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SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
东芝晶闸管硅平面型
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400,600V
l
反向重复峰值电压
l
平均通态电流
l
门极触发电流
SF10G48·SF10J48
: V
RRM
= 400,600V
: I
T（ AV ）
=
10A
: I
GT
=
10mA
马克斯。
单位：mm
USF10G48·USF10J48
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1310J1B
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1310J2B
重量：1.7g
记号
*1
标志
F10G48
F10J48
TYPE
名字
SF10G48 ， USF10G48
ASF10J48 ， USF10J48
*2
1
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
非重复性峰值
反向电压
（不重复<5ms ，
T
j
= 0~125°C)
SF10G48
USF10G48
SF10J48
USF10J48
SF10G48
USF10G48
SF10J48
USF10J48
符号
等级
400
V
600
500
V
RSM
720
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
单位
V
DRM
V
RRM
V
平均通态电流
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
10
16
160 （ 50赫兹）
176 （ 60赫兹）
125
100
5
0.5
10
5
2
40~125
40~125
A
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
A
°C
°C
2
注1 ： V
DRM
= 0.5 ×额定，我
TM
≤
30A ，T
gw
≥
为10μs ，T
gr
≤
为250ns ，我
gp
= I
GT
× 2.0
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
闭锁电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
的dV / dt
I
H
I
L
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 30A
V
D
= 6V ，R
L
= 10
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定， TC = 125°C
指数上升
V
D
= 6V ，我
TM
= 1A
V
D
= 6V ， F = 50Hz的
t
gw
= 50μS ，我
G
= 30毫安
结到外壳， DC
民
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
―
―
―
50
―
―
―
典型值。
―
最大
10
1.5
1.0
10
―
―
40
50
2.5
单位
A
V
V
mA
V
V / μs的
mA
mA
C / W
2
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
3
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
4
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
5
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
东芝晶闸管硅平面型
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400,600V
l
反向重复峰值电压
l
平均通态电流
l
门极触发电流
SF10G48·SF10J48
: V
RRM
= 400,600V
: I
T（ AV ）
=
10A
: I
GT
=
10mA
马克斯。
单位：mm
USF10G48·USF10J48
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1310J1B
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1310J2B
重量：1.7g
记号
*1
标志
F10G48
F10J48
TYPE
名字
SF10G48 ， USF10G48
ASF10J48 ， USF10J48
*2
1
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
非重复性峰值
反向电压
（不重复<5ms ，
T
j
= 0~125°C)
SF10G48
USF10G48
SF10J48
USF10J48
SF10G48
USF10G48
SF10J48
USF10J48
符号
等级
400
V
600
500
V
RSM
720
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
单位
V
DRM
V
RRM
V
平均通态电流
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
10
16
160 （ 50赫兹）
176 （ 60赫兹）
125
100
5
0.5
10
5
2
40~125
40~125
A
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
A
°C
°C
2
注1 ： V
DRM
= 0.5 ×额定，我
TM
≤
30A ，T
gw
≥
为10μs ，T
gr
≤
为250ns ，我
gp
= I
GT
× 2.0
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
闭锁电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
的dV / dt
I
H
I
L
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 30A
V
D
= 6V ，R
L
= 10
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定， TC = 125°C
指数上升
V
D
= 6V ，我
TM
= 1A
V
D
= 6V ， F = 50Hz的
t
gw
= 50μS ，我
G
= 30毫安
结到外壳， DC
民
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
―
―
―
50
―
―
―
典型值。
―
最大
10
1.5
1.0
10
―
―
40
50
2.5
单位
A
V
V
mA
V
V / μs的
mA
mA
C / W
2
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
3
2001-07-10
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4
2001-07-10
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48
5
2001-07-10
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UML11N
U30D40C
UPJ1V182MPD
UPX1C222MHD
ULN2004LTR
U2043B-MY
UPD431000AGZ-85LL
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型号
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封装
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    终端采购配单精选

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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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4000
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联系人：刘经理
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TOSHIBA
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TO-263
全新原装正品/质量有保证
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电话：19520735817/13148740183
联系人：米小姐，黄小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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