数据表
砷化镓集成电路
PG2214TB
L， S波段SPDT开关
描述
该
PG2214TB是GaAs MMIC为L， S波段的SPDT （单刀双掷）开关，它被用于研制
手机与另一个L， S波段应用。
该装置可以操作2个控制由控制电压1.8切换到5.3 V.该器件可从操作频率
0.05至3.0千兆赫，具有低插入损耗和高隔离度。
该器件采用6引脚超minimold包。这包是能够高密度的表面
安装。
特点
开关控制电压
: V
续（H ）
= 1.8 5.3 V（ 3.0 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗
: L
ins1
= 0.25 dB典型值。 @ F = 0.05 0.5千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins2
= 0.25 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins3
= 0.30 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins4
= 0.35 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins5
= 0.35 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离度
： ISL1 = 32 dB典型值。 @ F = 0.05 0.5千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 28 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL3 = 27 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL4 = 26 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL5 = 24 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
承受功率
: P
在（1 dB）的
= 27.0 dBm的典型。 @ F = 0.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: P
在（1 dB）的
= 20.0 dBm的典型。 @ F = 0.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 1.8 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 6针超级minimold封装（ 2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
应用
L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
TM
W- LAN ， WLL和蓝牙等。
订购信息
产品型号
包
6芯超minimold （ 2012）
记号
G4J
供给方式
压纹带8mm宽
销4 ，5，6面带的穿孔侧
数量3千件/卷
PG2214TB-E4
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2214TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PG10477EJ03V0DS （第3版）
发布日期2004年10月CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件，公司2004年
QQ：2881677436 复制
