US2305
Unitpoower
P沟道增强型MOSFET
BV
DSS
D
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面安装器件
S
SOT-23
G
-20V
65mΩ
- 4.2A
R
DS （ ON）
I
D
D
G
采用SOT -23封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
等级
- 20
± 12
-4.2
-3.4
-10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
US2305
Unitpoower
参数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
分钟。
-20
-
-
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
MAX 。单位
-
-
53
65
100
250
-
-
-1
-10
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10.6
2.32
3.68
5.9
3.6
32.4
2.6
740
167
126
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 12V
I
D
=-4.2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-4.2A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=3.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -4.2A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27.7
22
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
US2305
P沟道20V的快速开关MOSFET
概述
该US2305是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的小功率开关和负载的
交换机的应用程序。
在US2305符合RoHS和绿色产品
全功能的可靠性要求获得批准。
产品综述
BV
DSS
-20V
应用
R
DS （ ON）
65m
ID
-4.2A
高频点的负载同步s
小功率开关为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
绿色设备可用
负荷开关
SOT23封装，引脚配置
D
D
S
SOT-23
G
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
- 20
± 12
-4.2
-3.4
-10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
90
单位
℃/W
1
US2305
P沟道20V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-20
-
-
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
MAX 。单位
-
-
53
65
100
250
-
-
-1
-10
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10.6
2.32
3.68
5.9
3.6
32.4
2.6
740
167
126
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 12V
I
D
=-4.2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-4.2A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=3.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的特性
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -4.2A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27.7
22
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
2
QQ：2880707522 复制
