砷化镓集成电路
PG2183T6C
4 W大功率SP4T开关
描述
该
PG2183T6C是GaAs MMIC SP4T （单刀四掷）开关，它是专为数字蜂窝
手机应用程序。
此装置可从0.5到2.5GHz的操作频率，将具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用16引脚塑料QFN （方形扁平无引脚） （ T6C ）封装。而这个包能
到高密度的表面安装。
特点
电源电压
待机模式电压
: V
BAT
= 2.9 3.2 V（ 3.0 V TYP 。 ）
: V
DD （H ）
= 1.7 V
BAT
V（ 2.65 V TYP 。 ）
: V
DD （ L）
= 0 0.05 V（ 0 V TYP 。 ）
开关控制电压
: V
续（H ）
= 1.7 V
BAT
V（ 2.65 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
= 0 0.05 V（ 0 V TYP 。 ）
工作频率
F = 0.5至2.5 GHz
低插入损耗
: L
插件
1 = 0.4 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
2 = 0.55 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
3 = 0.7 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离度
： ISL1 = 24 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 19 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL3 = 17 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
承受功率
: P
在（0.1 dB为单位）
= 37.5 dBm的典型。 @ F = 0.9千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: P
在（0.1 dB为单位）
= 35.0 dBm的典型。 @ F = 1.8千兆赫，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 16引脚塑料QFN （ T6C ）封装（ 3.0
3.0
0.75 mm)
应用
数字蜂窝电话等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
2183
供给方式
压纹带12mm宽
销13 ，14，15和16面带的穿孔侧
数量3千件/卷
PG2183T6C-E2
PG2183T6C - E2 -A 16引脚塑料QFN
（ T6C ） （无铅）
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2183T6C-A
小心
虽然此设备被设计成尽可能的ESD作为健壮（静电
放电）可能会损坏该设备。此设备必须在任何时候都不受ESD保护。静止
电荷可以容易地产生几千伏的电位，对人体或设备，这
能排出而不被发现。行业标准的ESD防范措施必须在任何时候都可以使用。
一号文件PG10762EJ01V0DS （第1版）
发布日期2009年NS五月
PG2183T6C
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
BAT
= 3.0 V, V
DD
= 2.65 V, V
续（H ）
= 2.65 V, V
CONT （ L）
= 0 V ，莫宁= 50
,
隔直
电容= 56 pF的，除非另有规定）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
隔离1
隔离2
隔离3
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1分贝有损压缩
输入功率1
记
符号
L
插件
1
L
插件
2
L
插件
3
ISL1
ISL2
ISL3
RL
in
RL
OUT
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 0.5至2.5 GHz
F = 0.5至2.5 GHz
分钟。
22
17
15
15
15
+37.0
典型值。
0.4
0.55
0.7
24
19
17
19
19
+37.5
马克斯。
0.55
0.8
0.95
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
P
在（0.1 dB为单位）
1 F = 0.9 GHz的
0.1分贝有损压缩
输入功率2
谐波1
记
P
在（0.1 dB为单位）
2 F = 1.8 GHz的
+34.0
+35.0
DBM
2f0
3f0
F = 0.9千兆赫，P
in
= 34.5 dBm的
75
75
72
75
0.55
0
0
0
0
0
0
0.5
65
65
62
62
1.5
10
0.1
0.1
100
100
100
100
5.0
100
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
mA
谐波2
2f0
3f0
F = 1.8千兆赫，P
in
= 31.5 dBm的
电池电流1
电池电流2
开关电源电流1
开关电源电流2
控制当前1-1
控制当前1-2
控制当前2-1
控制当前2-2
开关控制速度
启动时间
I
BAT
1
I
BAT
2
I
DD
1
I
DD
2
I
续1-1
I
续1-2
I
续2-1
I
续2-2
t
SW
主动模式，无射频
待机模式下，无射频
V
DD
：高，无射频
V
DD
：低，无射频
V
CONT
1 ：高，无射频
V
CONT
1 ：低，无射频
V
CONT
2 ：高，无射频
V
CONT
2 ：低，无射频
50％的CTL 90 /10％
时间开关投入运营
从该开关式电源电压
(V
DD
）变为高电平。
100
100
100
100
A
mA
mA
A
A
A
A
s
s
记
P
在（0.1 dB为单位）
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多0.1分贝比线性的
范围内。
注意这个装置是用它，必须使用隔直流电容器。
直流阻断电容器的值的选择应满足的频率
操作，带宽，转换速度和系统的实际电路板的情况。该
推荐的隔直电容值的范围是小于56 pF的。
4
数据表PG10762EJ01V0DS
PG2183T6C
评估电路
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
应用信息
L
ESD
提供，以增加附着到一个特定的RF端口的ESD保护，典型的端口的装置
天线。
该值可以被定制，以提供特定的电响应。
射频接地连接应保持尽可能的短，并且连接到直接到了良好的RF接地
为了获得最佳性能。
数据表PG10762EJ01V0DS
5
QQ：2880707522 复制
