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US6M2
晶体管
2.5V驱动N沟道+ P沟道MOS FET
US6M2
结构
硅N沟道MOS FET /
硅P沟道MOS场效应管
外形尺寸
（单位：毫米）
ê
ò
òí
òê òê
ê÷
÷
ì÷
ò
òéé
òè¨ò
特点
1 ） N沟道MOS场效应管和P沟道MOS FET都放在TUMT6包。
2 ）高速开关，低导通电阻。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
4 ）内置G -S保护二极管。
÷
÷
í÷
òé
òí
· -§±
应用
开关
包装规格
½
§°
ê
±
-·½ ±· · °·½-÷
°·
í
内部电路
ê÷
÷
ì÷
÷
÷
í÷
× ×
×
÷ ½÷ ±½
÷ ½÷
í÷ ½÷ ·
ì÷ ½÷ ±½
÷ ½÷
ê÷ ½÷ ·
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
·ó-±½ ±
ó-±½ ±
· ½
±½ ½
±§ ·±÷
± °± ·--·°·±
°
± °
k- § ½§½
± ± ½·½ ±ò
§±
×
×
×
×
½
-
±·±-
-
±·±-
-
··-
·
½ ½
–
í
–
o
oò
oê
oì
òê
–òì
ê
–ì
ò
òé
–
±
p
p
热阻
± ·
± ± ½·½ ±
§±
½ó÷
··-
é
·
p
p
1/3
US6M2
晶体管
N沟道
电气特性
（ TA = 25℃ ）
§±
·ò
–
í
–
ò
–
–
–
ò
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
§°ò
–
–
–
–
é
è
ì
–
è
í
é
ê
òê
ò
òí
¨ò
–
ò
ì
íì
–
–
–
–
–
–
–
–
ò
–
–
ó-±½
×
·ó-±½ ± ±
÷
± ± · ½
×
-± ±
÷
·½ ·ó-±½ ±ó-
-·-½
± - ·½
×° ½°½·½
° ½°½·½
- - ½°½·½
ó± § ·
·- ·
ó± § ·
·
± ½
ó-±½
½
ó·
½
-
±÷
-
·--
±--
--
±÷
±÷
-
·
k
k
°
°
°
-
-
-
-
±··±-
×
í
×
×
ò
ìò
×
ò
ì
×
ò
ò
×
ò
×
òé
ìò
ìò
×
ò
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （TA = 25℃ ）
± ±
§±
·ò
–
§°ò
–
¨ò
ò
·
±··±-
×
òê
2/3
US6M2
晶体管
P沟道
电气特性
（ TA = 25℃ ）
§±
·ò
–
–
–
–òé
–
–
–
òé
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
§°ò
–
–
–
–
è
í
é
–
è
ò
ò
ò
¨ò
–
–
–ò
í
ìí
è
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
ó-±½
×
·ó-±½ ± ±
÷
± ± · ½
×
-± ±
÷
·½ ·ó-±½ ±ó-
-·-½
± - ·½
×° ½°½·½
° ½°½·½
- - ½°½·½
ó± § ·
·- ·
ó± § ·
·
± ½
ó-±½
½
ó·
½
-
±÷
-
·--
±--
--
±÷
±÷
-
·
k
k
°
°
°
-
-
-
-
±··±-
–
×
–
–
–
×
–
×
–
–ìò
×
–
–ì
×
–ò
–ò
–
×
–ò
–
–
×
–ò
–ìò
í
–
–ìò
×
–
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （TA = 25℃ ）
± ±
§±
·ò
–
§°ò
–
¨ò
–ò
·
±··±-
×
–òì
3/3
附录
±-
± ½·½ ½± °- ± ·- ±½ § °±½ · § ± ± -· § §
- ·± °·± °·--·± ± òò
½±- -½· · -½ ± ½ ·± ±·½ò -°½··½·±- ±
°±½ -½· · ·- ±½ ± ½ ±§ò °± ½ - ± °- -
-°½··½·±- ± -°§ ·ò
°°·½·± ½·½· ·- ½·½· ½±-- ½±· · -± - ¨°- ± -
- ±°·±ò - °§ ½ ·± ± °·° ½±··±- -·· ½·½·-
½·· °± ½·½· ½±-- · -ò
§ ·½· ± ·· ± °°·½·± ½·½· ·- ·±·± -½· ·
· ±§ - ·-·±- ± -½ ·½- ± - -°½··½·±- ± -½ ·½-ò
òò ·-½·- § § § - ± -½ ·½- - ± ·· ± §
· °§ù- ·½ °±°§ ·- ± ± °±°·§ ·- --- ± ···§ ±
-± · ± § -½ ·· ± ·-· ± ± ½±½ · ±
± - ± -½ ·½-ò
°± - ± § -½ ·½- ± ± §ù- · ± - -½ ·½- ·- - ±
±·- ·-°±- ± - ± ¨°-- ± ·°· · ± ·½- ± °½·½ ± ½±½·§
¨°±· § ·½ °±°§ ·- ± ± °±°·§ ·- ± ± ½±± §
ò ò ·- ± § -½ §ò
±½- ·- · ·- ±½ ± ···± -·ò
°±½- ·- · ·- ±½ -· ± - · ±·§ ½±·½ ·° ± ·½-
-½ - ·± ·- ·° ±·½ó±·± ·° ½±·½·±- ·½- ½·½
°°·½- ½±·½ ±§-÷ò
± §± · ± - - °±½- · ·° ± ·½- ·½ · ¨§ · ±
···§ ½·± ± · ± ·½§ · -½ - ·½ ·--
-°±·± ·° ±-°½ ½·§ ½ó½± ½±±- ½±±- ±
-§ ·½-÷ °- - ± ½±- · ± -- °-· · ½ò
± ¨°± ±± · °
±½- -½· · ±½- ± ½±± ±±- · ¨ × ê÷ ± ¨°± ±±
· °ò
× ½- ± ¨°± ± ° °- ½±· · · °°·- ± ±½· ½·· ± ·± § ×× ½-÷
± -·- ± ½½ ½±±- ± ±ó±··± ± °±- ± -- -½·±ò
Appendix1-Rev1.1
US6M2
晶体管
2.5V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
US6M2
结构
硅的N沟道MOSFET /
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TUMT6
特点
1）的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET被放入TUMT6包。
2 ）高速开关，低导通电阻。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
4 ）内置G -S保护二极管。
缩写符号： M02
应用
开关
包装规格
包
TYPE
US6M2
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
