数据表
砷化镓集成电路
μ
PG2409T6X
高功率SPDT开关的WiMAX
TM
描述
该
μ
PG2409T6X是GaAs MMIC高功率SPDT （单刀双掷）开关，它被设计为
WiMAX的。
此装置可从0.05至6.0 GHz的操作频率，将具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用6引脚塑料TSON （薄型小输出线无引脚） （ T6X ）封装。这包
是适合于高密度的表面安装。
特点
开关控制电压
低插入损耗
: V
续（H ）
= 3.0 V （典型值） 。
: V
CONT （ L）
= 0 V TYP 。
: L
插件
= 0.45 dB典型值。 @ F = 2.5 GHz的
: L
插件
= 0.55 dB典型值。 @ F = 3.8 GHz的
: L
插件
= 0.65 dB典型值。 @ F = 6.0 GHz的
高隔离
： ISL = 30 dB典型值。 @ F = 2.5 GHz的
： ISL = 30 dB典型值。 @ F = 3.8 GHz的
： ISL = 27 dB典型值。 @ F = 6.0 GHz的
电源处理
: P
在（1 dB）的
= 36.0 dBm的典型。 @频率= 0.05至6.0千兆赫
高密度表面安装： 6引脚塑料TSON （ T6X ）封装（ 1.5
×
1.5
×
0.37 mm)
应用
WiMAX和无线LAN （ IEEE802.11a的/ B / G / N ）
订购信息
产品型号
订单号
包
6 - pin塑料TSON
（ T6X ） （无铅）
记号
G5R
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量3千件/卷
μ
PG2409T6X-E2
μ
PG2409T6X-E2-A
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
μ
PG2409T6X
小心虽然此设备被设计成尽可能的ESD （静电放电），为坚固的能
损坏此设备。此设备必须在任何时候都不受ESD保护。静电荷可以
容易产生对人体或设备的几千伏的电位，它可以
放电而不被发现。行业标准的ESD防范措施必须在任何时候都可以使用。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PG10773EJ01V0DS （第1版）
发布日期2009 NS月
日本印刷
2009
μ
PG2409T6X
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V ，Z
O
= 50
Ω,
隔直流电容器= 8 PF，除非另有
特定网络版）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
插入损耗4
插入损耗5
隔离1
隔离2
隔离3
隔离4
5隔离
回波损耗1
回波损耗2
回波损耗3
回波损耗4
0.1分贝有损压缩
输入功率
注3
符号
L
插件
1
L
插件
2
L
插件
3
L
插件
4
L
插件
5
ISL1
ISL2
ISL3
ISL4
ISL5
RL1
RL2
RL3
RL4
P
在（0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.050.5千兆赫
F = 0.52.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5 3.8 GHz的
F = 3.8 6.0 GHz的
F = 0.050.5千兆赫
F = 0.52.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5 3.8 GHz的
F = 3.8 6.0 GHz的
F = 0.050.5千兆赫
F = 0.52.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至6.0千兆赫
F = 0.56.0千兆赫
注2
注1
注1
注1
分钟。
25
25
25
22
15
15
10
典型值。
0.35
0.40
0.45
0.55
0.65
30
30
30
30
27
20
20
20
15
+34.0
马克斯。
0.65
0.70
0.80
0.90
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
注2
注2
注2
1分贝有损压缩
输入功率
注4
P
在（1 dB）的
F = 0.050.5千兆赫
F = 0.56.0千兆赫
注1
+34.0
+36.0
+36.0
70
70
+60
0.1
100
10
250
DBM
DBM
dBc的
dBc的
DBM
注2
第二谐波
三次谐波
输入3阶截取点
开关控制电流
开关控制速度
2f
0
3f
0
国际投资头寸
3
I
CONT
t
SW
F = 2.5千兆赫，P
in
= +30 dBm的
F = 2.5千兆赫，P
in
= +30 dBm的
F = 2.5 GHz的
无RF输入
50％的CTL 90 /10％的射频
μ
A
ns
注意事项1 。
隔直流电容器= 1 000 pF的在f = 0.050.5 GHz的
2.
隔直流电容= 56 pF的在f = 0.5 2.0千兆赫
3.
P
在（0.1 dB为单位）
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加0.1分贝多于的
线性范围。
4.
P
在（1 dB）的
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加1分贝多于的
线性范围。
注意使用此设备的隔直流电容器是必要的。
数据表PG10773EJ01V0DS
3
μ
PG2409T6X
评估电路
1 000 pF的
C1
RF1
1
V
CONT
1
6
2
RFC
5
3
C1
记
RF2
C1
4
V
CONT
2
1 000 pF的
记
C1 ： 0.050.5 GHz的1 000 pF的
：0.5至2.0千兆赫
： 2.0 6.0 GHz的
56 pF的
8 pF的
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
应用信息
C1
开关
C1
C1
L
ESD
C1是DC外部设备直电容。
该值可被定制，以提供特定的电响应。
射频接地连接应保持尽可能的短，并且连接到直接到了良好的RF接地
为了获得最佳性能。
L
ESD
提供，以增加附着到一个特定的RF端口的ESD保护，典型的端口的装置
天线。
4
数据表PG10773EJ01V0DS
μ
PG2409T6X
典型特征（T
A
= + 25°C ，隔直流电容器= 8 pF的，除非另有规定）
RFC-RF1/RF2
插入损耗与频率
0.0
–0.1
V
续（H ）
= 3.0 V
–10
0
V
续（H ）
= 3.0 V
RFC-RF1/RF2
隔离与频率的关系
插入损耗L
插件
（ dB）的
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–0.6
–0.7
–0.8
–0.9
–1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
隔离ISL （ dB）的
–20
–30
–40
–50
–60
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率f（ GHz）的
频率f（ GHz）的
RFC回波损耗与频率
0
V
续（H ）
= 3.0 V
–5
RF1 / RF2回波损耗与频率
0
V
续（H ）
= 3.0 V
–5
回波损耗RL （分贝）
–15
–20
–25
–30
–35
–40
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
回波损耗RL （分贝）
–10
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率f（ GHz）的
频率f（ GHz）的
RFC - RF1 / RF2插入损耗，
I
CONT
与开关控制电压（H）的
–0.2
1.0
0
–10
RFC - RF1 / RF2与隔离
开关控制电压（H ）
插入损耗L
插件
（ dB）的
–0.4
L
插件
–0.6
F = 2.5 GHz的
0.8
开关控制电流I
CONT
(
μ
A)
隔离ISL （ dB）的
–20
F = 6.0 GHz的
–30
2.5 GHz的
–40
–50
–60
2.0
0.6
6.0 GHz的
–0.8
0.4
–1.0
I
CONT
（无RF输入）
2.5
3.0
0.2
–1.2
2.0
0.0
3.5
2.5
3.0
3.5
开关控制电压（H ）V
续（H ）
(V)
开关控制电压（H ）V
续（H ）
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PG10773EJ01V0DS
5
QQ：2880707522 复制
