US1881

霍尔闩锁器 - 高灵敏度

特点和优点

宽工作电压范围为3.5V至24V

高磁灵敏度 - 多功能

CMOS技术

斩波稳定放大器级

低电流消耗

开漏输出

薄型SOT23 3L和扁平TO- 92 3L

既符合RoHS标准的封装

应用实例

汽车，消费和工业

固态开关

无刷直流电机换向

速度检测

线性位置检测

角度位置检测

接近检测

订购信息

产品型号

US1881

US1881

US1881

US1881

US1881

US1881

温度代码

E（ -40 ° 85 °

C

C)

E（ -40 ° 85 °

C

C)

K（ -40°至125 °

C

C)

K（ -40°至125 °

C

C)

L（ -40°至150℃ ）

C

L（ -40°至150℃ ）

C

封装代码

SE （ TSOT -3L ）

UA （ TO-92 ）

SE （ TSOT -3L ）

UA （ TO-92 ）

SE （ TSOT -3L ）

UA （ TO-92 ）

1功能框图

2概述

迈来芯US1881是霍尔效应锁存

设计混合信号CMOS技术。

该器件集成了稳压器，霍尔

与动态偏移取消系统传感器，

施密特触发器和开漏输出驱动器，所有的

在单个封装中。

由于其宽的工作电压范围和

温度范围扩展的选择，这是很

适用于汽车，工业和利用

消费类应用。

该装置递送至薄型小外形

晶体管（ TSOT ）表面贴装工艺和

在塑料单列直插（ TO- 92平）的吞吐量

孔安装。

这两个3引脚封装均符合RoHS标准。

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数据表

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霍尔闩锁器 - 高灵敏度

目录

1功能框图........................................................................................................ 1

2一般Description........................................................................................................ 1

3术语表.......................................................................................................... 3

4绝对最大额定值.............................................. ............................................. 3

5引脚定义和说明............................................. ...................................... 3

6通用电气规格.............................................. .................................... 4

7磁性规格............................................... .................................................. 4

8输出行为与磁极............................................ .......................... 4

9详细概述.............................................. ........................................... 5

10个独特的Features............................................................................................................五

11性能图............................................... .................................................. 6 ...

11.1磁学参数与T

A

.....................................................................................................................6

11.2磁学参数与V

DD

...................................................................................................................6

11.3 V

DSON

与T

A

..............................................................................................................................................6

11.4 V

DSON

与V

DD

............................................................................................................................................6

11.5 I

DD

与T

A

..................................................................................................................................................6

11.6 I

DD

与V

DD

................................................................................................................................................6

11.7 I

关闭

与T

A

.................................................................................................................................................7

11.8 I

关闭

与V

DD

...............................................................................................................................................7

12测试Conditions............................................................................................................. 7

12.1供应Current.........................................................................................................................................7

12.2输出饱和电压.......................................................................................................................7

12.3输出漏电流..........................................................................................................................7

12.4磁阈值...............................................................................................................................7

13应用Information................................................................................................ 8

13.1典型的三线应用电路....................................................................................................8

13.2两线制......................................................................................................................................8

13.3汽车和苛刻，噪声环境三线制电路....................................... ..................... 8

14应用评论............................................... .................................................. 8

15关于迈来芯产品与制造标准信息

不同的焊接工艺............................................... ............................................ 9

16 ESD注意事项........................................................................................................... 9

17包Information................................................................................................... 10

17.1 SE套餐(TSOT-3L).........................................................................................................................10

17.2 UA封装（ TO- 92平） .......................................................................................................................11

18 Disclaimer.................................................................................................................... 12

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3术语表

毫特斯拉（ mT）表示，高斯

RoHS指令

TSOT

ESD

BLDC

工作点（B

OP

)

释放点（B

RP

)

磁通密度的单位：

1mT的= 10高斯

有害物质限制

薄小外形晶体管（ TSOT封装） - 也称为与迈来芯

包代码“SE”

静电放电

无刷直流

施加于包装的品牌一侧转动磁通密度

输出驱动器接通（Ⅴ

OUT

= V

DSON

)

施加于包装的品牌一侧转动磁通密度

输出驱动器关闭（Ⅴ

OUT

=高）

4绝对最大额定值

参数

符号

电源电压

V

DD

电源电流

I

DD

输出电压

V

OUT

输出电流

I

OUT

存储温度范围

T

S

最高结温

T

J

表1 ：绝对最大额定值

价值

28

50

28

50

-50-150

165

单位

V

mA

V

mA

°C

°C

超过绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大

长时间在额定条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度范围

温度后缀“E”

