US3401
P沟道30V的快速开关MOSFET
概述
该US3401是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的小功率开关和负载的
交换机的应用程序。
在US3401符合RoHS和绿色产品
全功能的可靠性要求获得批准。
产品综述
BV
DSS
-30V
应用
R
DS （ ON）
120m
ID
-4.2A
高频点的负载同步s
小功率开关为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
绿色设备可用
负荷开关
SOT23封装，引脚配置
D
G
D
S
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
B
漏电流脉冲
T
A
=25°C
功耗
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
-30
±12
-4.2
-3.5
-30
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热数据
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
C
最大结对铅
符号
A
A
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
65
85
43
最大
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1
US3401
P沟道30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.2A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
7
53
80
11
-0.75
-0.7
-25
42
50
75
65
120
-1
-2.2
-1
民
-30
-1
-5
±100
-1.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
正向跨导
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
t
rr
Q
rr
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
954
115
77
6
9.4
2
3
6.3
3.2
38.2
12
20.2
11.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-4A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3.6,
R
根
=6
I
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 UNITPOWER不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 UNITPOWER保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2
US3401
P沟道30V的快速开关MOSFET
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
-Q
g
（ NC ）
8
10
12
1400
1200
电容（pF）
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
-V
DS
（伏）
20
25
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
V
DS
=-15V
I
D
=-4A
图7 ：栅极电荷特性
图8 ：电容特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
40
10s
功率（W）的
100s
1ms
0.1s
30
20
10
10s
DC
10
-V
DS
（伏）
100
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
10.0有限
1.0
1s
10ms
0.1
0.1
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
图1O ：单脉冲功率额定值结
- 到 - 环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1000
图11归最大瞬态热阻抗
4
QQ：2881677436 复制
