US3881
CMOS低压霍尔效应锁存
特点和优点
斩波稳定放大器级
优化BDC电机的应用
新的微型封装/超薄，高可靠性封装
操作降到2.2V
CMOS的最佳稳定性，质量和成本
应用
固态开关
无刷直流电机换向
速度传感
线性位置传感
角度位置传感器
电流检测
订购信息
产品型号
US3881
US3881
温度后缀
包
温度范围
E
SO或UA
-40
o
C至85
o
C商业级
L
SO或UA
-40
o
C至150
o
C汽车
*联系工厂或销售代表遗留下的选择
工作原理图
描述
在US3881是双极霍尔效应传感器集成电路fabri-
从混合信号CMOS技术的标识。它IN-
公司债券先进的斩波稳定技
niques提供准确而稳定的磁
开关点。有许多应用程序为这个
传感器除了上面列出的那些。 DE-的
标志，规格和性能已经
在5V的整流应用进行了优化，并
12V直流无刷电机。
输出晶体管将在（B锁存
OP
）中的
一个足够强大的南极mag-存在
NETIC字段对着包的标记侧。
类似地，输出将被锁存关（乙
RP
）中的
存在北场。
SO封装
引脚1 - V
DD
2脚 - 输出
引脚3 - GND
V
DD
产量
电压
调节器
断路器
GND
UA封装
引脚1 - V
DD
引脚2 - GND
引脚3 - 输出
采用SOT- 23装置从UA封装反转
年龄。采用SOT -23输出晶体管将被锁定
在一个足够强大的北方存在
极磁场进行标记的面。
注意：
静电敏感器件;请遵守ESD预防措施。重 -
诗V
DD
保护不被包括在内。对于反向电压PROTEC -
化，串联V一个100Ω的电阻
DD
值得推荐。
US3881 CMOS低压霍尔效应锁存
3901003881版本4.2
7/23/01
第1页
US3881
CMOS低压霍尔效应锁存
US3881电气规格
DC操作参数：t
A
= 25, V
DD
= 12V
DC
（除非另有规定） 。
参数
电源电压
电源电流
饱和电压
输出漏
输出上升时间
输出下降时间
符号测试条件
V
DD
操作
I
DD
V
DS （ ON）
I
关闭
t
r
t
f
B<B
OP
I
OUT
= 20毫安， B>B
OP
B<B
RP
, V
OUT
= 18V
V
DD
= 12V ，R
L
= 1.1kΩ ，C
L
= 20pF的
V
DD
= 12V ，R
L
= 1.1kΩ ，C
L
= 20pF的
民
2.2
1.5
典型值
2.5
0.4
0.01
0.04
0.18
最大
18
4.0
0.5
5.0
单位
V
mA
V
ìA
ìs
ìs
US3881磁规格
DC操作参数：t
A
= -40至150
o
C，V
DD
=12 V
DC
（除非另有规定） 。 1mT的= 10高斯。
参数
工作点
放点
迟滞
符号测试条件
B
OP
B
RP
B
HYS
民
1.0
-9.0
5.5
典型值
5.0
-5.0
10.0
最大
9.0
-1.0
12.0
单位
mT
mT
mT
绝对最大额定值
电源电压（工作） ，V
DD
电源电流（故障） ，我
DD
输出电压V
OUT
输出电流（故障） ，我
OUT
功耗，P
D
工作温度范围，T
A
存储温度范围，T
S
最高结温，T
J
ESD敏感度（所有引脚）
18V
50mA
18V
50mA
100mW
-40 ℃150℃
-65 ℃150℃
175°C
+/- 4kV的
迈来芯公司保留随时更改，恕不另行通知以下所有产品在提高可靠性，功能或设计的权利。迈来芯
不承担因使用本文所述的任何产品或电路的任何产品或应用而产生的任何责任。
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特点和优点
斩波稳定放大器级
优化BDC电机的应用
新的微型封装/超薄，高可靠性封装
操作降到2.2V
CMOS的最佳稳定性，质量和成本
应用
固态开关
无刷直流电机换向
速度传感
线性位置传感
角度位置传感器
电流检测
订购信息
产品型号
US3881
US3881
温度后缀
包
温度范围
E
SO或UA
-40
o
C至85
o
C商业级
L
SO或UA
-40
o
C至150
o
C汽车
*联系工厂或销售代表遗留下的选择
工作原理图
描述
在US3881是双极霍尔效应传感器集成电路fabri-
从混合信号CMOS技术的标识。它IN-
公司债券先进的斩波稳定技
niques提供准确而稳定的磁
开关点。有许多应用程序为这个
传感器除了上面列出的那些。 DE-的
标志，规格和性能已经
在5V的整流应用进行了优化，并
12V直流无刷电机。
输出晶体管将在（B锁存
OP
）中的
一个足够强大的南极mag-存在
NETIC字段对着包的标记侧。
类似地，输出将被锁存关（乙
RP
）中的
存在北场。
SO封装
引脚1 - V
DD
2脚 - 输出
引脚3 - GND
V
DD
产量
电压
调节器
断路器
GND
UA封装
引脚1 - V
DD
引脚2 - GND
引脚3 - 输出
采用SOT- 23装置从UA封装反转
年龄。采用SOT -23输出晶体管将被锁定
在一个足够强大的北方存在
极磁场进行标记的面。
注意：
静电敏感器件;请遵守ESD预防措施。重 -
诗V
DD
保护不被包括在内。对于反向电压PROTEC -
化，串联V一个100Ω的电阻
DD
值得推荐。
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3901003881版本4.2
7/23/01
第1页
US3881
CMOS低压霍尔效应锁存
US3881电气规格
DC操作参数：t
A
= 25, V
DD
= 12V
DC
（除非另有规定） 。
参数
电源电压
电源电流
饱和电压
输出漏
输出上升时间
输出下降时间
符号测试条件
V
DD
操作
I
DD
V
DS （ ON）
I
关闭
t
r
t
f
B<B
OP
I
OUT
= 20毫安， B>B
OP
B<B
RP
, V
OUT
= 18V
V
DD
= 12V ，R
L
= 1.1kΩ ，C
L
= 20pF的
V
DD
= 12V ，R
L
= 1.1kΩ ，C
L
= 20pF的
民
2.2
1.5
典型值
2.5
0.4
0.01
0.04
0.18
最大
18
4.0
0.5
5.0
单位
V
mA
V
ìA
ìs
ìs
US3881磁规格
DC操作参数：t
A
= -40至150
o
C，V
DD
=12 V
DC
（除非另有规定） 。 1mT的= 10高斯。
参数
工作点
放点
迟滞
符号测试条件
B
OP
B
RP
B
HYS
民
1.0
-9.0
5.5
典型值
5.0
-5.0
10.0
最大
9.0
-1.0
12.0
单位
mT
mT
mT
绝对最大额定值
电源电压（工作） ，V
DD
电源电流（故障） ，我
DD
输出电压V
OUT
输出电流（故障） ，我
OUT
功耗，P
D
工作温度范围，T
A
存储温度范围，T
S
最高结温，T
J
ESD敏感度（所有引脚）
18V
50mA
18V
50mA
100mW
-40 ℃150℃
-65 ℃150℃
175°C
+/- 4kV的
迈来芯公司保留随时更改，恕不另行通知以下所有产品在提高可靠性，功能或设计的权利。迈来芯
不承担因使用本文所述的任何产品或电路的任何产品或应用而产生的任何责任。
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3901003881版本4.2
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