初步
45
特点
从>40分贝纹波衰减
60赫兹至1MHz
集成的OR'ing二极管支持
N + 1冗余
显著改善负载
瞬态响应
转换效率高达98 ％
用户可以选择性能优化
结合有源和无源滤波
3-30Vdc输入范围
20和30的电流额定值
数据表
MicroRAM
TM
输出纹波衰减模块
专利正在申请中
显示实际尺寸：
2.28 X 1.45 X 0.5
57,9 X 36.8 X 12.7毫米
产品亮点
Vicor的MicroRAM输出纹波衰减
模块结合了主动和被动
过滤比40dB的实现更大
噪声衰减由60Hz至1MHz的。该
MicroRAM工作在到的范围内的3
30V直流，可在20或30A
模式，与大多数兼容
厂家开关转换器
包括Vicor的第1和第2代
DC-DC变换器。
该MicroRAM的闭环架构
极大地提高了负载的瞬态响应和
采用双模式控制，确保精确点
负载电压调节， MicroRAM
支持冗余和并联运行
凭借其集成的OR'ing二极管功能。
这是Vicor的标准微可用
包（ 1/4砖）与各种
终端的通孔，插座或
表面贴装应用。
绝对最大额定值
参数
+进行-IN
+进行-IN
负载电流
输入纹波（ Vp-p的）
输入纹波（ Vp-p的）
安装力矩
引脚焊接温度
引脚焊接温度
存储温度（ C，T级）
储存温度（ H级）
储存温度（M级）
工作温度（C级）
工作温度（T ， H级）
工作温度（M级）
等级
30
40
40
100
500
4-6 (0.45-0.68)
500 (260)
750 (390)
-40到+125
-55到+125
-65到+125
-20至100
-40至+100
-55到+100
单位
VDC
VDC
ADC
mV
mV
在。磅（NM ）
°F （℃）
°F （℃）
°C
°C
°C
°C
°C
°C
笔记
连续
100ms
连续
60Hzc100千赫
100kHz–2MHz
每6 ， 4-40螺丝
5秒;波峰焊
7秒;波峰焊
底板
底板
底板
热阻
参数
底板下沉;平，脂面
底板下沉;用热垫（ P / N 20264 ）
底座到环境
底板到环境; 1000 LFM
典型值
0.16
0.14
8.0
1.9
单位
° C /瓦
° C /瓦
° C /瓦
° C /瓦
零件编号
URAM
产品
2
TYPE
2 = 20A
3 = 30A
C
产品等级
C = -20 ° C至+ 100°C
T = -40 ° C至+ 100°C
H = -40 ° C至+ 100°C
M = -55 ° C至+ 100°C
2
插针形式*
1 =短引脚
2 =长销
S =短ModuMate
N =长ModuMate
1
底板
1 =开槽
2 =螺纹
3 =通孔
*引脚款式S & N为与套接和表面安装ModuMate互连系统兼容。
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电气特性
电特性的应用超过输入电压，输出功率和基板温度的整个工作范围内，除非
另有规定。所有温度是指在操作温度在底板的中心。
μRAM模块规格
（ -20 ° C至+ 100°C底板温度）
参数
工作电流范围
RAM2xxx
RAM3xxx
工作输入电压
瞬态输出响应
负载电流阶跃<1A /微秒
瞬态输出响应
负载电流阶跃<1A /微秒
(C
TRAN
= 820F)
V
HR
净空电压范围
(1)
@ 1A的负载
输出纹波
输入VP -P = 100mV的
325
民
0.02
0.02
3.0
典型值
最大
20
30
30
50
单位
A
A
VDC
MVP -P
笔记
无内部电流限制。转换器的输入必须是
适当地融合，使得μRAM输出电流
不超过最大工作电流
等级超过30 ％的稳定状态条件下。
连续
阶跃负载变化;
参见图9 ，图12， & 15 ，第6-7页
可选电容C
TRAN
可以使用
提高暂态电流能力;参见图
1 & 2页。 3和图10 ，图13， & 16第6-7页
参见图5，图6 & 7
见表1余量设置电阻值
纹波频率为60Hz至100kHz ;可选电容
C
HR
= 100μF需要增加低频
衰减，如图3a和3b中
参见图8 ，图11， & 14 ，第6-7页
纹波频率在100kHz至2MHz ;
参见图8 ，图11， & 14 ，第6-7页
见表1 R
SC
价值
VIN - Vout的
50
MVP -P
425
10
5
mV
MVP -P
毫伏有效值
输出纹波
输入VP -P = 500mV的
SC输出电压
(2)
或所得门槛
μRAM偏置电流
功耗
μRAM2xxx V
HR
= 380mV @ 1A
μRAM3xxx V
HR
= 380mV @ 1A
7.5
11.5
1.23
10
10
5
MVP -P
毫伏有效值
VDC
mV
60
mA
W
W
VIN = 28V ; IOUT = 20A
