数据表
砷化镓集成电路
PG2179TB
L， S波段SPDT开关
描述
该
PG2179TB是GaAs MMIC为L， S波段SPDT （单刀双掷）开关，它被开发
用于移动电话和其他L， S波段应用。该装置可以操作2个控制由控制电压2.5开关
到5.3 V.该设备可以从0.05到3.0 GHz的操作频率，将具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用6引脚超minimold包。这包是能够高密度的表面
安装。
特点
开关控制电压
低插入损耗
: V
续（H ）
= 2.5 5.3 V（ 3.0 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
: L
ins1
= 0.25 dB典型值。 @ F = 0.05 1.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins2
= 0.30 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins3
= 0.35 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
ins4
= 0.40 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离
电源处理
： ISL1 = 27 dB典型值。 @ F = 0.05 2.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 24 dB典型值。 @ F = 2.0 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: P
在（0.1 dB为单位）
= 29.0 dBm的典型。 @ F = 0.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: P
在（1 dB）的
= 32.0 dBm的典型。 @ F = 0.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 6针超级minimold封装（ 2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
应用
L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
PCS ，W -LAN ， WLL和蓝牙
TM
等等
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
G4C
供给方式
压纹带8mm宽
销4 ，5，6面带的穿孔侧
数量3千件/卷
PG2179TB-E4
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2179TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PG10454EJ02V0DS （第2版）
发布日期2004年3月CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件2003年， 2004年
PG2179TB
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0V ， DC截止电容器= 100pF的，除非另有规定）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
插入损耗4
隔离1
隔离2
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1分贝有损压缩
输入功率
Note2
符号
L
ins1
L
ins2
L
ins3
L
ins4
ISL1
ISL2
RL
in
RL
OUT
P
在（0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.051.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.05至2.0千兆赫
F = 2.0至3.0千兆赫
F = 0.05至3.0千兆赫
F = 0.05至3.0千兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 0.53.0千兆赫
Note1
Note1
Note1
分钟。
23
20
15
15
+25.5
+25.5
典型值。
0.25
0.30
0.35
0.40
27
24
20
20
+29.0
+29.0
+29.0
4
50
马克斯。
0.45
0.50
0.55
0.60
20
500
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
Note1
开关控制电流
开关控制速度
I
CONT
t
sw
无信号
50％的CTL 90 /10％的射频
A
ns
Note1.
隔直流电容器= 1 000 pF的在f = 0.05至0.5千兆赫。
2.
P
在（0.1 dB为单位）
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多0.1分贝比线性的
范围内。
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
续（H ）
= 3.0 V, V
CONT （ L）
= 0V ， DC截止电容器= 100pF的，除非另有规定）
参数
1分贝有损压缩
输入功率
记
符号
P
在（1 dB）的
测试条件
F = 0.53.0千兆赫
分钟。
典型值。
+32.0
马克斯。
单位
DBM
第3阶互调截点
点
国际投资头寸
3
F = 0.5至3.0千兆赫， 2音
5 MHz的调味
+60.0
DBM
记
P
在（1 dB）的
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多1分贝比线性的
范围内。
注意当使用此IC，直流耦合电容必须从外部连接到I / O引脚。
的DC耦合电容器为100 pF或更低的电容，当使用推荐的
0.5 GHz或更高，和一个与1000皮法的电容频率时，建议
使用小于0.5 GHz的频率。根据不同的频率提供了理想值的变化和
带宽使用，所以根据用途选择具有合适电容的电容器
