数据表
砷化镓集成电路
PG2012TB
L波段单刀双掷开关
描述
该
PG2012TB是GaAs MMIC为L波段SPDT （单刀双掷）开关，用于进行开发
手机与另一个L波段应用。
此装置可从0.5 GHz的操作频率至2.5千兆赫，具有低插入损耗和高隔离度。
该器件采用6引脚超minimold包。这包是能够高密度的表面
安装。
特点
电源电压
开关控制电压
低插入损耗
: V
DD
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
: V
续（H ）
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
: L
INS1
= 0.27 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
: L
INS2
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
: L
INS3
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V （参考
值）
高隔离
： ISL1 = 28 dB典型值。 @ F = 0.5 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
： ISL2 = 25 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V （参考
值）
高密度表面安装： 6针超级minimold封装（ 2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
应用
L波段数字蜂窝或无绳电话
PCS ， W- LAN ， WLL和蓝牙
TM
等等
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
G3A
供给方式
压纹带8mm宽
销1 ，2，3面带的穿孔侧
数量3千件/卷
PG2012TB-E3
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2012TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PG10218EJ01V0DS （第1版）
发布日期2002年12月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件2002年
PG2012TB
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0V时， DC截止电容器= 56 pF的，除非另有规定）
°
参数
插入Loss1
插入Loss2
Isolation1
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1 dB增益压缩
输入功率
记
电源电流
开关控制电流
符号
L
INS1
L
INS2
ISL1
RL
in
RL
OUT
P
IN （0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 0.52.0千兆赫
F = 0.5至2.5 GHz
F = 0.5至2.5 GHz
F = 2.0 GHz的
分钟。
24
15
15
+17.5
典型值。
0.27
0.30
28
20
20
+20.5
马克斯。
0.50
0.50
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
I
DD
I
CONT
50
4
100
20
A
A
记
P
in(0.1dB)
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多0.1分贝比线性的
范围内。
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0V时， DC截止电容器= 56 pF的，除非另有规定）
°
参数
插入Loss3
Isolation2
1分贝增益压缩
输入功率
记
开关控制速度
符号
L
INS3
ISL2
P
在（1 dB）的
测试条件
F = 2.5 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
分钟。
典型值。
0.30
25
+24.0
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
t
SW
300
ns
记
P
in(1dB)
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多1分贝比线性的
范围内。
注意此装置用于有必要使用DC截止电容器。直流切电容器的值
应选择以适应操作中，带宽，开关速度的频率和
条件与系统的实际板。推荐的直流截止用电容的范围
值小于100pF的。
数据表PG10218EJ01V0DS
3
PG2012TB
评估电路（V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V ， DC切电容= 56 pF的）
OUTPUT1
OUTPUT2
56 pF的
56 pF的
1
2
3
6
5
4
56 pF的
1 000 pF的
1 000 pF的
V
DD
输入
V
CONT
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
4
数据表PG10218EJ01V0DS
NEC的
W单控制
UPG2012TB
L波段单刀双掷开关
特点
电源电压：
V
DD
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
开关控制电压：
V
续（H ）
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗：
L
INS1
= 0.27 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
L
INS2
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
L
INS3
= 0.35 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
（参考值）
高隔离：
ISL
1
= = 28 dB典型值。 @ F = 0.5 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
ISL
2
= 25 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
（参考值）
高密度表面安装：
6针超级minimold包（2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
描述
NEC的UPG2012TB是一个单一的控制的GaAs MMIC L波段
SPDT （单刀双掷）开关，用于手机
和L波段的应用程序。
此装置可从0.5至2.5 GHz的频率运行，具有低插入不正
化损耗和高隔离度。
该器件采用6引脚超minimold包，
适合于高密度的表面安装。
应用
L波段数字蜂窝或者无绳电话
PCS ，W -LAN ， WLL和蓝牙
TM
短距离无线
订购信息
产品型号
UPG2012TB-E3
包
6针超级Minimold
记号
G3A
供给方式
压纹带8mm宽
销1 ，2，3面带的穿孔侧
数量3千件/卷
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样品订单部件编号： UPG2012TB
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
UPG2012TB