VIN = 28V ; IOUT = 30A
(1)
净空是+输入和输出+引脚之间的电压差。
R
HR
= （ μRAM + OUT / V
HR
）× 2.3K （见表1为示例值）
SC电阻需要修剪器输出高达容纳μRAM模块的扩展空间时，遥感
不被使用。当在转换器的微调参考是在1.21至1.25伏的范围内，此功能仅可使用。
（见表1与计算的r-
SC
电阻值）
R
SC
= （ （ μRAM +输出） /1.23V X 1K ） - 2K
(2)
μRAM出
3.0V
5.0V
12.0V
15.0V
24.0V
28.0V
V
HR
@ 1A
375mV
375mV
375mV
375mV
375mV
375mV
R
HR
值（欧姆）
18.4k
30.6k
73.6k
92.0k
147.2k
171.7k
R
SC
值（欧姆）
0.439k
2.07k
7.76k
10.20k
17.50k
20.76k
表1 -R的
HR
和R
SC
对于一个375mV的情况下的计算值。为了计算不同的电压裕量，而标准电阻
值和公差，使用注意事项1和2 。
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电气特性（续）
应用示意图使用VICOR转换器和μRAM
R
SENSE
(2)
5.1
+ IN
+ OUT
22F
PC
+S
+ IN
SC
SC
C
TRAN
–S
+ OUT
直流 - 直流
变流器
PR
In
内存
R
HR
V
REF
C
HR
*
Out
C
TRAN
*
In
Out
*
可选组件
图1典型
利用遥感配置
+ IN
PC
PR
In
+ OUT
+ IN
+ OUT
直流 - 直流
变流器
R
SC
SC
SC
C
TRAN
内存
R
HR
V
REF
C
HR
*
Out
Out
C
TRAN
*
*
可选组件
In
图2典型
配置上采用SC控制（ Oppional
HR
25μF最大的SC配置。 ）
功能说明
该MicroRAM有一个内部的无源滤波器，
有效地衰减纹波在50kHz至1MHz的范围内。
有源滤波器的衰减提供了从低频
到1MHz的范围内。用户必须设置净空
与外部R电压的有源块的
HR
电阻器
以优化性能。该MicroRAM必须连接
如示于图1或2根据负载传感
方法。瞬变负载电流性能可以
增加通过加入可选的C
TRAN
电容
到C
TRAN
引脚。低频纹波衰减
可以增加另外可选的C
HR
电容
于V
REF
销，如图3a和3b所示，在页码。 5 。
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瞬时负载电流由内部C供给
TRAN
电容，加上可选外部电容，在
花费的时间的转换循环的增加作出反应
在负荷。该MicroRAM的有源环路大致响应
一微秒到输出电压扰动。那里
有限制的大小和变化的速度
瞬态电流，该MicroRAM可以维持而
该转换器的响应。参见图8-16 ，在第6和7所示，
对于动力性能的例子。一个更大的扩展空间
电压设置将提供更多的瞬态性能，
纹波衰减和功耗，同时降低
总效率（参见图4a，4b ，4c和4d上的第5页） 。
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功能说明（续）
有源环路检测输出电流，并降低了
以线性方式净空电压近似
MicroRAM的恒功率消耗的增加
载荷（参见图5，图6 & 7 ，第6页） 。净空设置
可以减小，以减少功耗，其中
瞬态电压要求低，效率纹波
衰减是主要的性能问题。
活动的动态余量范围上的限制低
由初始的余量设置和最大结束
预期负载。如果在应用程序中的最大负载是
10A的，例如， 1安培的余量可设置
为75mV低，以节省电力，而且还有活跃
净空高度为10安培的最大负载电流。该
高端或最大净空范围由限定
内部或运算二极管功能。
在SC或修剪机功能，可以使用遥控器时，
遥感是不提供源代码转换器或不
可取的。它是专门用于与转换器设计
1.23伏参考，并像一个1K欧姆输入阻抗
Vicor的第二代转换器。相比于远程
感应，使SC配置将在负载的错误
电压与负载电流。这将是成正比的
输出电流和负载路径的距离的电阻
输出的MicroRAM给负载的。
在或运算功能可以防止电流流动
在MicroRAM的输出反馈通过它的输入端
在事件冗余系统的配置是一个
转换器输出失败。当变换器输出
供应MicroRAM下垂下面的输出进行逻辑或运算
冗余系统的电压电势，对所述输入
MicroRAM从它的输出隔离。比50毫安少
将流出MicroRAM的输入端的过
在此条件下的全范围的输入电压。
+ IN
SC
C
TRAN
In
被动
块
活跃
块
+ OUT
SC
控制
V
REF
Out
内存
框图
应用笔记
负载电容可以影响整体的相位裕度
该MicroRAM有源环路以及相位裕
