【US5U3晶体管2.5V驱动N沟道+ SBD MOSFETUS5U3结构硅的N沟道MOSFET /肖】,IC型号US5U3_1,US5U3_1 PDF资料,US5U3

US5U3

晶体管

2.5V驱动N沟道+ SBD MOSFET

US5U3

结构

硅的N沟道MOSFET /

肖特基二极管

尺寸

（单位：毫米）

TUMT5

2.0

1.3

0.65 0.65

0.85Max.

0.77

特点

1 ） N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管

被放入TUMT5包。

2 ）高速开关，低导通电阻。

3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器）。

4 ）内置低V

肖特基势垒二极管。

(5)

(4)

1.7

0.3

0.2

(1)

(2)

(3)

2.1

0~0.1

0.17

缩写符号： U03

应用

开关

包装规格

包

TYPE

US5U3

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

3000

内部电路

(5)

(4)

(1)

(2)

ESD保护二极管

体二极管

(3)

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

(1)Gate

(2)Source

(3)Anode

(4)Cathode

(5)Drain

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

总胆固醇

范围

±1.5

±6.0

0.6

6.0

0.7

150

单位

W /元

°C

<Di>

参数

反向重复峰值电压

反向电压

正向电流

正向电流浪涌峰值

功耗

结温

60Hz的回循环

安装在陶瓷板上

符号

FSM

范围

0.7

3.0

0.5

150

单位

W /元

°C

Rev.A的

0.15Max.

0.2

1PIN MARK

1/3

US5U3

晶体管

<MOSFET和Di>

参数

总功耗

储存温度范围

安装在陶瓷基板

符号

TSTG

范围

1.0

+150

单位

W / TOTAL

°C

电气特性

(Ta=25°C)

参数

符号

分钟。

0.5

1.5

典型值。

170

180

240

1.6

0.5

0.3

马克斯。

1.5

240

250

340

2.2

单位

条件

=12V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

= 30V, V

=0V

= 10V ，我

= 1毫安

= 1.5A ，V

= 4.5V

= 1.5A ，V

= 4V

= 1.5A ，V

= 2.5V

= 10V ，我

= 1.5A

= 10V

=0V

f=1MHz

15V

= 0.75A

= 4.5V

= 20

=10

15V, V

= 4.5V

= 1.5A

= 10, R

= 10

GSS

栅源漏

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

DSS

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源

收费

栅极 - 漏极

收费

*脉冲

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

<Body二极管的特性（烃源极 - 漏极） >

参数

符号最小值。

正向电压

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= 0.6A ，V

=0V

<Di>

参数

正向电压

反向电流

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

0.49

200

单位

= 0.7A

= 20V

条件

Rev.A的

2/3

US5U3

晶体管

电气特性曲线

1000

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

1000

西塞

栅源电压： V

(V)

切换时间： T（ NS ）

电容：C （PF ）

Ta=25°C

=15V

=4.5V

=10

脉冲

Ta=25°C

=15V

=1.5A

=10

脉冲

100

CRSS

科斯

100

TD （关闭）

TD （上）

0.01

0.1

100

0.01

0.1

0.5

1.5

漏源电压： V

(V)

漏电流：我

(A)

总栅极电荷：的Qg （ NC ）

图1典型电容

与漏源电压

图2开关特性

图3动态输入特性

1.0

Ta=25°C

脉冲

=1.5A

静态漏源

通态电阻，R

()

=10V

脉冲

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

=0.75A

=0V

脉冲

Ta=125°C

75°C

25°C

源电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

Ta=125°C

75°C

25°C

0.1

0.01

0.001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

栅源电压： V

(V)

栅源电压： V

(V)

源极 - 漏极电压： V

(V)

图4典型的传输特性

图5静态漏源

通态电阻VS.

门源电压

图6源电流和

源 - 漏电压

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

=4.5V

脉冲

=4.0V

脉冲

=2.5V

脉冲

Ta=125°C

75°C

25°C

Ta=125°C

75°C

25°C

Ta=125°C

75°C

25°C

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

图7静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（

)

图8静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（

ΙΙ

)

图9静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（

ΙΙΙ

)

Rev.A的

3/3

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.1