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V ， DC阻隔电容= 56 pF的，除非另有规定编）
参数
插入Loss1
插入Loss2
Isolation1
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1 dB增益压缩
输入功率
记
电源电流
开关控制电流
符号
L
INS1
L
INS2
ISL1
RL
in
RL
OUT
P
IN （0.1 dB为单位）
I
DD
I
CONT
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 0.52.0千兆赫
F = 0.5至2.5 GHz
F = 0.5至2.5 GHz
F = 2.0 GHz的
分钟。
24
15
15
+17.5
典型值。
0.27
0.30
28
20
20
+20.5
50
4
马克斯。
0.50
0.50
100
20
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
A
A
记
P
在（0.1 dB为单位）
是所测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加0.1分贝大于线性的
范围内。
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V ， DC阻隔电容= 56 pF的，除非另有规定编）
参数
插入Loss3
Isolation2
1分贝增益压缩
输入功率
记
开关控制速度
符号
L
INS3
ISL2
P
在（1 dB）的
t
SW
测试条件
F = 2.5 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
分钟。
典型值。
0.30
25
+24.0
300
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
ns
小心
有必要使用与所述设备的隔直流电容器。
直流阻断电容器的值的选择应以适应操作的频率，
带宽，开关速度，并与您的系统的实际电路板的情况。推荐范围
隔直电容值小于100 pF的。
UPG2012TB
评估电路
(V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V ， DC阻隔电容= 56 pF的）
OUTPUT1
OUTPUT2
56 pF的
56 pF的
1
2
3
6
5
4
56 pF的
1 000 pF的
1 000 pF的
V
DD
输入
V
CONT
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
4-277
砷化镓集成电路
PG2012TB
L波段单刀双掷开关
描述
该
PG2012TB是GaAs MMIC为L波段SPDT （单刀双掷）开关，用于进行开发
手机与另一个L波段应用。
此装置可从0.5 GHz的操作频率至2.5千兆赫，具有低插入损耗和高隔离度。
该器件采用6引脚超minimold包。这包是能够高密度的表面
安装。
特点
电源电压
开关控制电压
低插入损耗
: V
DD
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
: V
续（H ）
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
: L
INS1
= 0.27 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
: L
INS2
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
: L
INS3
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V （参考
值）
高隔离
： ISL1 = 28 dB典型值。 @ F = 0.5 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
： ISL2 = 25 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V （参考
值）
高密度表面安装： 6针超级minimold封装（ 2.0
1.25
0.9 mm)
应用
L波段数字蜂窝或无绳电话
PCS ， W- LAN ， WLL和蓝牙
TM
等等
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
G3A
压纹带8mm宽
销1 ，2，3面带的穿孔侧
数量3千件/卷
供给方式
PG2012TB-E3
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2012TB-A
小心
:
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施
一号文件PG10218EJ01V0DS （第1版）
发布日期2002年12月CP （ K）
PG2012TB
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0V时， DC截止电容器= 56 pF的，除非另有规定）
参数
插入Loss1
插入Loss2
Isolation1
输入回波损耗
输出回波损耗
0.1 dB增益压缩
输入功率
记
符号
L
INS1
L
INS2
ISL1
RL
in
RL
OUT
P
IN （0.1 dB为单位）
测试条件
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 0.52.0千兆赫
F = 0.5至2.5 GHz
F = 0.5至2.5 GHz
F = 2.0 GHz的
分钟。
24
15
15
+17.5
典型值。
0.27
0.30
28
20
20
+20.5
马克斯。
0.50
0.50
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
电源电流
开关控制电流
I
DD
I
CONT
50
4
100
20
A
A
记
P
in(0.1dB)
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多0.1分贝比线性的
范围内。
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0V时， DC截止电容器= 56 pF的，除非另有规定）
参数
插入Loss3
Isolation2
1分贝增益压缩
输入功率
记
符号
L
INS3
ISL2
P
在（1 dB）的
F = 2.5 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
测试条件
分钟。
典型值。
0.30
25
+24.0
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
开关控制速度
t
SW
300
ns
记
P
in(1dB)
被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加了更多1分贝比线性的
范围内。
注意此装置用于有必要使用DC截止电容器。直流切电容器的值
应选择以适应操作中，带宽，开关速度的频率和
条件与系统的实际板。推荐的直流截止用电容的范围
值小于100pF的。
数据表PG10218EJ01V0DS
3
PG2012TB
评估电路（V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V ， DC切电容= 56 pF的）
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
4
数据表PG10218EJ01V0DS
QQ：2881677436 复制
