US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

特点和优点

斩波稳定放大器级

优化BDC电机的应用

新的微型封装/超薄，高可靠性封装

操作降到2.2V

CMOS的最佳稳定性，质量和成本

应用

固态开关

无刷直流电机换向

速度传感

线性位置传感

角度位置传感器

电流检测

订购信息

产品型号

US3881

US3881

温度后缀

包

温度范围

E

SO或UA

-40

o

C至85

o

C商业级

L

SO或UA

-40

o

C至150

o

C汽车

*联系工厂或销售代表遗留下的选择

工作原理图

描述

在US3881是双极霍尔效应传感器集成电路fabri-

从混合信号CMOS技术的标识。它IN-

公司债券先进的斩波稳定技

niques提供准确而稳定的磁

开关点。有许多应用程序为这个

传感器除了上面列出的那些。 DE-的

标志，规格和性能已经

在5V的整流应用进行了优化，并

12V直流无刷电机。

输出晶体管将在（B锁存

OP

）中的

一个足够强大的南极mag-存在

NETIC字段对着包的标记侧。

类似地，输出将被锁存关（乙

RP

）中的

存在北场。

SO封装

引脚1 - V

DD

2脚 - 输出

引脚3 - GND

V

DD

产量

电压

调节器

断路器

GND

UA封装

引脚1 - V

DD

引脚2 - GND

引脚3 - 输出

采用SOT- 23装置从UA封装反转

年龄。采用SOT -23输出晶体管将被锁定

在一个足够强大的北方存在

极磁场进行标记的面。

注意：

静电敏感器件;请遵守ESD预防措施。重 -

诗V

DD

保护不被包括在内。对于反向电压PROTEC -

化，串联V一个100Ω的电阻

DD

值得推荐。

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

3901003881版本4.2

7/23/01

第1页

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

US3881电气规格

DC操作参数：t

A

= 25, V

DD

= 12V

DC

（除非另有规定） 。

参数

电源电压

电源电流

饱和电压

输出漏

输出上升时间

输出下降时间

符号测试条件

V

DD

操作

I

DD

V

DS （ ON）

I

关闭

t

r

t

f

B<B

OP

I

OUT

= 20毫安， B>B

OP

B<B

RP

, V

OUT

= 18V

V

DD

= 12V ，R

L

= 1.1kΩ ，C

L

= 20pF的

V

DD

= 12V ，R

L

= 1.1kΩ ，C

L

= 20pF的

民

2.2

1.5

典型值

2.5

0.4

0.01

0.04

0.18

最大

18

4.0

0.5

5.0

单位

V

mA

V

ìA

ìs

ìs

US3881磁规格

DC操作参数：t

A

= -40至150

o

C，V

DD

=12 V

DC

（除非另有规定） 。 1mT的= 10高斯。

参数

工作点

放点

迟滞

符号测试条件

B

OP

B

RP

B

HYS

民

1.0

-9.0

5.5

典型值

5.0

-5.0

10.0

最大

9.0

-1.0

12.0

单位

mT

mT

mT

绝对最大额定值

电源电压（工作） ，V

DD

电源电流（故障） ，我

DD

输出电压V

OUT

输出电流（故障） ，我

OUT

功耗，P

D

工作温度范围，T

A

存储温度范围，T

S

最高结温，T

J

ESD敏感度（所有引脚）

18V

50mA

18V

50mA

100mW

-40 ℃150℃

-65 ℃150℃

175°C

+/- 4kV的

迈来芯公司保留随时更改，恕不另行通知以下所有产品在提高可靠性，功能或设计的权利。迈来芯

不承担因使用本文所述的任何产品或电路的任何产品或应用而产生的任何责任。

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

3901003881版本4.2

7/23/01

第2页

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

性能图

典型的磁开关点

与

电源电压

12.5

典型的磁开关点

与

温度

12.5

3881

3881

B

HYS

7.5

B

OP

2.5

7.5

磁通密度（MT ）

磁通密度（MT ）

B

OP

2.5

-2.5

B

RP

-7.5

-2.5

B

RP

-7.5

-12.5

0

5

10

15

20

25

30

-12.5

-40

0

40

80

120

160

200

电源电压（ V）

温度（

o

C)

最小/最大磁开关

范围

与

温度

12.5

输出电压

与

通量密度

25

3881

3881

7.5

B MAX

OP

20

V

DD

B

OP

磁通密度（MT ）

输出电压（V）

2.5

B敏

OP

15

B

RP

10

-2.5

B

P

最大

R

-7.5

5

B

P

民

R

V

OUT

-12.5

-40

0

0

40

80

120

160

200

-30

-20

-10

0

1

0

2

0

30

温度（

o

C)

