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US6M2
晶体管
2.5V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
US6M2
结构
硅的N沟道MOSFET /
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TUMT6
特点
1）的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET被放入TUMT6包。
2 ）高速开关，低导通电阻。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
4 ）内置G -S保护二极管。
缩写符号： M02
应用
开关
包装规格
包
TYPE
US6M2
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
内部电路
(6)
(5)
(4)
1
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 4 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 5 ） Tr2的（ PCH）门
（ 6 ） Tr1的（ N沟道）漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
单位
TR1 ： N沟道Tr2的： P沟道
30
V
20
12
12
V
±1.5
±1
A
±6
±4
A
0.6
0.4
A
6
4
A
1.0
W / TOTAL
0.7
150
55
to
+150
W /元
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
125
179
单位
° C / W
/总
° C / W
/元
Rev.A的
0.2Max.
1/3
US6M2
晶体管
N沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
0.5
1.5
典型值。
170
180
240
80
13
12
7
9
15
6
1.6
0.5
0.3
马克斯。
10
1
1.5
240
250
340
2.2
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=12V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 4V
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 2.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 0.75A
V
GS
= 4.5V
R
L
= 20
R
G
=10
V
DD
15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.5A
R
L
= 10, R
G
= 10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.6A ，V
GS
=0V
Rev.A的
2/3
US6M2
晶体管
P沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
20
0.7
0.7
典型值。
280
310
570
150
20
20
9
8
25
10
2.1
0.5
0.5
马克斯。
10
1
2.0
390
430
800
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
12V,
V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
20V,
V
GS
=0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
1A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1A,
V
GS
=
4V
I
D
=
0.5A,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
0.5A
V
DS
=
10V
V
GS
= 0V
f=1MHz
V
DD
15
V
I
D
=
0.5A
V
GS
=
4.5V
R
L
= 30
R
G
= 10
V
DD
15V,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1A
R
L
= 15, R
G
= 10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
0.4A,
V
GS
=0V
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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推荐型号
U2D
UPA801TC
UPSD3235AV-40T1
UKT1H330MED
UCC2581
URU1J101MHD
UCC3972N
UPD784215A
UD9926L-S08-R
URAF1505
UCC38500NG4
USD4030C
UEP2A222MDD
UPA611TA-T1-A
U635H64D1C45
UPSD3314A-24U1
UNR9219J
UCC28221DRG4
U209B-MY
US5881
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    US6M2TR
    -
    -
    -
    -
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更多配单专家
辉华拓展
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
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US6M2TR
Rohm(罗姆)
22+
26550
原装原厂公司现货
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
US6M2TR
ROHM/罗姆
21+
10000
SOT-363
全新原装正品/质量有保证
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电话：13717008271
联系人：李
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1800
TUMT6
原装正品
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US6M2TR
ROHM/罗姆
2418+
9000
SOT-363
正规报关原装现货系列订货技术支持
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US6M2TR
ROHM
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TUMT6
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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联系人：唐
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US6M2TR
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2019
79600
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