转换循环。分布式的变量，如
载荷路径，所述电容器的类型和值的电感
以及它的ESR和ESL也会影响在瞬态能力
的负载。下面的准则应考虑
当点负载电容是用来与MicroRAM
为了保持最少30度的相位裕度。
2）的情况下的负载电容相连接
直接向MicroRAM ，即输出无
走线电感，并且ESR为>1毫：
（一） 20μF至200μF负载电容需要一个ESL
>50nH的
（二） 200μF至1,000μF负载电容的需要
>5nH的ESL
3 ）直接在输出端加低ESR电容
MicroRAM的端子，不推荐并
可能会导致稳定性问题。
4）在实践中，分布板或导线的电感，在一个
加载或负载板将是足够的隔离
该MicroRAM的任何负载电容输出
并尽量减少对相位裕度的任何明显的影响。
1）使用具有<1milliohm陶瓷负载电容
ESR和ESL <1nH ：
（一） 20μF至200μF需要跟踪/线20nH
加载路径的电感
（二） 200μF至1,000μF需要跟踪/线60nH
加载路径的电感
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RAM2xxx
纹波衰减@ 28V （室温）
20.00
20.00
纹波衰减@ 5V （室温）
0.00
0.00
-20.00
增益（dB ）
增益（dB ）
-40.00
-20.00
-40.00
-60.00
-60.00
-80.00
10
100
1,000
10,000
频率。 （赫兹）
100,000
1,000,000
10,000,000
-80.00
10
100
1,000
10,000
频率。 （赫兹）
100,000
1,000,000
10,000,000
10A ， 100uF的Vref的
10A ，无Vref的帽
10A ， 100uF的Vref的
10A ，无Vref的帽
图3a，图3b -曲线
作为上测量网络分析仪具有典型的示范小信号衰减性能
在（一） 28V和10A的输出和（b）的5V和10A的模块。低频衰减可以通过连接一个100μF的增强
电容C
HR
，在V
REF
销，如图1和图2 。
-0
VOUT = 3V的Iload = 20A
100度的基板温度
RHR = 28K （ Vheadroom = 90MV ）
27K （ 100毫伏）
26K （仅为110mV ）
25K （ 122mV ）
24K （ 135mV ）
23K （为150mV ）
22K （ 160mV的）
-0
VOUT = 28V的Iload = 20A
100度的基板温度
RHR = 260K （ Vheadroom = 90MV ）
250K （ 100毫伏）
240K （仅为110mV ）
230K （ 122mV ）
220K （ 135mV ）
210K （为150mV ）
200K （ 160mV的）
-25
-25
-50
-50
-75
17K （ 260mV ）
18K （ 240mV以内）
19K （ 217mV ）
20K （ 197mV ）
21K （ 180mV ）
100Hz
1.0KHz
... DB （ V（ VOUT ） ）
频率
10KHz
100KHz
1.0MHz
-75
150K （ 260mV ）
160K （ 240mV以内）
170K （ 217mV ）
180K （ 197mV ）
190K （ 180mV ）
100Hz
1.0KHz
... DB （ V（ VOUT ） ）
频率
10KHz
100KHz
1.0MHz
10Hz
10Hz
图4a - 4b中，模拟
图表显示出衰减与净空的权衡在20放大器和等效设置
100 ℃的基板温度为3V至28V 。
-10
-20
Rhr=28k
27k
在100kHz 3V
500kHz的3V
1Mhz为3V
26k
dB
-10
Rhr=260k
28V 20A
-20
-30
-40
-50
dB
250k
240k
230k
100kHz的28V
500kHz的28V
1Mhz为28V
-30
-40
-50
-60
-70
3.0
25k
24k
23k
22k
21k
20k
220k
210k
200k
190k
180k
170k
160k
150k
19k
18k
17k
-60
-70
3.5
4.0
4.5
瓦
5.0
5.5
6.0
3.0
3.5
4.0
4.5
瓦
5.0
5.5
6.0
图4c - 4D- MicroRam
衰减与在3V 20A和28V 20A功率耗散。
注：
图8-16测量是用μRAM2C21和标准示波器探头具有20MHz带宽的示波器设置。的标准瞬态电流
性能如下：瞬态负载电流阶跃从10A被递增到所指示的峰值，然后往后退至10A直至所得到的输出峰到
峰值约为40mV以内。
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