砷化镓集成电路
PG2160T5K
L， S波段单控SPDT开关
描述
该
PG2160T5K是GaAs MMIC为L， S波段的SPDT （单刀双掷）开关，其被开发
用于移动电话和其它L， S波段的应用程序。
此装置可从0.5到3.0 GHz的操作频率，具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用6引脚塑料TSSON （超薄紧缩无引脚小型输出线）封装，适合
用于高密度的表面安装。
特点
电源电压
开关控制电压
: V
DD
= 2.4 2.8 V（ 2.6 V TYP 。 ）
: V
续（H ）
= 2.4 V
DD
（ 2.6 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
以0.2 V （ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗
: L
插件
1 = 0.30 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
2 = 0.35 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
3 = 0.40 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
4 = 0.00 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离度
： ISL1 = 25 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 18 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL3 = 17 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL4 = 13 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
承受功率
: P
在（0.1 dB为单位）
= 21.0 dBm的典型。 @ F = 2.0 / 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 6引脚塑料封装TSSON （ 1.0
×
1.0
×
0.37 mm)
应用
L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
TM
W- LAN ， WLL和蓝牙等。
订购信息
产品型号
订单号
包
6引脚塑料TSSON
（无铅）
记
记号
G4
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量5千件/卷
PG2160T5K-E2
PG2160T5K-E2-A
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2160T5K-A
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10635EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年9月NS CP （ K）
2006
PG2160T5K
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V ， DC切电容= 56 pF的，除非另有
特定网络版）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
插入损耗4
隔离1
隔离2
隔离3
隔离4
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1分贝有损压缩
输入功率
记
符号
L
插件
1
L
插件
2
L
插件
3
L
插件
4
ISL1
ISL2
ISL3
ISL4
RL
in
RL
OUT
P
在（0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 2.0 / 2.5 GHz的
分钟。
22
15
14
10
15
15
+18.0
典型值。
0.30
0.35
0.40
0.50
25
18
17
13
20
20
+21.0
马克斯。
0.45
0.50
0.55
0.65
100
20
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
第二谐波
三次谐波
电源电流
开关控制电流
开关控制速度
2f
0
3f
0
I
DD
I
CONT
t
SW
F = 2.0 / 2.5千兆赫，P
in
= +10 dBm的
F = 2.0 / 2.5千兆赫，P
in
= +10 dBm的
无信号
65
65
75
75
50
4
150
dBc的
dBc的
A
A
ns
50％的CTL 90 /10％的射频
记
P
在（0.1 dB为单位）
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多0.1分贝比线性的
范围内。
注意此装置用于有必要使用DC截止电容器。
数据表PG10635EJ01V0DS
3
PG2160T5K
评估电路
V
DD
输入
V
CONT
1 000 pF的
C
0
1 000 pF的
6
5
4
1
2
3
C
0
C
0
OUTPUT1
OUTPUT2
备注
C
0
： 56 pF的
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
4
数据表PG10635EJ01V0DS
数据表
砷化镓集成电路
PG2160T5K
L， S波段SPDT开关
描述
该
PG2160T5K是GaAs MMIC为L， S波段的SPDT （单刀双掷）开关，其被开发
用于移动电话和其他L， S波段的应用程序。
此装置可从0.5到3.0 GHz的操作频率，将具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用6引脚塑料TSSON （超薄紧缩小型输出线无引脚）封装。这
包是能够高密度表面安装。
特点
电源电压
开关控制电压
: V
DD
= 2.4 2.8 V（ 2.6 V TYP 。 ）
: V
续（H ）
= 2.4 V
DD
（ 2.6 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
以0.2 V （ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗
: L
插件
1 = 0.30 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
2 = 0.35 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
3 = 0.40 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
4 = 0.00 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离度
： ISL1 = 25 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 18 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL3 = 17 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL4 = 13 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
承受功率
: P
在（0.1 dB为单位）
= 21.0 dBm的典型。 @ F = 2.0 / 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 6引脚塑料封装TSSON （ 1.0
×
1.0
×
0.37 mm)
应用
L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
TM
W- LAN ， WLL和蓝牙等。
订购信息
产品型号
订单号
包
6引脚塑料TSSON
（无铅）
记
记号
G4
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量5千件/卷
PG2160T5K-E2
PG2160T5K-E2-A
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2160T5K
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PG10635EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年9月NS CP （ K）
日本印刷
2006
PG2160T5K
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V ， DC切电容= 56 pF的，除非另有
特定网络版）
参数
插入损耗1
插入损耗2
插入损耗3
插入损耗4
隔离1
隔离2
隔离3
隔离4
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1分贝有损压缩
输入功率
记
符号
L
插件
1
L
插件
2
L
插件
3
L
插件
4
ISL1
ISL2
ISL3
ISL4
RL
in
RL
OUT
P
在（0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0至2.5 GHz
F = 2.5至3.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 0.53.0千兆赫
F = 2.0 / 2.5 GHz的
分钟。
22
15
14
10
15
15
+18.0
典型值。
0.30
0.35
0.40
0.50
25
18
17
13
20
20
+21.0
马克斯。
0.45
0.50
0.55
0.65
100
20
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
第二谐波
三次谐波
电源电流
开关控制电流
开关控制速度
2f
0
3f
0
I
DD
I
CONT
t
SW
F = 2.0 / 2.5千兆赫，P
in
= +10 dBm的
F = 2.0 / 2.5千兆赫，P
in
= +10 dBm的
无信号
65
65
75
75
50
4
150
dBc的
dBc的
A
A
ns
50％的CTL 90 /10％的射频
记
P
在（0.1 dB为单位）
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多0.1分贝比线性的
范围内。
注意此装置用于有必要使用DC截止电容器。
数据表PG10635EJ01V0DS
3
PG2160T5K
评估电路
V
DD
输入
V
CONT
1 000 pF的
C
0
1 000 pF的
6
5
4
1
2
3
C
0
C
0
OUTPUT1
OUTPUT2
备注
C
0
： 56 pF的
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
4
数据表PG10635EJ01V0DS
QQ：2881677436 复制
