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USBLC6-2
极低电容ESD保护
特点
2数据线保护
保护V
公共汽车
非常低的电容: 3.5 pF的最大。
非常低的漏电流: 150 nA的最大。
SOT -666和SOT23-6L封装
符合RoHS
SOT23-6L
USBLC6-2SC6
SOT-666
USBLC6-2P6
好处
应用
行至GND之间非常低的电容
优化的数据完整性和速度
低PCB空间消耗: 2.9毫米
2
最大的
SOT -666和9mm最大的SOT23-6L
增强的ESD保护。 IEC 61000-4-2水平
4合规保证在设备级,
在系统级,因此更大的免疫力
V的ESD保护
公共汽车
的单片集成提供高可靠性
低漏电流的更长的运行
电池供电设备
快速响应时间
一致的D + / D-信号的平衡:
- 极低的电容容差匹配
I / O至GND = 0.015 pF的
- 符合USB 2.0的要求
USB 2.0端口,最高可达480 MB /秒(高速)
兼容于USB 1.1低速和全速
以太网端口: 10/100 Mb / s的
SIM卡保护
视频线路保护
便携式电子产品
描述
USBLC6-2SC6
USBLC6-2P6
单片专用设备专用
对ESD保护高速接口,如
作为USB 2.0 ,以太网链路和视频线。
在非常低的线路电容确保了高的电平
而不会影响信号完整性
保护敏感芯片针对最
严格的特点ESD冲击。
图1 。
工作原理图
I/O1
1
符合下列标准
IEC 61000-4-2第4级:
- 15千伏(空气放电)
- 8千伏(接触放电)
6
I/O1
GND
2
5
V
公共汽车
I/O2
3
4
I/O2
2008年3月
REV 3
1/14
www.st.com
14
特征
USBLC6-2
1
特征
表1中。
符号
绝对额定值
参数
IEC 61000-4-2空气放电
IEC 61000-4-2接触放电
MIL STD883G法3015-7
价值
15
15
25
-55到+150
-40到+125
260
单位
V
PP
T
英镑
T
j
T
L
峰值脉冲电压
存储温度范围
kV
°C
°C
°C
工作结温范围
无铅焊锡温度(10秒持续时间)
表2中。
符号
V
RM
I
RM
V
BR
V
F
电气特性(T
AMB
= 25 °C)
价值
参数
相反的立场-O FF电压
漏电流
V的击穿电压
公共汽车
和GND
正向电压
V
RM
= 5 V
I
R
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
PP
= 1 A, 8/20微秒
任何I / O引脚与GND
6
1.1
12
17
2.5
0.015
我之间的电容/ O
V
R
= 1.65 V
1.2
0.04
1.7
pF
3.5
pF
10
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
150
V
nA
V
V
V
V
单位
V
CL
钳位电压
I
PP
= 5 A, 8/20微秒
任何I / O引脚与GND
I / O和GND之间的电容
V
R
= 1.65 V
C
I / O- GND
ΔC
I / O- GND
C
I / O -I / O
ΔC
I / O -I / O
2/14
USBLC6-2
特征
图2中。
C( pF)的
3.0
电容 - 电压
(典型值)
网络连接gure 3 。
C( pF)的
2.8
2.6
线路电容与频率的关系
(典型值)
C
O
= I / O- GND
2.5
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
LINE
= 0V至3.3V
2.0
1.5
C
j
= I / O -I / O
1.2
1.0
0.8
0.6
1.0
0.5
0.4
数据线电压(V)的
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.2
0.0
1
10
F(兆赫)
100
1000
图4中。
泄漏的相对变化
电流与结
温度(典型值)的
图5中。
频率响应
I
RM
[T
j
] / I
RM
[T
j
=25°C]
100
V
公共汽车
=5V
0.00
S21(dB)
-5.00
-10.00
10
-15.00
T
j
(°C)
1
25
50
75
100
125
-20.00
100.0k
1.0M
F(赫)
10.0M
100.0M
1.0G
3/14
技术信息
USBLC6-2
2
2.1
技术信息
浪涌保护
该USBLC6-2特别优化的基础上,轨到轨进行突波保护
拓扑结构。
钳位电压V
CL
可以计算如下:
V
CL
+ = V
TRANSIL
+ V
F
积极激增
V
CL
- = - V
F
负浪涌
附: V
F
= V
T
+ R
d
.I
p
(V
F
正向压降电压) / (V
T
正向压降阈值电压)
和V
TRANSIL
= V
BR
+ R
d_TRANSIL
.I
P
计算示例
我们假设钳位二极管的动态电阻的值通常是:
R
d
= 0.5
Ω
和V
T
= 1.1 V
我们假设TRANSIL二极管的动态电阻的值通常是:
R
d_TRANSIL
= 0.5
Ω
和V
BR
= 6.1 V
对于IEC 61000-4-2浪涌4级(接触放电: V
g
= 8千伏,R
g
= 330
Ω),
V
公共汽车
= + 5V,并且如果在第一近似中,我们假定:
I
p
= V
g
/ R
g
= 24 A.
