1999年6月
USB10P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这P -Channel 2.5V MOSFET指定生产
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别是针对减少的过程中
通态电阻，但保持为低栅极电荷
出色的开关性能。
这些装置非常适用于电池供电
应用：负载开关和电源管理，
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-4.5 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.045
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.065
@ V
GS
= -2.5 V.
低栅极电荷（典型为13nC ） 。
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
.
SuperSOT
TM
-6包：占地面积小（小于72 ％小
标准的SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
S
D
D
1
6
2
G
D
D
销1
TM
5
3
4
SuperSOT -6
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有笔记
评级
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
-20
±8
-4.5
-20
1.6
0.8
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θJA
R
θJC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1999仙童半导体公司
USB10P Rev.D
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55 C
o
o
-20
-18
-1
-10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4.5 A
T
J
= 125 C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.8 A
o
o
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值VoltageTemp.Coefficient
静态漏源导通电阻
-0.4
-0.9
3
0.039
0.054
0.057
-1.5
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.045
0.072
0.065
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
注意事项：
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -4.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-20
6.5
1240
270
100
A
S
pF
pF
pF
16
27
65
50
19
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-1.3
A
V
动态特性
开关特性
（注2 ）
V
DD
= -5 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
15
45
30
V
DS
= -10 V，I
D
= -4.5 A,
V
GS
= -5 V
13
1.8
3
漏源二极管的特性
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-0.75
-1.2
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫在FR - 4电路板2盎司铜。
b. 156
o
安装在一个最小焊盘时C / W。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
USB10P Rev.D
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