UPG2253T6S前端IC
前端组件为450 MHz到2.5 GHz的应用
放大器器
无线网络连接蓝牙 ZigBee的自动抄表网状&家庭局域网 ISM频段应用
动力
低噪声放大器
IN
高功率
射频开关
CEL ZIC24xx
系统级芯片
802.15.4
收发器
OUT
UPG225x
前端IC
UPGxxxx
SP3T开关
动力
放大器器
低功耗
射频开关
前端
MMIC &晶体管功率放大器
UPG2118K
UPG2250T5N
UPG2301T5L
UPG2314T5N
UPG2251T6M
NE5500234
NE5511279A
NE5531079A
NESG250134
NESG260234
NESG270034
NE5520379A
NE664M04
NE5520279A
NESG2101M05
UPG2155TB
UPG2156TB
UPG2409TB/T6X
UPG2415TK/T6X
UPG2009TB
UPG2015TB
UPG2422TK
UPG2179TB
UPG2406TK / T6R
UPG2404T6Q
UPG2405T6Q
UPG2413T6M / T6Z
UPG2150T5L
UPG2253T6S
+19至+ 21dBm的GaAs RFIC ： PA ， 2 SPDTs ，过滤器，发射/接收分流路径
+ 31.5 dBm的三个阶段的GaAs MMIC
+ 23 dBm的两个阶段的GaAs HBT
+ 20 dBm的低电流的GaAs MMIC
+ 25 dBm的砷化镓MMIC ，完全匹配
硅LD- MOSFET ： 32.5 dBm的P
OUT
典型值
硅LD- MOSFET ： 40 dBm的P
OUT
典型值
硅LD- MOSFET ： 40 dBm的P
OUT
典型值
选择
0.8 Watt SiGe HBT
单层或多层掷
射频开关
1 Watt SiGe HBT
2.4 GHz的
5 -6 GHz的
450兆赫
915兆赫
2.4 GHz的
4
低噪声放大器
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
+ 25 dBm的砷化镓MMIC ，工作在1.8或3.0
GHz的
2.4
V
5 -6 GHz的
芯片组
收发器
4
4
4
4
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4
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4
2 Watt SiGe HBT
3瓦特LDMOS FET ： 35.5 dBm的P
OUT
典型值
0.4 Watt Silicon Bipolar Transistor Driver
LDMOS FET ： 32dBm的P
OUT
典型值
120 mW SiGe Bipolar Transistor Driver
SPDT ，低谐波，适用于高功率应用
SPDT ，低谐波，单控
SPDT ，高功率，高隔离
SPDT ，高功率，高隔离
SPDT ，高功率，高线性，无
妥协的性能
SPDT ，中功率，单控
SPDT ，伟大的全能MED功率器件，微型扁平引线PKG
SPDT ，业界最佳的低成本， MED电源开关，行业标准PKG
SPDT ，中功率，选择包
SP3T, high power, ideal for triple mode cellular phone, NFC
SP3T, miniature package for Bluetooth, WLAN, NFC
SP3T, medium power, low insertion loss, low profile package
SP3T ， 35分贝WLAN & B'tooth端口之间的隔离
低成本的CMOS单刀双掷，单控，薄型封装
SPDT, low insertion loss, high isolation, 1.8 or 3 V
单控砷化镓SPDT ，结核病或微型扁平引线封装TK
Low cost GaAs SPDT, performance guaranteed at 1.8 & 3.0 Volts
中等&高功率GaAs射频开关
低功耗CMOS &砷化镓射频开关
UPD5713TK
UPG2159T6R
UPG2012TB / TK
UPG2214TB / TK
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