US1881

特点和优点

斩波稳定放大器级

优化

无刷直流

电机应用

微型高可靠性封装

操作降到3.5V

CMOS最佳的稳定性，质量和成本

低功耗

订购信息

产品型号

US1881

US1881

US1881

温度后缀

E（ -40 ° 85 °

C

C)

K（ -40°至125 °

C

C)

L（ -40°至150°

C

C)

封装代码

SO （ SOT- 23）或UA （ TO- 92 ）

SO （ SOT- 23）或UA （ TO- 92 ）

SO （ SOT- 23）或UA （ TO- 92 ）

应用

固态开关

无刷直流电机换向

速度传感

线性位置传感

角度位置传感器

电流检测

引脚说明：

1功能框图

UA套餐：

1脚： VDD - 电源

PIN2 ： GND - 接地

引脚3 ：输出 - 输出

SO封装：

1脚： VDD - 电源

PIN2 ： OUT - 输出

引脚3 ： GND - 接地

注意：

静电敏感器件;请遵守

ESD预防措施。反向电压保护不IN-

cluded 。对于反向极性保护，一个100欧姆的电阻

串联结合V

DD

值得推荐。

说明2

该US1881是业界第一霍尔集成电路SOT- 23封装。在US1881是双极霍尔效应

基于混合信号CMOS技术的传感器集成电路。它采用了先进的斩波稳定技术，

提供精确和稳定的磁开关点。有除了那些许多应用对于本HED

上面列出。设计，规格和性能进行了优化，在5V的整流应用

和12V直流无刷电机。

在UA封装器件的输出晶体管将在一个足够强的南方存在被锁存（ BOP）

极磁场朝向封装的标记侧。类似地，输出将在锁存关（ BRP ）

存在北场。采用SOT -23器件的行为是相反的UA设备。请问SOT- 23输出晶体管

在（B被锁定

OP

）在足够强的北极磁场对标记侧存在

.

3901001881

修订版014

第12页1

Jun/05

US1881

目录

1

2

3

4

5

6

7

8

实用Diagram....................................................................................................1

描述.................................................................................................................1

词汇表Terms......................................................................................................3

绝对最大额定值............................................... ....................................... 3

US1881电气特性............................................... ............................. 3

磁Characteristics...........................................................................................4

独特的功能.........................................................................................................4

性能图 - 除非另有说明， TA = 25

o

C， VDD = 12V ............... 5

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

典型的磁开关点VS V

DD

........................................................................... 5

磁开关点与温度............................................. ............................ 5

输出电压随磁通密度（滞后） ......................................... 5 ...........

典型的饱和电压与温度（V

DD

= 12V ; IOUT = 20mA）的................................. 5

典型电源电流与V

DD

........................................................................................ 6

最大功率耗散（ MPD ）对温度.......................................... ...... 6

9

应用信息................................................ ............................................. 7

9.1

9.2

9.3

典型的三线应用电路............................................ ................................ 7

两线制............................................................................................................. 7

汽车和苛刻，噪声环境三线制电路..................................... 7

10

11

12

13

14

应用注释................................................ .............................................. 7

引脚定义和说明.............................................. ................................ 7

可靠性报告................................................ ............................................... 8

ESD注意事项........................................................................................................8

物理Characteristics............................................................................................9

UA封装信息............................................... .................................................. 9

SOT23封装信息............................................... .......................................... 10

14.1

14.2

15

放弃.................................................................................................................11

3901001881

修订版014

第11 2

Jun/05

US1881

3术语表

毫特斯拉（ mT）表示，高斯：

磁通密度的单位; 1毫特斯拉= 10高斯。

CMOS =

补充

金属氧化物硅 -

一项技术构建逻辑电路，它采用两个“N”

和“P”沟道MOS晶体管。它允许人们有很多的晶体管消耗小编集成电路

的功率。

4绝对最大额定值

参数

电源电压（工作）

电源电流（故障）

输出电压

输出电流（故障）

功耗， UA / SO封装

最高结温

储存温度

符号

V

DD

I

DD

V

OUT

I

OUT

P

D

T

J

T

S

价值

24

50

24

50

700/389

165

-50-150

单位

V

mA

V

mA

mW

°

C

°C

超过绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大

长时间在额定条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度范围

温度后缀“E”

温度后缀“K”

温度后缀“L”

