US3415
P沟道20V的快速开关MOSFET
概述
在US3415是最高性能trenc
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
在US3415符合RoHS和绿色产品
要求， 100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
ESD额定值： 3000V HBM
G
D
S
产品综述
BV
DSS
-20V
应用
R
DS （ ON）
73m
ID
-4A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
SOT23封装，引脚配置
D
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
-20
±8
-4.0
-3.5
-30
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
结温和存储温度范围
热数据
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
吨10S
稳态
稳态
R
R
JA
JL
典型值
65
85
43
最大
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1
US3415
P沟道20V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250 A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
8
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.3
-25
35
48
45
56
16
-0.78
-1
-2.2
1450
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
205
160
6.5
17.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-4A
1.3
4.5
9.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.5 ,
R
根
=3
I
F
= -4A ，的di / dt = 100A / S
17
94
35
31
13.8
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
43
60
54
73
-0.55
民
-20
-1
-5
±1
±10
-1
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
典型值
最大
单位
V
A
A
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ，的di / dt = 100A / S
答： R的值
JA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨10秒的热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
JA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
JL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80年代的脉冲，占空比0.5 ％以下得到。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2
US3415
P沟道20V的快速开关MOSFET
典型特征
25
20
15
10
V
GS
=-1.5V
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
80
归一化的导通电阻
V
GS
=-1.8V
R
DS （ ON）
(m )
60
V
GS
=-2.5V
40
V
GS
=-4.5V
20
0
2
4
6
8
10
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.6
I
D
= -4A ，V
GS
=-2.5V
1.4
I
D
= -2A ，V
GS
=-1.8V
2
0
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
25°C
10
V
DS
=-5V
8
-2.0V
-I
D
(A)
-I
D
(A)
-2.5V
6
4
125°C
-8V
-4.5V
-3.0V
1.2
I
D
= -4A ，V
GS
=-4.5V
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
100
90
80
R
DS （ ON）
(m )
70
I
D
=-4A
-I
S
(A)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
25°C
125°C
60
1E-03
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
125°C
50
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-04
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
40
25°C
性能和可靠性，恕不另行通知。
1E-05
30
1E-06
20
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
3
US3415
P沟道20V的快速开关MOSFET
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
5
10
15
20
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-4A
电容（pF）
2400
2000
1600
1200
800
C
OSS
400
C
RSS
0
0
5
10
15
20
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
国际空间站
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
40
10 s
30
功率（W）的
100 s
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
10
10ms
0.1s
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
R
JA
=90°C/W
JA
.R
JA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
Z
0.01
0.00001
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
4
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