磁通密度（MT ）

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

3901003881版本4.2

7/23/01

第3页

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

性能图

性能图

典型电源电流

与

电源电压

5

典型的饱和电压

与

温度

V

DD

= 12 V，I

OUT

= 20mA下

3881

500

3881

4

T

A

=

-40

o

C

400

V

DS （ ON）

电源电流（mA ）

V

DS （ ON）

（毫伏）

3

T

A

= 25

o

C

300

2

T

A

= 125

o

C

200

1

100

0

0

5

10

15

20

25

30

0

-40

0

40

80

120

160

200

电源电压（ V）

温度（

o

C)

功耗

与

温度

500

波峰焊参数

所有器件

所有器件

280

封装功耗（ MW）

400

UAPackage

R

J A

=206

o

C / W

θ

300

o

焊锡温度（℃ ）

260

240

200

220

100

SOPackage

R

θ

J A

=575

o

C / W

0

-40

200

0

40

80

120

160

200

0

5

10

15

20

25

30

温度

(

o

C)

时间波峰焊（秒）

3901003881版本4.2

7/23/01

第4页

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

独特的功能

CMOS霍尔IC技术

斩波稳定放大器采用开关

电容技术来消除放大器

偏移电压，从而，在双极型器件，是一

对温度敏感的漂移主要来源。

CMOS使这一先进技术possi-

BLE 。 CMOS芯片也远小于

双极芯片，使非常复杂的税务局局长

cuitry被放置在更小的空间。小芯片

大小也有助于降低身体的压力

和更低的功耗。

应用

如果电源反向保护需要，使用重

体管串联的与V

DD

引脚。意志电阻

限制电源电流（故障） ，我

DD

，到50毫安。

对于严重的EMC条件下，使用该应用程序

下面的电路。

安装

考虑霍尔IC的温度系数，

磁性元件，以及空气间隙的生活杂物 - 时间

系统蒸发散。观察波形时的温度极限

焊接。

应用实例

汽车及严重

环境的保护电路

R

1

100

V

DD

D1

Z1

C1

供应

电压

4.7nF

两线制电流可选

偏置电路

R

L

I

DD

V

R

L

1.2K

OUT

C2

4.7nF

DD

I

IN

IOUT

霍尔IC

V

SS

R

b

霍尔IC

该电阻器R

b

和R

L

可用于偏置输入电流Iin的。

参考部分规范限制值。该电路将有助于

获得精确的ON和OFF电流的期望。

B

RP

= Ioff = （V

DD

/ RB + I

DD

)

B

OP

= =离子（的Ioff + V

DD

/ R

L

)

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

3901003881版本4.2

7/23/01

第5页

US3881

霍尔闩锁

低压&高灵敏度

特点和优点

工作电压范围为2.2V至18V

高磁灵敏度 - 多功能

CMOS技术

斩波稳定放大器级

低电流消耗

开漏输出

薄型SOT23 3L和扁平TO- 92 3L

既符合RoHS标准的封装

应用实例

汽车，消费和工业

固态开关

无刷直流电机换向

速度检测

线性位置检测

角度位置检测

接近检测

订购信息

产品型号

US3881

US3881

US3881

US3881

US3881

US3881

温度代码

E（ -40 ° 85 °

C

C)

E（ -40 ° 85 °

C

C)

K（ -40°至125 °

C

C)

K（ -40°至125 °

C

C)

L（ -40°至150℃ ）

C

L（ -40°至150℃ ）

C

封装代码

SE （ TSOT -3L ）

UA （ TO-92 ）

SE （ TSOT -3L ）

UA （ TO-92 ）

SE （ TSOT -3L ）

UA （ TO-92 ）

1功能框图

2概述

Melexis的US3881是一个霍尔效应锁存

设计混合信号CMOS技术。

该器件集成了稳压器，霍尔

与动态偏移取消系统传感器，

施密特触发器和开漏输出驱动器，所有的

在单个封装中。

低工作电压和扩展选择

温度范围，使其适合于在使用中

汽车，工业和消费低电压

应用程序。

该设备被提供在一个薄型小外形

晶体管（ TSOT ）表面贴装工艺和

在塑料单列直插（ TO- 92平）的吞吐量

孔安装。

这两个3引脚封装均符合RoHS标准。

3901003881

修订版014

分页： 11 1

数据表

Feb/06

US3881

霍尔闩锁

低压&高灵敏度

目录

1功能框图........................................................................................................ 1

2一般Description........................................................................................................ 1

3术语表.......................................................................................................... 3

4绝对最大额定值.............................................. ............................................. 3

5引脚定义和说明............................................. ...................................... 3

6通用电气规格.............................................. .................................... 4

7磁性规格............................................... .................................................. 4

8输出行为与磁极............................................ .......................... 4

9详细概述.............................................. ........................................... 5

10个独特的Features............................................................................................................五

11性能图............................................... .................................................. 6 ...