价值

-40到85

-40至125

-40至150

单位

°

C

°

C

°

C

5 US1881电气特性

DC操作参数：t

A

= 25℃ ，V

DD

= 12V （除非另有规定）

参数

电源电压

电源电流

饱和电压

输出漏

输出上升时间

输出下降时间

最大开关

频率

符号

VDD

I

DD

V

DS （ ON）

I

关闭

t

r

t

f

FSW

测试条件

操作

B < B

OP

I

OUT

= 20mA时， B > B

OP ，

V

DD

=4.5÷18V

B < B

RP

, V

OUT

=24V

V

DD

= 12V ，R

L

= 1K ，C

L

= 20pF的

V

DD

= 12V ，R

L

= 1K ，C

L

= 20pF的

操作

民

3.5

1.1

典型值

2.0

0.4

0.01

0.04

0.18

10

最大

24

5.0

0.5

10

单位

V

mA

V

uA

us

us

千赫

o

3901001881

修订版014

第11 3

Jun/05

US1881

6磁特性

参数

工作点

放点

迟滞

工作点

放点

迟滞

工作点

放点

迟滞

工作点

放点

迟滞

符号

B

OP

B

RP

B

HYS

B

OP

B

RP

B

HYS

B

OP

B

RP

B

HYS

B

OP

B

RP

B

HYS

测试条件

E / LUA ， E / LSO ，TA = 25℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

E / LUA ， E / LSO ，TA = 25℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

E / LUA ， E / LSO ，TA = 25℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

EUA ， ESO ，TA = 85℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

EUA ， ESO ，TA = 85℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

EUA ， ESO ，TA = 85℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

KUA ， KSO ，TA = 125℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

KUA ， KSO ，TA = 125℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

KUA ， KSO ，TA = 125℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

LUA ， LSO ，TA = 150℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

LUA ， LSO ，TA = 150℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

LUA ， LSO ，TA = 150℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

o

o

o

o

o

o

o

o

o

o

o

o

民

1.0

-9.0

7.0

0.5

-9.5

7.0

0.5

-9.5

7.0

0.5

-9.5

6.0

典型值

5.0

-5.0

10.0

5.0

-5.0

10.0

5.0

-5.0

10.0

5.0

-5.0

10.0

最大

9.0

-1.0

12.0

9.5

-0.5

12.0

9.5

-0.5

12.0

9.5

-0.5

12.5

单位

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

注意：

1 MT = 10高斯

7独特功能

CMOS霍尔IC技术

在斩波稳定放大器采用开关电容技术来消除放大器的失调电压，

其中，在双极型器件，是对温度敏感的漂移的主要来源。 CMOS使得这种先进

技术成为可能。 CMOS芯片也比双极芯片小得多，从而允许非常复杂的

电路被放置在更小的空间。小芯片尺寸也有助于降低物理应力和少

功耗。

3901001881

修订版014

第11 4

Jun/05

US1881

8性能图 -

除非另有说明， TA = 25

o

C， VDD = 12V

8.1

典型的磁开关点VS V

DD

8.2

磁开关点与温度

8.3

输出电压随磁通密度

8.4

（滞后）

典型的饱和电压与温度

TURE （V

DD

=12V;Iout=20mA)

3901001881

修订版014

第11个5

Jun/05

US1881

特点和优点

斩波稳定放大器级

优化

无刷直流

电机应用

微型高可靠性封装

操作降到3.5V

CMOS最佳的稳定性，质量和成本

低功耗

订购信息

产品型号

US1881

US1881

US1881

温度后缀

E（ -40 ° 85 °

C

C)

K（ -40°至125 °

C

C)

L（ -40°至150°

C

C)

封装代码

SO （ SOT- 23）或UA （ TO- 92 ）

SO （ SOT- 23）或UA （ TO- 92 ）

SO （ SOT- 23）或UA （ TO- 92 ）

应用

固态开关

无刷直流电机换向

速度传感

线性位置传感

角度位置传感器

电流检测

引脚说明：

1功能框图

UA套餐：

1脚： VDD - 电源

PIN2 ： GND - 接地

引脚3 ：输出 - 输出

SO封装：

1脚： VDD - 电源

PIN2 ： OUT - 输出

引脚3 ： GND - 接地

注意：

静电敏感器件;请遵守

ESD预防措施。反向电压保护不IN-

cluded 。对于反向极性保护，一个100欧姆的电阻

串联结合V

DD

值得推荐。

说明2

该US1881是业界第一霍尔集成电路SOT- 23封装。在US1881是双极霍尔效应

基于混合信号CMOS技术的传感器集成电路。它采用了先进的斩波稳定技术，

提供精确和稳定的磁开关点。有除了那些许多应用对于本HED

上面列出。设计，规格和性能进行了优化，在5V的整流应用

和12V直流无刷电机。

在UA封装器件的输出晶体管将在一个足够强的南方存在被锁存（ BOP）

极磁场朝向封装的标记侧。类似地，输出将在锁存关（ BRP ）

存在北场。采用SOT -23器件的行为是相反的UA设备。请问SOT- 23输出晶体管

在（B被锁定

OP

）在足够强的北极磁场对标记侧存在

.

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修订版014

第12页1

Jun/05

US1881

目录

1

2

3

4

5

6

7

8

实用Diagram....................................................................................................1

描述.................................................................................................................1

词汇表Terms......................................................................................................3

绝对最大额定值............................................... ....................................... 3

US1881电气特性............................................... ............................. 3

磁Characteristics...........................................................................................4

独特的功能.........................................................................................................4

性能图 - 除非另有说明， TA = 25

o

C， VDD = 12V ............... 5

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

典型的磁开关点VS V

DD

........................................................................... 5

磁开关点与温度............................................. ............................ 5

输出电压随磁通密度（滞后） ......................................... 5 ...........

