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USBULC1606-4M8
超低电容
为增强微型USB接口的ESD保护
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
二极管阵列拓扑结构
D + / D-和ID线路保护与6.8 V低
电压二极管（ LV ）
V
公共汽车
线路保护与14.6 V的高电压
二极管（ HV）的
超低电容为0.5pF的低电压
二极管
5 GHz的带宽的-3 dB
1.35毫米宽和0.5毫米高包
无铅封装
线对地之间的低电容
优化的数据完整性
低PCB空间消耗： 2.3平方毫米最大
FOOT PRINT
高带宽
低钳位电压
简单的布局
图1 。
微型QFN- 8L封装
CEA - 936 -A标准规范
符合下列标准
■
bs
O
应用
■
■
■
■
■
IEC 61000-4-2第4级
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
et
l
o
ro
P
e
uc
d
)-
(s
t
b
O
so
te
le
1
2
3
4
引脚配置（顶视图）
8
7
GND
6
5
ro
P
uc
d
s)
t(
描述
该USBULC1606-4M8是一个应用专用
专门用于ESD保护的分立器件
增强的Mini USB接口。
该设备是非常适合应用在两
减少印刷电路板空间和功耗
吸收能力是必需的。
凡瞬态过电压保护ESD
敏感设备是必需的，如：
电脑
打印机
通信系统
移动电话手机及配件
视频设备
2009年12月
文档ID 16864牧师1
1/15
www.st.com
15
特征
USBULC1606-4M8
1
表1中。
符号
特征
绝对最大额定值牛逼
AMB
= 25 °C
参数
静电放电IEC 61000-4-2 4级
接触放电高压二极管
接触放电二极管LV
空气全部排出销
价值
15
15
8
6.0
14.5
2.5
单位
V
PP
kV
V
Lvmax
在低电压引脚的直流电压
V
HVMAX
直流电压的高电压引脚（V
cc
针）
I
pp
P
pp
T
j
T
op
T
英镑
在高压引脚的峰值脉冲电流（ 8/20微秒） （V
cc
针）
在高压引脚的峰值脉冲功率耗散（ 8/20微秒） （V
cc
针）
(1)
T
初始
= T
AMB
结温
工作温度范围
存储温度范围
V
1.对于一个浪涌大于最大值时，二极管将在短路故障
表2中。
符号
V
F1 +
V
F1 -
I
RM1
Rd
1
电气特性T
AMB
= 25 ℃，另有规定
参数
LV二极管的反向电压 -
正电压
LV二极管的正向电压 -
负电压
低电压二极管的泄漏电流
O
bs
C
1
V
CL1
et
l
o
LV二极管的动态电阻
ro
P
e
uc
d
s)
t(
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
O
-
测试条件
s
b
te
le
o
r
P
d
o
uc
70
125
s)
t(
A
V
W
°C
°C
°C
-30 + 85
-55到+150
分钟。
6.8
-1.05
典型值。
马克斯。
9.2
-0.6
0.1
单位
V
V
A
Ω
V
IN
= 3.3 V, V
N
= 0 V
T
a
= -30 + 65℃
I
PP
= 1 ， TP = 8/20微秒
V
IN
= 0 V,
V
OSC
= 30毫伏
F = 1 MHz的
任何I / O引脚到V
N
V
IN
= 200 mV时，
V
OSC
- 200毫伏
F = 240 MHz的
任何I / O引脚到V
N
I
PP
= 1 A，T
p
= 8/20 s
积极的瞬间
负瞬态
I
PP
= 1 A，T
p
= 8/20 s
I
PP
= 2.5 A，T
p
= 8/20 s
I
F
= 10毫安
14.6
1.5
0.95
1.1
pF
低电压二极管输入
电容
0.5
0.55
低电压钳位二极管
电压
高压二极管钳位
电压
高压二极管的反向电压 -
正电压
10
-2.4
21
28
17.7
V
V
CL2
V
F2 +
V
V
2/15
文档ID 16864牧师1
USBULC1606-4M8
表2中。
符号
V
F2 -
I
RM2
Rd
2
C
2
特征
电气特性T
AMB
= 25 ℃，否则指定（续）
参数
高压二极管的正向电压 -
负电压
测试条件
I
F
= 10毫安
分钟。
-1.5
0.1
2.8
10
典型值。
马克斯。
-0.4
1.0
单位
V
A
Ω
pF
高电压二极管的漏电流V
IN
= 11 V ， DAP停飞
高压二极管的动态电阻
高压二极管输入
电容
I
PP
= 1 A，T
p
= 8/20 s
裸露焊盘接地，
V
IN
= 2.5 V ， F = 1兆赫
图2中。
在高速线路S21衰减测量
0
-0.5
V
IN
= 1.65V
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
-4.5
-5
-5.5
dB
V
IN
= 0V
bs
O
et
l
o
-6
ro
P
e
100k
100k
uc
d
1M
1M
s)
t(
O
-
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
F（赫）
10M
10M
F / Hz的
100M
100M
1G
1G
文档ID 16864牧师1
3/15
特征
网络连接gure 3 。
电气原理图
V
CC
引脚4
V
P
（内部）
USBULC1606-4M8
14.6V
6.8V
销1
CH1
销2
CH2
3脚
CH3
EP
5脚
GND
V
N
图4中。
典型用途
VCC
高速
数据线
表3中。
bs
O
et
l
o
针
1
2
3
4
5
6
7
8
EP
ro
P
e
CH1
CH2
CH3
VCC
VN
NC
NC
NC
GND
引脚配置典型应用
TYPE
I / O
I / O
I / O
描述
LV低电容ESD通道
LV低电容ESD通道
LV低电容ESD通道
uc
d
s)
t(
O
-
通道
so
b
te
le
EP *
ro
P
VN
uc
d
s)
t(
GND
*在背面裸露焊盘
包（连接到地）
名字
HV VDD高压ESD通道
负电压电源轨
裸露焊盘
4/15
文档ID 16864牧师1
USBULC1606-4M8
图5中。
特征
低电压二极管电容与反向电压（典型值）
C（ pF）的
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0
0.5
1
V
R
(V)
1.5
图6 。
低电压二极管电容与频率的关系（典型值）
1.000
0.900
0.800
0.700
0.600
0.500
0.400
0.300
C（ pF）的
bs
O
et
l
o
ro
P
e
0.200
0.100
0.000
uc
d
0
s)
t(
O
-
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
IO / GND
V
OSC
= 30毫伏
RMS
T
j
= 25 °C
频率（GHz ）
1
2
3
文档ID 16864牧师1
5/15
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