内部电路
(6)
(5)
(4)
1
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 4 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 5 ） Tr2的（ PCH）门
（ 6 ） Tr1的（ N沟道）漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
单位
TR1 ： N沟道Tr2的： P沟道
30
V
20
12
V
12
A
±1
±1.5
A
±4
±6
0.6
A
0.4
6
A
4
1.0
W / TOTAL
0.7
150
55
to
+150
W /元
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
125
179
单位
° C / W
/总
° C / W
/元
Rev.A的
0.2Max.
1/3
US6M2
晶体管
N沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
0.5
1.5
典型值。
170
180
240
80
13
12
7
9
15
6
1.6
0.5
0.3
马克斯。
10
1
1.5
240
250
340
2.2
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=12V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 4V
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 2.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 0.75A
V
GS
= 4.5V
R
L
= 20
R
G
=10
V
DD
15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.5A
R
L
= 10, R
G
= 10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.6A ，V
GS
=0V
Rev.A的
2/3
US6M2
晶体管
P沟道
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
20
0.7
0.7
典型值。
280
310
570
150
20
20
9
8
25
10
2.1
0.5
0.5
马克斯。
10
1
2.0
390
430
800
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
12V,
V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
20V,
V
GS
=0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
1A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1A,
V
GS
=
4V
I
D
=
0.5A,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
0.5A
V
DS
=
10V
V
GS
= 0V
f=1MHz
V
DD
15
V
I
D
=
0.5A
V
GS
=
4.5V
R
L
= 30
R
G
= 10
V
DD
15V,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1A
R
L
= 15, R
G
= 10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
0.4A,
V
GS
=0V
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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U4085B
UN2223
URB2405MP-12W
UBW1K471MPD
UPD75P3018AGC-8BT
UPD75064GBA
UHD1V102MHR
ULN2004D1
UKZ1E471MHM
UHM1C272MPD
UPD78P312AGF-3BE
ULN2068LB
UUD1A470MCL
UGB8JTHE3/81
UQFP160
UC1527AJ883B
UB26SKW03N-A
UPD61052
UET1A331MED
UPV1A391MGD
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    US6M2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
US6M2
Rohm(罗姆)
22+
2434
原装原厂公司现货
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
US6M2
ROHM
15+
99000
TUMT6
产品优势可售样板
深圳市品惠科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：153461020 复制

电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
US6M2
ROHM
20+
150000
SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
US6M2
ROHM/罗姆
150000
全新原装15818663367
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
US6M2
ROHM
2443+
23000
SOT-363T
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
US6M2
ROHM
24+
18650
SMD
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
US6M2
ROHM
21+22+
62710
SMD
原装正品
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
US6M2
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-363
原装正品假一赔百！
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
US6M2
ROHM
24+
11880
sot363
优势现货，只做原装正品
深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
US6M2
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4500
sot363
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