12应用Information................................................................................................ 7

12.1典型的三线应用电路....................................................................................................7

12.2两线制......................................................................................................................................7

12.3汽车和苛刻，噪声环境三线制电路....................................... ..................... 7

13应用评论............................................... .................................................. 7

14关于迈来芯产品与制造标准信息

不同的焊接工艺............................................... ............................................ 8

15 ESD注意事项........................................................................................................... 8

16包Information..................................................................................................... 9

16.1 SE套餐(TSOT-3L)...........................................................................................................................9

16.2 UA封装（ TO- 92平） .......................................................................................................................10

17 Disclaimer.................................................................................................................... 11

3901003881

修订版014

第11 2

数据表

Feb/06

US3881

霍尔闩锁

低压&高灵敏度

3术语表

毫特斯拉（ mT）表示，高斯

RoHS指令

TSOT

ESD

BLDC

磁通密度的单位：

1mT的= 10高斯

有害物质限制

薄小外形晶体管（ TSOT封装） - 也称为与迈来芯

包代码“SE”

静电放电

无刷直流

4绝对最大额定值

参数

符号

电源电压

V

DD

电源电流

I

DD

输出电压

V

OUT

输出电流

I

OUT

存储温度范围

T

S

最高结温

T

J

表1 ：绝对最大额定值

价值

20

50

20

50

-50-150

165

单位

V

mA

V

mA

°C

°C

超过绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大

长时间在额定条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度范围

温度后缀“E”

温度后缀“K”

温度后缀“L”

符号

T

A

T

A

T

A

价值

-40到85

-40至125

-40至150

单位

°C

°C

°C

5引脚定义和描述

SE PIN

№

UA引脚

№

名字

1

1

VDD

2

3

OUT

3

2

GND

表2 ：引脚定义和描述

TYPE

供应

产量

地

功能

电源电压引脚

开漏输出引脚

接地引脚

SE包

UA封装

3901003881

修订版014

第11 3

数据表

Feb/06

US3881

霍尔闩锁

低压&高灵敏度

6通用电气规格

DC操作参数T

A

= 25℃ ，V

DD

= 12V （除非另有规定）

参数

符号

电源电压

V

DD

电源电流

I

DD

输出饱和电压

V

DSON

输出漏电流

I

关闭

输出上升时间

t

r

输出下降时间

t

f

最大开关频率

F

SW

SE封装热阻

R

TH

UA封装热阻

R

TH

表3 ：电气规格

测试条件

操作

B < B

RP

I

OUT

= 20mA时， B > B

OP

B < B

RP ，

V

OUT

= 24V

R

L

= 1kΩ的，C

L

= 20pF的

R

L

= 1kΩ的，C

L

= 20pF的

单层（1S） JEDEC的板

民

2.2

1.5

典型值

2.5

0.4

0.01

0.25

0.25

10

301

200

最大

18

5

0.5

10

单位

V

mA

V

A

s

s

千赫

° C / W

° C / W

o

7磁性产品规格

DC操作参数T

A

= 25℃ ，V

DD

= 2.2V至18V （除非另有规定）

参数

符号

工作点

B

OP

放点

B

RP

迟滞

B

HYST

工作点

B

OP

放点

B

RP

迟滞

B

HYST

表4 ：磁性产品规格

测试条件

ê规范。 ，T

A

= 85°C

民

1

-9

5.5

1

-9

5.5

典型值

5

-5

10

5

-5

10

最大

9

-1

12

9

-1

12

单位

mT

mT

mT

mT

mT

mT

o

L规格。 ，T

A

= 150°C

8输出行为与磁极

DC操作参数T

A

= -40 ℃至150℃ ，V

DD

= 2.2V至18V （除非另有规定）

参数

测试条件（ SE ） OUT （ SE ）测试条件（ UA ）

南极

B < B

RP

高

B > B

OP

北极

B > B

OP

低

B < B

RP

表5 ：输出行为与磁极

OUT （ UA）的

低

高

o

o

南极

北极

北极

OUT =高

南极

OUT =低（V

DSON

)