温度后缀“K”

温度后缀“L”

符号

T

A

T

A

T

A

价值

-40到85

-40至125

-40至150

单位

°C

°C

°C

5引脚定义和描述

SE PIN

№

UA引脚

№

名字

1

1

VDD

2

3

OUT

3

2

GND

表2 ：引脚定义和描述

TYPE

供应

产量

地

功能

电源电压引脚

开漏输出引脚

接地引脚

SE包

UA封装

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6通用电气规格

DC操作参数T

A

= 25℃ ，V

DD

= 3.5V至24V （除非另有说明）

参数

符号

电源电压

V

DD

电源电流

I

DD

输出饱和电压

V

DSON

输出漏电流

I

关闭

输出上升时间

t

r

输出下降时间

t

f

最大开关频率f

SW

封装热阻

R

TH

表3 ：电气规格

测试条件

操作

B < B

RP

I

OUT

= 20mA时， B > B

OP

B < B

RP ，

V

OUT

= 24V

R

L

= 1kΩ的，C

L

= 20pF的

R

L

= 1kΩ的，C

L

= 20pF的

单层（1S） JEDEC的板

民

3.5

典型值

最大

24

5

0.5

10

单位

V

mA

V

A

s

s

千赫

° C / W

o

0.3

0.25

0.25

10

301

7磁性产品规格

DC操作参数V

DD

= 3.5V至24V （除非另有说明）

参数

符号

工作点

B

OP

放点

B

RP

迟滞

B

HYST

工作点

B

OP

放点

B

RP

迟滞

B

HYST

工作点

B

OP

放点

B

RP

迟滞

B

HYST

表4 ：磁性产品规格

测试条件

ê规范。 ，T

A

= 85°C

民

0.5

-9.5

7

0.5

-9.5

7

0.5

-9.5

6

典型值

最大

9.5

-0.5

12

9.5

-0.5

12

9.5

-0.5

12.5

单位

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

规范。 ，T

A

= 125°C

L规格。 ，T

A

= 150°C

注1：对于典型值，请参阅性能图中的第11条

8输出行为与磁极

DC操作参数T

A

= -40 ℃至150℃ ，V

DD

= 3.5V至24V （除非另有说明）

参数

测试条件（ SE ） OUT （ SE ）测试条件（ UA ）

南极

B < B

RP

高

B > B

OP

北极

B > B

OP

低

B < B

RP

表5 ：输出行为与磁极

OUT （ UA）的

低

高

o

o

南极

北极

北极

OUT =高

南极

OUT =低（V

DSON

)

UA封装

OUT =高

OUT =低（V

DSON

)

SE包

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9详细概述

基于混合信号CMOS技术， Melexis的US1881是一个霍尔效应器件具有高磁

敏感性。这种多用途闩西服大多数应用要求。

在斩波稳定放大器采用开关电容技术来抑制偏移一般观察

霍尔传感器和放大器。该CMOS技术使得这种先进的技术可以和

有助于更小的芯片尺寸和更低的功耗比双极技术。小芯片尺寸是

也是一个重要因素，以最小化物理应力的效果。

这种组合导致了更稳定的磁特性和实现了更快，更精确的设计。

从3.5V到24V ，低电流消耗和大量可供选择的操作的宽工作电压

据“L”的温度范围内，“K”和“E”的规范，使该器件适合于汽车，

工业和消费应用。

的输出信号是开漏型。这样的输出可以与TTL或CMOS逻辑简单的连接使用

一个上拉电阻的上拉电压和器件的输出之间并列。

10个独特的特点

在US1881展品锁磁性开关特性。因此，这就要求南方和北方

极到正常操作。

SE包 - 闭锁特性

UA封装 - 闭锁特性

该设备表现为具有对称操作和释放开关点一个锁存器（B

OP

=|B

RP

|）。这

是指具有同等的强度和方向相反的磁场驱动输出高，低。

去除磁场（B → 0 ）维持在以前的状态输出。此锁定属性定义

器件作为磁存储器。

磁滞B

HYST

保持B

OP

和B

RP

由一个极小值分开。这种滞后防止

输出振荡接近的切换点。

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