条件。
数据表PG10454EJ02V0DS
3
PG2179TB
评估电路
OUTPUT2
OUTPUT1
C
O
C
O
3
2
1
4
5
6
1 000 pF的
C
O
1 000 pF的
V
cont2
输入V
cont1
备注
C
O
： 0.050.5 GHz的1 000 pF的
0.5至3.0千兆赫100pF的
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
4
数据表PG10454EJ02V0DS
NEC的1.5W
UPG2179TB
L， S波段SPDT开关
特点
开关控制电压：
V
续（H ）
= 2.5 5.3 V（ 3.0 V TYP 。 ）
V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗：
0.25分贝TYP 。 @ 0.5 1.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
0.30分贝TYP 。 @ 1.0至2.0GHz ，V
CONT
= 3.0 V/0 V
0.35分贝TYP 。 @ 2.0至2.5 GHz ，V
CONT
= 3.0 V/0 V
0.40分贝TYP 。 @ 2.0 3.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
高隔离：
27分贝TYP 。 @ 0.5至2.0 GHz的
,
V
CONT
= 3.0 V/0 V
24分贝TYP 。 @ 2.0至2.5 GHz
,
V
CONT
= 3.0 V/0 V
高功率：
P
在（0.1 dB为单位）
= 29.0 dBm的典型。 @ 0.53.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
P
在（1 dB）的
= 32.0 dBm的典型。 @ 0.53.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
高密度表面贴装封装：
6针超级minimold包（2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
=无铅
描述
NEC的UPG2179TB是GaAs MMIC L， S波段单刀双掷（单
单刀双掷）开关，用于手机和
L，S波段应用从0.5至3.0千兆赫。
这种设备可以与2.5 50MHz到运营5.3 V
3 GHz的具有低插入损耗和高的隔离度。
该UPG2179TB装在一个无铅6引脚超minimold
包适合于高密度的表面安装。
应用
L ， S波段数字蜂窝电话和无绳电话
PCS ，W -LAN ， WLL和蓝牙
TM
短距离无线
订购信息
产品型号
UPG2179TB-E4-A
包
6针超级Minimold
记号
G4C
供给方式
压纹带8mm宽
销4 ，5，6面带的穿孔侧
数量3千件/卷
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样品订单部件编号： UPG2179TB -A
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
UPG2179TB
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
CONT
= 3.0 V / 0V ，隔直电容= 100pF的，除非另有specied ）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
插入损耗4
隔离1
隔离2
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1分贝有损压缩
输入功率
Note2
开关控制电流
开关控制速度
I
CONT
t
SW
符号
L
INS1
L
INS2
L
INS3
L
INS4
ISL
1
ISL
2
RL
in
RL
OUT
P
在（0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.52.0千兆赫
F = 2.0至3.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 0.53.0千兆赫
无信号
50％的CTL 90 /10％的射频
Note1
Note1
Note1
Note1
分钟。
23
20
15
15
+25.5
+25.5
典型值。
0.25
0.30
0.35
0.40
27
24
20
20
+29.0
+29.0
+29.0
4
50
马克斯。
0.45
0.50
0.55
0.60
20
500
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
μA
ns
注： 1 。
隔直流电容器= 1 000pF在f = 0.05至0.5千兆赫。
2.
P
IN （0.1 dB为单位）
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加0.1分贝多于的线性范围。
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
CONT
= 3.0 V / 0 V ， DC阻隔电容= 100pF的，除非另有specied ）
参数
1分贝有损压缩
输入功率
记
第3阶互调截点
点
国际投资头寸
3
F = 0.5至3.0千兆赫， 2音
5 MHz的间距
+60.0
DBM
符号
P
在（1 dB）的
测试条件
F = 0.53.0千兆赫
分钟。
典型值。
+32.0
马克斯。
单位
DBM
记
P
在（1 dB）的
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加1分贝多于的线性范围。
注意使用此设备的隔直流电容器是必要的。
直流阻断电容器的值的选择应以适应操作的频率，带宽，
开关速度，并与您的系统的实际电路板的条件。推荐范围
隔直电容值小于100 pF的频率高于0.5千兆赫， 1000 pF适用于频率
低于0.5 GHz的。
UPG2179TB
评估电路
(
V
cont1
= 3.0 V, V
cont2
= 0 V或V
cont2
= 0 V, V
cont1
= 3.0 V，片外隔直电容值C1 = 51 pF的， C2 = 1 000 pF的
（旁路） ，采用NEC标准评估板）
OUTPUT2
OUTPUT1