所以,我们发现:
V
CL
+ = +31.2 V
V
CL
- = -13 V
注意:
该计算不考虑因寄生电感账户的现象。
2.2
电涌保护器的应用实例
如果我们考虑到从引线V的连接
公共汽车
到V
CC
,从I / O数据线和从
GND到PCB的接地层是由10毫米长0.5mm的大轨迹进行,我们假设
该寄生感L
VBUS
, L
I / O
和L
GND
这些轨道是大约6 nH的。因此,当
一个IEC 61000-4-2浪涌发生在数据线中,由于这个尖峰的上升时间(t
r
= 1纳秒),则
电压V
CL
有一个额外的价值等于L
I / O
.dl / DT + L
GND
.dI / DT 。
所述的dI / dt的计算公式为:
的di / dt = I
p
/t
r
= 24 A / NS
由于寄生电感的过电压是:
L
I / O
.dl / DT = L
GND
.dI / DT = nH的6 ×24 A / NS = 144 V
通过考虑这些寄生电感的影响是由于不合适的布局,所述
钳位电压将是:
V
CL
+ = +31.2 + 144 + 144 = 319.2 V
V
CL
- = -13.1 - 144 - 144 = -301.1 V
4/14
USBLC6-2
技术信息
我们可以显著减少这种现象与简单的布局优化。正是由于这个
原因是一些建议必须遵循(见
2.3 :如何保证良好的防静电
保护) 。
图6 。
ESD行为:寄生现象是由于不适当的布局
ESD数据线浪涌
V
公共汽车
数据线
L
I / O
L
I / O
di
dt
L
VBUS
V
CC
V
F
V
TRANSIL
I / O引脚
V
CL
V
TRANSIL
+ V
F
t
t
r
= 1纳秒
GND引脚
t
r
= 1纳秒
L
GND
L
GND
di
dt
- V
F
t
L
I / O
迪+ L
GND
di
dt
dt
V
CL +
积极
浪涌
V
CL
+ = V
TRANSIL
+ V
F
+ L
I / O
迪+ L
GND
di
dt
dt
V
CL-
= -V
F
- L
I / O
双L -
GND
di
dt
dt
V TRANSIL
=
VBR
+
Rd.Ip
浪涌> 0
浪涌> 0
-L
I / O
双L -
GND
di
dt
dt
浪涌
V
CL-
2.3
如何保证良好的ESD保护
而USBLC6-2提供高的抗ESD浪涌,有效的保护依赖于
电路板的布局。以同样的方式,与轨对轨的拓扑结构,从数据轨迹
线I / O引脚,从V
CC
到V
公共汽车
脚和接地平面到GND引脚必须尽可能短,
能够避免由于寄生现象的过电压(见
图6 。
图7 。
布局的考虑)
图7 。
ESD行为:布局优化
网络连接gure 8 。
ESD行为:测量
条件
1
1
6
ESD浪涌
2
5
3
4
TEST BOARD
IN
OUT
USBLC6-2SC6
不适合布局
1
1
6
+5 V
2
5
3
4
优化的布局
5/14
USBLC6-2
非常低电容
ESD保护
ASD
(专用设备)
主要应用
在高达480Mbps (高速)和USB2.0接口
USB OTG端口
与USB1.1低向后兼容,
全速
以太网端口: 10 / 100Mb / s的
SIM卡保护
视频线路保护
便携式和移动电子产品
描述
USBLC6-2P6
USBLC6-2SC6
单片专用设备专用
到ESD保护的高速接口,如
USB2.0 ,以太网链接和视频线。
在非常低的线路电容确保了高的电平
而不会影响信号完整性
保护最敏感的芯片
严格的特点ESD冲击。
特点
2数据线保护
保护V
公共汽车
非常低的电容:最大的3.5pF
非常低的漏电流: 1μA最大
SOT -666和SOT23-6L封装
符合RoHS
好处
行至GND之间非常低的电容
优化的数据完整性和速度
超低的PCB空间占用: 2.9mm最大
对于SOT- 666封装, 9mm最大的
SOT23-6L封装
增强的ESD保护: IEC61000-4-2等级
4合规保证在设备级,
在系统级,因此更大的免疫力
V的ESD保护
公共汽车
。使ESD电流
流淌在ESD事件发生在对地
数据线
的单片集成提供高可靠性
非常低的漏电流为较长的操作
的电池供电设备
快速响应时间
洽D + / D-信号平衡
