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US3400
N-CH 30V的快速开关MOSFET
概述
该US3400是最高性能的沟
N沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的小功率开关和负载的
交换机的应用程序。
在US3400符合RoHS和绿色产品
全功能的可靠性要求获得批准。
产品综述
BV
DSS
30V
应用
R
DS （ ON）
52m
ID
5.8A
高频点的负载同步s
小功率开关为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
绿色设备可用
负荷开关
SOT23封装，引脚配置
D
G
D
S
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
B
漏电流脉冲
T
A
=25°C
功耗
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
30
±12
5.8
4.9
30
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热数据
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
C
最大结对铅
符号
A
A
吨10S
稳态
稳态
R
R
JA
JL
典型值
65
85
43
最大
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1
US3400
N-CH 30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=5.8A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
10
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
0.6
30
22.8
32
27.3
43.3
15
0.71
1
2.5
823
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
99
77
1.2
9.7
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=5.8A
1.6
3.1
3.3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.7 ,
R
根
=3
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / S
4.8
26.3
4.1
16
8.9
5
7
40
6
20
12
3.6
12
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
1030
28
39
33
52
---
民
30
1
5
100
1.1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5A ，的di / dt = 100A / S
答： R的值
JA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨10秒的热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
JA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
JL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80年代的脉冲，占空比0.5 ％以下得到。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2
US3400
N-CH 30V的快速开关MOSFET
典型特征
25
20
10V
3V
16
4.5V
2.5V
12
I
D
(A)
V
DS
=5V
20
15
I
D
(A)
10
V
GS
=2V
8
125°C
25°C
5
4
0
0
2
3
4
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
1
5
0
0
0.5
1.5
2
2.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1
3
60
50
R
DS （ ON）
(m )
40
30
20
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=2.5V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
V
GS
=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
70
60
I
D
=5A
R
DS （ ON）
(m )
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
I
S
(A)
125°C
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
25°C
125°C
3
US3400
N-CH 30V的快速开关MOSFET
典型特征
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1400
V
DS
=15V
I
D
=5A
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
100 s
1ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10ms
40
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
10.0有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
R
JA
=90°C/W
JA
.R
JA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
Z
JA
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
4
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