新产品
USB260
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
玻璃钝化结
适合自动放置
超快恢复时间的高效率
低正向电压，低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
DO- 214AA （ SMB ）
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机，汽车和
电信。
2.0 A
600 V
90 A
30纳秒
1.0 V
150 °C
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在我
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨，T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
T
J
, T
英镑
符号
USB260
U60
600
420
600
2.0
90
20
- 55至+ 150
V
V
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号： 84705
修订： 13 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
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USB260
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
正向电压
(1)
测试条件
I
R
= 10 A
I
F
= 1 A
I
F
= 2.0 A
V
R
= 600 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
t
rr
C
J
V
F
符号
V
BR
典型值。
马克斯。
单位
V
-
1.6
1.1
5.0
100
30
45
V
600 （最小）
1.25
1.5
1.0
-
30
最大反向电流
(2)
最大反向恢复时间
典型结电容
注意事项：
A
ns
pF
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位用2.0× 2.0"铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
USB260
45
10
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
USB260-E3/52T
USB260-E3/5BT
USB260HE3/52T
(1)
USB260HE3/5BT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
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2
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威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
3.0
100
正向平均整流电流（ A）
正向电流（A ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
10
2.0
1
T
J
= 25 °C
0.1
1.0
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
0
80
90
100
110
120
130
140
150
0.01
0.1
0.6
1.1
1.6
2.1
2.6
3.1
3.6
铅温度（ ℃）
正向
电压
(V)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的正向特性
3.0
D = 0.5
2.5
D = 0.3
D = 0.2
2.0
D = 0.1
1.5
瞬时反向电流（ μA ）
D = 0.8
1000
平均功耗（ W）
100
T
J
= 150 °C
D = 1.0
10
T
J
= 125 °C
1.0
T
1
T
J
= 25 °C
0.5
D =吨
p
/T
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
t
p
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
平均正向电流（ A）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型的反向漏电特性
100
1000
峰值正向浪涌电流（ A）
80
结电容（pF ）
100
60
40
10
20
0
1
10
100
1
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
图6.典型结电容
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威世通用半导体
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
1
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图7.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.085 （ 2.159 ）最大。
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 （ 2.18 ）最低。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 （ 1.52 ）最低。
0.220 REF 。
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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