- 最好的电容匹配容差的I / O
0.04pF的GND
- 符合USB2.0要求( <1pF )
SOT23-6L
USBLC6-2SC6
SOT-666
USBLC6-2P6
表1 :订购代码
产品型号
USBLC6-2SC6
USBLC6-2P6
记号
UL26
F
图1 :功能框图
I/O1
1
6
I/O1
GND
2
5
V
公共汽车
I/O2
3
4
I/O2
符合以下标准:
IEC61000-4-2第4级:
15千伏(空气放电)
8千伏(接触放电)
2005年6月
第2版
1/11
USBLC6-2
表2 :绝对额定值
符号
V
PP
T
英镑
T
j
T
L
参数
在设备级:
IEC61000-4-2空气放电
IEC61000-4-2接触放电
MIL STD883C法3015-6
价值
15
15
25
-55到+150
125
260
单位
峰值脉冲电压
kV
存储温度范围
最高结温
无铅焊锡温度(10秒持续时间)
°C
°C
°C
表3 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
I
RM
V
BR
V
F
参数
相反的立场-O FF电压
漏电流
V的击穿电压
公共汽车
和GND
正向电压
V
RM
= 5V
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
PP
= 1A ,T
p
= 8/20s
任何I / O引脚与GND
I
PP
= 5A ,T
p
= 8/20s
任何I / O引脚与GND
V = 0V F = 1MHz的
任何I / O引脚与GND
2.5
6
1.1
12
17
3.5
pF
0.04
我之间的电容/ O
V = 0V F = 1MHz的
I / O , GND之间
没有连接
1.2
1.7
pF
0.04
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
5
1
单位
V
A
V
V
V
V
V
CL
钳位电压
C
I / O- GND
C
I / O- GND
C
I / O -I / O
C
I / O -I / O
I / O和GND之间的电容
2/11
USBLC6-2
图2 :电容与线路电压
(典型值)
C( pF)的
3.0
C
O
= I / O- GND
图3:线电容与频率的关系
(典型值)
C( pF)的
2.8
2.6
2.4
2.2
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
LINE
= 0V至3.3V
2.5
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
2.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.5
C
j
= I / O -I / O
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.0
0.5
数据线电压(V)的
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.2
0.0
1
10
F(兆赫)
100
1000
图4 :泄漏电流的相对变化
对结点温度(典型值)的
I
RM
[T
j
] / I
RM
[T
j
=25°C]
100
V
公共汽车
=5V
图5 :频率响应
0.00
S21(dB)
-5.00
-10.00
10
-15.00
T
j
(°C)
1
25
50
75
100
125
F(赫)
-20.00
100.0k
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
3/11
USBLC6-2
技术信息
1.浪涌保护
该USBLC6-2特别优化的基础上,轨到轨拓扑结构进行突波保护。
钳位电压V
CL
可以计算如下:
V
CL
+ = V
公共汽车
+ V
F
积极激增
V
CL
- = - V
F
负激增
附: V
F
= V
T
+ R
d
.I
p
(V
F
正向压降电压) / (V
T
阈值电压)
我们假设钳位二极管的动态电阻的值通常是:
R
d
= 0.5Ω和V
T
= 1.2V.
