
16
140
14
12
360°
10
8
6
4
2
0
0
a =
60°
0° 180°
a1
a2
360°
180°
120°
完整的正弦波形
240°
TC最大 - 我
T（ AV ）
完整的正弦波形
最大允许外壳温度
TC MAX（ ° C）
通态平均功耗
P
T（ AV ）
(W)
120
0° 180°
100
80
60
40
20
0
0
360°
a1
a2
导通角
a = a1 + a2
导通角
a = a1 + a2
2
4
6
8
10
a =
60°
2
120° 180°
240°
360°
4
6
8
10
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
P
T（ AV ）
– I
T（ AV ）
16
方波
140
14
12
10
8
90°
6
a =
30°
4
2
0
0
60°
0°
a
360°
DC
TC最大 - 我
T（ AV ）
方波
最大允许外壳温度
TC MAX（ ° C）
通态平均功耗
P
T（ AV ）
(W)
120
100
80
60
40
20
0
0
60°
a =
30°
2
90°
120°
180°
DC
0°
a
360°
导通角
180°
120°
导通角
2
4
6
8
10
4
6
8
10
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
平均通态电流
I
T（ AV ）
(A)
4
2002-02-05
SF5G49,SF5J49,USF5G49,USF5J49
10
4
dv / dt的 - C
GK
（典型值）。
10
4
dv / dt的 - C
GK
（典型值）。
10
3
RGK
=
100
W
10
3
RGK
=
100
W
断态电压临界上升率
的dv / dt （V / MS ）
10
2
330
W
断态电压临界上升率
的dv / dt （V / MS ）
10
2
330
W
10
1
1 KW
10
1
1 KW
0
3.3千瓦
VD
=
400 V
Ta
=
100°C
CGK
1
10
- -
3
10
RGK
10
-
2
10
-
1
10
0
10
0
3.3千瓦
10
VD
=
400 V
Ta
=
75°C
CGK
1
10
- -
3
10
RGK
10
-
2
10
-
1
10
0
门到阴极电容C
GK
（ MF）
门到阴极电容C
GK
（ MF）
V
BO
（ Tc）的音频/视频
BO
（ TC
=
25 ° C） - 锝
120
（典型值）。
(%)
100
RGK
=
100
W
V
BO
（ Tc）的音频/视频
BO
（ TC
=
25°C)
80
330
W
1 KW
60
3.3千瓦
40
10千瓦
20
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
壳温度
(°C)
5
2002-02-05
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