典型的饱和电压与温度（V

DD

= 12V ; IOUT = 20mA）的................................. 5

典型电源电流与V

DD

........................................................................................ 6

最大功率耗散（ MPD ）对温度.......................................... ...... 6

9

应用信息................................................ ............................................. 7

9.1

9.2

9.3

典型的三线应用电路............................................ ................................ 7

两线制............................................................................................................. 7

汽车和苛刻，噪声环境三线制电路..................................... 7

10

11

12

13

14

应用注释................................................ .............................................. 7

引脚定义和说明.............................................. ................................ 7

可靠性报告................................................ ............................................... 8

ESD注意事项........................................................................................................8

物理Characteristics............................................................................................9

UA封装信息............................................... .................................................. 9

SOT23封装信息............................................... .......................................... 10

14.1

14.2

15

放弃.................................................................................................................11

3901001881

修订版014

第11 2

Jun/05

US1881

3术语表

毫特斯拉（ mT）表示，高斯：

磁通密度的单位; 1毫特斯拉= 10高斯。

CMOS =

补充

金属氧化物硅 -

一项技术构建逻辑电路，它采用两个“N”

和“P”沟道MOS晶体管。它允许人们有很多的晶体管消耗小编集成电路

的功率。

4绝对最大额定值

参数

电源电压（工作）

电源电流（故障）

输出电压

输出电流（故障）

功耗， UA / SO封装

最高结温

储存温度

符号

V

DD

I

DD

V

OUT

I

OUT

P

D

T

J

T

S

价值

24

50

24

50

700/389

165

-50-150

单位

V

mA

V

mA

mW

°

C

°C

超过绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大

长时间在额定条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度范围

温度后缀“E”

温度后缀“K”

温度后缀“L”

价值

-40到85

-40至125

-40至150

单位

°

C

°

C

°

C

5 US1881电气特性

DC操作参数：t

A

= 25℃ ，V

DD

= 12V （除非另有规定）

参数

电源电压

电源电流

饱和电压

输出漏

输出上升时间

输出下降时间

最大开关

频率

符号

VDD

I

DD

V

DS （ ON）

I

关闭

t

r

t

f

FSW

测试条件

操作

B < B

OP

I

OUT

= 20mA时， B > B

OP ，

V

DD

=4.5÷18V

B < B

RP

, V

OUT

=24V

V

DD

= 12V ，R

L

= 1K ，C

L

= 20pF的

V

DD

= 12V ，R

L

= 1K ，C

L

= 20pF的

操作

民

3.5

1.1

典型值

2.0

0.4

0.01

0.04

0.18

10

最大

24

5.0

0.5

10

单位

V

mA

V

uA

us

us

千赫

o

3901001881

修订版014

第11 3

Jun/05

US1881

6磁特性

参数

工作点

放点

迟滞

工作点

放点

迟滞

工作点

放点

迟滞

工作点

放点

迟滞

符号

B

OP

B

RP

B

HYS

B

OP

B

RP

B

HYS

B

OP

B

RP

B

HYS

B

OP

B

RP

B

HYS

测试条件

E / LUA ， E / LSO ，TA = 25℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

E / LUA ， E / LSO ，TA = 25℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

E / LUA ， E / LSO ，TA = 25℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

EUA ， ESO ，TA = 85℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

EUA ， ESO ，TA = 85℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

EUA ， ESO ，TA = 85℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

KUA ， KSO ，TA = 125℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

KUA ， KSO ，TA = 125℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

KUA ， KSO ，TA = 125℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

LUA ， LSO ，TA = 150℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

LUA ， LSO ，TA = 150℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

LUA ， LSO ，TA = 150℃ ， VDD = 3.5 ... 24V DC

o

o

o

o

o

o

o

o

o

o

o

o

民

1.0

-9.0

7.0

0.5

-9.5

7.0

0.5

-9.5

7.0

0.5

-9.5

6.0

典型值

5.0

-5.0

10.0

5.0

-5.0

10.0

5.0

-5.0

10.0

5.0

-5.0

10.0

最大

9.0

-1.0

12.0

9.5

-0.5

12.0

9.5

-0.5

12.0

9.5

-0.5

12.5

单位

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

mT

注意：

1 MT = 10高斯

7独特功能

CMOS霍尔IC技术

在斩波稳定放大器采用开关电容技术来消除放大器的失调电压，

其中，在双极型器件，是对温度敏感的漂移的主要来源。 CMOS使得这种先进

技术成为可能。 CMOS芯片也比双极芯片小得多，从而允许非常复杂的

电路被放置在更小的空间。小芯片尺寸也有助于降低物理应力和少

功耗。

3901001881

修订版014

第11 4

Jun/05

US1881

8性能图 -

除非另有说明， TA = 25

o

C， VDD = 12V

8.1

典型的磁开关点VS V

DD

8.2

磁开关点与温度

8.3

输出电压随磁通密度

8.4

（滞后）

典型的饱和电压与温度

TURE （V

DD

=12V;Iout=20mA)

3901001881

修订版014

第11个5

Jun/05