对于IEC61000-4-2浪涌4级(接触放电: V
g
= 8千伏,R
g
=330), V
公共汽车
= + 5V ,如果在第一
近似,我们假设:我
p
= V
g
/ R
g
= 24A.
所以,我们发现:
V
CL
+ = +17V
V
CL
- = -12V
注意:
该计算不考虑因寄生电感账户的现象。
2.浪涌保护中的应用实例
如果我们考虑到从引线V的连接
公共汽车
到V
CC
从GND到GND PCB用做
两首曲目为10mm长, 0.5毫米大;我们假设寄生电感,这些磁道Lw中
大约6NH 。因此,当一个IEC61000-4-2浪涌发生时,由于该尖峰的上升时间(tr = 1ns的),则
电压V
CL
有一个额外的价值等于Lw.dI / DT 。
的di / dt的计算公式为:的di / dt = IP / TR = 24 A / NS
由于寄生电感的过电压是: Lw.dI / dt的= 6× 24 = 144V
通过考虑这些寄生电感的影响是由于不合适的布局中,夹紧
电压将是:
V
CL
+ = +17 + 144 = 161V
V
CL
- = -12 - 144 = -156V
我们可以减少尽可能多的这些现象用简单的布局优化。
这就是为什么一些建议必须遵循(见第理由“如何保证良好的
ESD保护“ ) 。
图6 : ESD行为;由于不合适的布局寄生现象
V
CL +
183V
ESD
浪涌
V
公共汽车
Lw
+V
CC
V
F
LW迪
dt
Lw
di
dt
积极
浪涌
V
CC
+
V
F
I / O
tr=1ns
t
VI / O
LW迪
dt
di
V
CL
+ = V
公共汽车
+V
F
+ Lw中DT浪涌>0
di
浪涌<0
V
CL
- = -V
F
-LW
dt
tr=1ns
-V
F
-LW
di
dt
浪涌
t
GND
-178V
V
CL-
4/11
USBLC6-2
3.如何保证良好的ESD保护
而USBLC6-2提供高的抗ESD浪涌,一个有效的保护依赖于布局
董事会。以同样的方式,与轨到轨拓扑,从V的轨道
公共汽车
销与电源
+V
CC
从GND引脚连接到GND必须尽可能的短,以避免由于过电压寄生
现象(参见图6) 。
它往往很难靠近连接电源到USBLC6-2不同于地面由于地面
平面,它允许一个短的连接。
为了确保相同的效率,积极激增时连接不能足够短,我们
建议把靠近USBLC6-2 ,V之间
公共汽车
和地面, 100nF的一个电容,以防止
从这些种类的过电压干扰(参见图7) 。
这种电容的添加将允许更好的保护浪涌恒定电压时提供。
在图8,9和10示出了ESD保护的改进,根据提出的建议
如上所述。
图7 : ESD性能:优化的布局和
添加100nF的一个电容的
图8 : ESD行为:测量
条件(有耦合电容)
ESD
浪涌
V
CL
+
ESD
浪涌
Lw
REF2=+V
CC
C=100nF
t
TEST BOARD
积极
浪涌
USBLC6-2SC6
I / O
V
CL
+
= V
CC
+
V
F
浪涌>0
VI / O
t
+5V
V
CL
- = -
V
F
浪涌<0
浪涌
REF1=GND
V
CL
-
C=100nF
图9 :后剩余电压
在积极的ESD浪涌USBLC6-2
图10 :后剩余电压
在负ESD浪涌USBLC6-2
VIN
VIN
VOUT
VOUT
重要提示:
一个主要的预防措施是采取把保护装置靠近干扰源(通常是
连接器) 。
注意:
在测量已经完成与USBLC6-2在开路。
5/11
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