UA封装

OUT =高

OUT =低（V

DSON

)

SE包

3901003881

修订版014

第11 4

数据表

Feb/06

US3881

霍尔闩锁

低压&高灵敏度

9详细概述

基于混合信号CMOS技术， Melexis的US3881是一个霍尔效应器件具有高磁

敏感性。这种多用途闩西服大多数应用要求。

在斩波稳定放大器采用开关电容技术来抑制一般的偏移

霍尔传感器和放大器观察。该CMOS技术使这一先进技术可能

并有助于减小芯片尺寸和更低的功耗比双极技术。小芯片

大小也最大限度地减少物理应力的效果的一个重要因素。

这种组合导致了更稳定的磁特性和实现了更快，更精确的设计。

2.2V至18V ，低电流消耗和大量可供选择的工作温度工作电压

据“L” ，“K”和“E”的规范的范围内，使该器件适合于汽车，工业和

消费者低电压应用。

的输出信号是开漏型。这样的输出可以与TTL或CMOS逻辑简单的连接使用

一个上拉电阻的上拉电压和器件的输出之间并列。

10个独特的特点

在US3881展品锁磁性开关特性。因此，这就要求南方和北方

极到正常操作。

SE包 - 闭锁特性

UA封装 - 闭锁特性

该设备表现为具有对称操作和释放开关点一个锁存器（B

OP

=|B

RP

|）。这

是指具有同等的强度和方向相反的磁场驱动输出高，低。

去除磁场（B → 0 ）维持在以前的状态输出。此锁定属性定义

器件作为磁存储器。

磁滞B

HYST

保持B

OP

和B

RP

由一个极小值分开。这种滞后防止

输出振荡接近的切换点。

3901003881

修订版014

第11个5

数据表

Feb/06

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

特点和优点

斩波稳定放大器级

优化BDC电机的应用

新的微型封装/超薄，高可靠性封装

操作降到2.2V

CMOS的最佳稳定性，质量和成本

应用

固态开关

无刷直流电机换向

速度传感

线性位置传感

角度位置传感器

电流检测

订购信息

产品型号

US3881

US3881

温度后缀

包

温度范围

E

SO或UA

-40

o

C至85

o

C商业级

L

SO或UA

-40

o

C至150

o

C汽车

*联系工厂或销售代表遗留下的选择

工作原理图

描述

在US3881是双极霍尔效应传感器集成电路fabri-

从混合信号CMOS技术的标识。它IN-

公司债券先进的斩波稳定技

niques提供准确而稳定的磁

开关点。有许多应用程序为这个

传感器除了上面列出的那些。 DE-的

标志，规格和性能已经

在5V的整流应用进行了优化，并

12V直流无刷电机。

输出晶体管将在（B锁存

OP

）中的

一个足够强大的南极mag-存在

NETIC字段对着包的标记侧。

类似地，输出将被锁存关（乙

RP

）中的

存在北场。

SO封装

引脚1 - V

DD

2脚 - 输出

引脚3 - GND

V

DD

产量

电压

调节器

断路器

GND

UA封装

引脚1 - V

DD

引脚2 - GND

引脚3 - 输出

采用SOT- 23装置从UA封装反转

年龄。采用SOT -23输出晶体管将被锁定

在一个足够强大的北方存在

极磁场进行标记的面。

注意：

静电敏感器件;请遵守ESD预防措施。重 -

诗V

DD

保护不被包括在内。对于反向电压PROTEC -

化，串联V一个100Ω的电阻

DD

值得推荐。

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

3901003881版本4.2

7/23/01

第1页

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

US3881电气规格

DC操作参数：t

A

= 25, V

DD

= 12V

DC

（除非另有规定） 。

参数

电源电压

电源电流

饱和电压

输出漏

输出上升时间

输出下降时间

符号测试条件

V

DD

操作

I

DD

V

DS （ ON）

I

关闭

t

r

t

f

B<B

OP

I

OUT

= 20毫安， B>B

OP

B<B

RP

, V

OUT

= 18V

V

DD

= 12V ，R

L

= 1.1kΩ ，C

L

= 20pF的

V

DD

= 12V ，R

L

= 1.1kΩ ，C

L

= 20pF的

民

2.2

1.5

典型值

2.5

0.4

0.01

0.04

0.18

最大

18

4.0

0.5

5.0

单位

V

mA

V

ìA

ìs

ìs

US3881磁规格

DC操作参数：t

A

= -40至150

o

C，V

DD

=12 V

DC

（除非另有规定） 。 1mT的= 10高斯。

参数

工作点

放点

迟滞

符号测试条件

B

OP

B

RP

B

HYS

民

1.0

-9.0

5.5

典型值

5.0

-5.0

10.0

最大

9.0

-1.0

12.0

单位

mT

mT

mT

绝对最大额定值

电源电压（工作） ，V

DD

电源电流（故障） ，我

DD

输出电压V

OUT

输出电流（故障） ，我

OUT

功耗，P

D

工作温度范围，T

A