56 pF的
56 pF的
3
2
1
4
5
6
1 000 pF的
56 pF的
1 000 pF的
V
cont2
输入V
cont1
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
NEC的1.5W
UPG2179TB
L， S波段SPDT开关
特点
开关控制电压：
V
续（H ）
= 2.5 5.3 V（ 3.0 V TYP 。 ）
V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗：
0.25分贝TYP 。 @ 0.5 1.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
0.30分贝TYP 。 @ 1.0至2.0GHz ，V
CONT
= 3.0 V/0 V
0.35分贝TYP 。 @ 2.0至2.5 GHz ，V
CONT
= 3.0 V/0 V
0.40分贝TYP 。 @ 2.0 3.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
高隔离：
27分贝TYP 。 @ 0.5至2.0 GHz的
,
V
CONT
= 3.0 V/0 V
24分贝TYP 。 @ 2.0至2.5 GHz
,
V
CONT
= 3.0 V/0 V
高功率：
P
在（0.1 dB为单位）
= 29.0 dBm的典型。 @ 0.53.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
P
在（1 dB）的
= 32.0 dBm的典型。 @ 0.53.0千兆赫，V
CONT
= 3.0 V/0 V
高密度表面贴装封装：
6针超级minimold包（2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
=无铅
描述
NEC的UPG2179TB是GaAs MMIC L， S波段单刀双掷（单
单刀双掷）开关，用于手机和
L，S波段应用从0.5至3.0千兆赫。
这种设备可以与2.5 50MHz到运营5.3 V
3 GHz的具有低插入损耗和高的隔离度。
该UPG2179TB装在一个无铅6引脚超minimold
包适合于高密度的表面安装。
应用
L ， S波段数字蜂窝电话和无绳电话
PCS ，W -LAN ， WLL和蓝牙
TM
短距离无线
订购信息
产品型号
UPG2179TB-E4-A
包
6针超级Minimold
记号
G4C
供给方式
压纹带8mm宽
销4 ，5，6面带的穿孔侧
数量3千件/卷
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样品订单部件编号： UPG2179TB -A
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
UPG2179TB
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
CONT
= 3.0 V / 0V ，隔直电容= 100pF的，除非另有specied ）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
插入损耗4
隔离1
隔离2
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1分贝有损压缩
输入功率
Note2
开关控制电流
开关控制速度
I
CONT
t
SW
符号
L
INS1
L
INS2
L
INS3
L
INS4
ISL
1
ISL
2
RL
in
RL
OUT
P
在（0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.52.0千兆赫
F = 2.0至3.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 0.53.0千兆赫
无信号
50％的CTL 90 /10％的射频
Note1
Note1
Note1
Note1
分钟。
23
20
15
15
+25.5
+25.5
典型值。
0.25
0.30
0.35
0.40
27
24
20
20
+29.0
+29.0
+29.0
4
50
马克斯。
0.45
0.50
0.55
0.60
20
500
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
μA
ns
注： 1 。
隔直流电容器= 1 000pF在f = 0.05至0.5千兆赫。
2.
P
IN （0.1 dB为单位）
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加0.1分贝多于的线性范围。
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
CONT
= 3.0 V / 0 V ， DC阻隔电容= 100pF的，除非另有specied ）
参数
1分贝有损压缩
输入功率
记
第3阶互调截点
点
国际投资头寸
3
F = 0.5至3.0千兆赫， 2音
5 MHz的间距
+60.0
DBM
符号
P
在（1 dB）的
测试条件
F = 0.53.0千兆赫
分钟。
典型值。
+32.0
马克斯。
单位
DBM
记
P
在（1 dB）的
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加1分贝多于的线性范围。
注意使用此设备的隔直流电容器是必要的。
直流阻断电容器的值的选择应以适应操作的频率，带宽，
开关速度，并与您的系统的实际电路板的条件。推荐范围
隔直电容值小于100 pF的频率高于0.5千兆赫， 1000 pF适用于频率
低于0.5 GHz的。
UPG2179TB
评估电路
(
V
cont1
= 3.0 V, V
cont2
= 0 V或V
cont2
= 0 V, V
cont1
= 3.0 V，片外隔直电容值C1 = 51 pF的， C2 = 1 000 pF的
（旁路） ，采用NEC标准评估板）
OUTPUT2
OUTPUT1
56 pF的
56 pF的
3
2
1
4
5
6
1 000 pF的
56 pF的
1 000 pF的
V
cont2
输入V
cont1
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
QQ：2881677436 复制