存储温度范围，T

S

最高结温，T

J

ESD敏感度（所有引脚）

18V

50mA

18V

50mA

100mW

-40 ℃150℃

-65 ℃150℃

175°C

+/- 4kV的

迈来芯公司保留随时更改，恕不另行通知以下所有产品在提高可靠性，功能或设计的权利。迈来芯

不承担因使用本文所述的任何产品或电路的任何产品或应用而产生的任何责任。

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

3901003881版本4.2

7/23/01

第2页

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

性能图

典型的磁开关点

与

电源电压

12.5

典型的磁开关点

与

温度

12.5

3881

3881

B

HYS

7.5

B

OP

2.5

7.5

磁通密度（MT ）

磁通密度（MT ）

B

OP

2.5

-2.5

B

RP

-7.5

-2.5

B

RP

-7.5

-12.5

0

5

10

15

20

25

30

-12.5

-40

0

40

80

120

160

200

电源电压（ V）

温度（

o

C)

最小/最大磁开关

范围

与

温度

12.5

输出电压

与

通量密度

25

3881

3881

7.5

B MAX

OP

20

V

DD

B

OP

磁通密度（MT ）

输出电压（V）

2.5

B敏

OP

15

B

RP

10

-2.5

B

P

最大

R

-7.5

5

B

P

民

R

V

OUT

-12.5

-40

0

0

40

80

120

160

200

-30

-20

-10

0

1

0

2

0

30

温度（

o

C)

磁通密度（MT ）

US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

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US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

性能图

性能图

典型电源电流

与

电源电压

5

典型的饱和电压

与

温度

V

DD

= 12 V，I

OUT

= 20mA下

3881

500

3881

4

T

A

=

-40

o

C

400

V

DS （ ON）

电源电流（mA ）

V

DS （ ON）

（毫伏）

3

T

A

= 25

o

C

300

2

T

A

= 125

o

C

200

1

100

0

0

5

10

15

20

25

30

0

-40

0

40

80

120

160

200

电源电压（ V）

温度（

o

C)

功耗

与

温度

500

波峰焊参数

所有器件

所有器件

280

封装功耗（ MW）

400

UAPackage

R

J A

=206

o

C / W

θ

300

o

焊锡温度（℃ ）

260

240

200

220

100

SOPackage

R

θ

J A

=575

o

C / W

0

-40

200

0

40

80

120

160

200

0

5

10

15

20

25

30

温度

(

o

C)

时间波峰焊（秒）

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US3881 CMOS低压霍尔效应锁存

US3881

CMOS低压霍尔效应锁存

独特的功能

CMOS霍尔IC技术

斩波稳定放大器采用开关

电容技术来消除放大器

偏移电压，从而，在双极型器件，是一

对温度敏感的漂移主要来源。

CMOS使这一先进技术possi-

BLE 。 CMOS芯片也远小于

双极芯片，使非常复杂的税务局局长

cuitry被放置在更小的空间。小芯片

大小也有助于降低身体的压力

和更低的功耗。

应用

如果电源反向保护需要，使用重

体管串联的与V

DD

引脚。意志电阻

限制电源电流（故障） ，我

DD

，到50毫安。

对于严重的EMC条件下，使用该应用程序

下面的电路。

安装

考虑霍尔IC的温度系数，

磁性元件，以及空气间隙的生活杂物 - 时间

系统蒸发散。观察波形时的温度极限

焊接。

应用实例

汽车及严重

环境的保护电路

R

1

100

V

DD

D1

Z1

C1

供应

电压

4.7nF

两线制电流可选

偏置电路

R

L

I

DD

V

R

L

1.2K

OUT

C2

4.7nF

DD

I

IN

IOUT

霍尔IC

V

SS

R

b

霍尔IC

该电阻器R

b

和R

L

可用于偏置输入电流Iin的。

参考部分规范限制值。该电路将有助于

获得精确的ON和OFF电流的期望。

B

RP

= Ioff = （V

DD

/ RB + I

DD

)

B

OP

= =离子（的Ioff + V

DD

/ R

L

)

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